目前在半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中，普遍采用RCA清洗技術(shù)清洗拋光硅片，今天我們介紹一種溶浸式濕法化學(xué)清洗，串聯(lián)的SC1和兆聲去除顆粒，含O3的去離子水工藝形成均勻硅氧化膜，最后用IPA干燥。IPA干燥是利用IPA的低表面張力和易揮發(fā)的特性，取代硅片表面的具有較高表面張力的水分，然后用熱N2吹干，達(dá)到徹底干燥硅片水膜的目的。此種干燥工藝比傳統(tǒng)的離心式甩干法、真空干燥法、單純熱N2干燥法在降低金屬和顆粒站務(wù)的引入及干燥速度方面有較大的有事。但此工藝在有片盒干燥的過(guò)程中易產(chǎn)生邊緣目檢缺陷的缺點(diǎn)。針對(duì)這點(diǎn)，我們?cè)谏a(chǎn)中總結(jié)了一下經(jīng)驗(yàn)，并通過(guò)控制將此缺陷降到可控范圍內(nèi)。1、硅片進(jìn)入IPA干燥腔后，通過(guò)片盒支架的特殊設(shè)計(jì)，使拋光面自動(dòng)與片盒脫離接觸。這樣IPA蒸氣可充分分布到拋光面表面，有利于均勻的干燥。2、PFA片盒作為硅片的載體，由于材料微觀多孔的特性，經(jīng)過(guò)反復(fù)烘干，孔被放大，加上長(zhǎng)時(shí)間的化學(xué)溶浸，少量化學(xué)物質(zhì)吸附在PFA的孔內(nèi)，烘干后易在硅片上行程邊緣缺陷，因此定期處理PFA片盒是很必要的。作為濕制程設(shè)備專(zhuān)業(yè)制造商，華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司對(duì)IPA干燥系統(tǒng)有豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)和產(chǎn)線(xiàn)使用驗(yàn)證，為硅片的清洗、干燥提供有效的保障。 更多清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://m.j4i44.cn ,18913575037
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在光學(xué)冷加工中，超聲波清洗是如何實(shí)現(xiàn)洗凈目的的呢？一般來(lái)說(shuō)，清洗工藝主要以干燥的方式命名，如 IPA 工藝，是指利用 IPA（異丙醇）蒸汽進(jìn)行脫水干燥的清洗工藝，純水工藝是指利用熱純水慢提拉或冷純水甩干的方式進(jìn)行干燥的清洗工藝。當(dāng)然，還有其他的命名方式。經(jīng)過(guò)不斷的變化、發(fā)展，光學(xué)冷加工中的清洗工藝主要以 IPA 工藝和純水工藝為主。 IPA干燥 IPA 工藝包括四個(gè)流程：洗滌、漂洗、脫水、干燥?！ ∫?yàn)橄礈爝^(guò)程分溶劑清洗和水基清洗，所以有不同的工藝：有先進(jìn)行溶劑清洗、溶劑蒸汽干燥再進(jìn)行水基清洗；也有先進(jìn)行溶劑清洗，再用乳化劑溶解溶劑，再進(jìn)行水基清洗的。顯然，后者在流程上更流暢、緊湊，對(duì)設(shè)備要求也簡(jiǎn)單。經(jīng)過(guò)洗滌后的鏡片表面不會(huì)有結(jié)合牢固的污垢，僅可能有一些清洗劑和松散污垢的混合物?！ ∥覀冎?，無(wú)機(jī)光學(xué)玻璃是一種過(guò)冷的熔融態(tài)物質(zhì)，沒(méi)有固定的分子結(jié)構(gòu)，它的結(jié)構(gòu)式可描述為二氧化硅和某些金屬氧化物形成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。其骨架結(jié)構(gòu)為鍵能很大的硅氧共價(jià)鍵，外圍是鍵能小、易斷裂的氧與金屬離子形成的離子鍵。在洗滌時(shí)，由于超聲場(chǎng)和化學(xué)洗劑的共同作用，某些硅氧鍵含量少或者外圍鍵能特別小的的材料易于在清洗過(guò)程中發(fā)生變化而導(dǎo)致洗滌效果不良。所以，選擇性能溫和的洗劑、合適的洗劑濃度、溫度、超聲功率、洗滌時(shí)間對(duì)保證鏡片的清洗質(zhì)量十分重要?！ ±昧魉畬⑾礈旌箸R片表面的洗劑和污物溶解、排除的過(guò)程稱(chēng)為漂...
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近年來(lái)衍射光柵技術(shù)、全息術(shù)、傅里葉光學(xué)和計(jì)算全息等技術(shù)推動(dòng)了衍射光學(xué)理論的發(fā)展，特別是在衍射光學(xué)器件方面的研究已經(jīng)達(dá)到了實(shí)用化的水平。衍射光學(xué)器件的特點(diǎn)DOE的特點(diǎn)則是具有高衍射效率、獨(dú)特的色散性能、更多的設(shè)計(jì)自由度、寬廣的材料可選性，并具有特殊的光學(xué)性能，因此DOE成為實(shí)現(xiàn)離軸照明的理想元件。一般用于光刻系統(tǒng)離軸照明的DOE，其子單元個(gè)數(shù)需衍射的概念光沿著直線(xiàn)傳播，當(dāng)光穿過(guò)一個(gè)小孔或經(jīng)過(guò)一個(gè)輪廓分明的邊緣時(shí)，沿小孔邊緣產(chǎn)生了干涉圖形，結(jié)果得到了一個(gè)模糊的圖像，而不是希望出現(xiàn)在光和陰影之間的清晰邊緣，光看上去沿狹縫邊緣彎曲了。這種現(xiàn)象被稱(chēng)做衍射。衍射光學(xué)器件的主要應(yīng)用1.光束整形（1）平頂光束整形“ Top-Hat ”或“ Flat-Top ”光束整形是衍射光學(xué)器件（DOE），用于將近高斯入射激光束轉(zhuǎn)換為圓形，矩形，正方形，線(xiàn)形或均勻強(qiáng)度（平坦）點(diǎn)或在特定工作平面中具有鋒利邊緣的其他形狀。頂帽（平頂）光束整形器的典型應(yīng)用包括：激光燒蝕，激光焊接，激光穿孔，激光劃線(xiàn)，醫(yī)療和美學(xué)激光應(yīng)用。（2）光束擴(kuò)散器/光束勻質(zhì)器英文名為BeamHomogenizer / Optical Diffuser，使用勻化鏡能把單?；蚨嗄５臏?zhǔn)直輸入光束，轉(zhuǎn)換為能量分布高度均勻的光斑。光斑的波長(zhǎng)和形狀輪廓都可自定義，形狀一般為圓形、正方形、直線(xiàn)、長(zhǎng)方形、六邊形、橢圓形等任意形狀。光束均化鏡在許多需要明確定義光...
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一、無(wú)源晶振與有源晶振的對(duì)比1. 無(wú)源晶振是有2個(gè)引腳的無(wú)極性元件，需要借助于時(shí)鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號(hào)，自身無(wú)法振蕩起來(lái)，無(wú)源晶振需要用DSP片內(nèi)的振蕩器，在datasheet上有建議的連接方法。無(wú)源晶振沒(méi)有電壓的問(wèn)題，信號(hào)電平是可變的，也就是說(shuō)是根據(jù)起振電路來(lái)決定的，同樣的晶振可以適用于多種電壓，可用于多種不同時(shí)鐘信號(hào)電壓要求的DSP，而且價(jià)格通常也較低，因此對(duì)于一般的應(yīng)用如果條件許可建議用晶體，這尤其適合于產(chǎn)品線(xiàn)豐富批量大的生產(chǎn)者。2. 有源晶振有4只引腳，是一個(gè)完整的振蕩器，里面除了石英晶體外，還有晶體管和阻容元件 。有源晶振不需要DSP的內(nèi)部振蕩器，信號(hào)質(zhì)量好，比較穩(wěn)定，而且連接方式相對(duì)簡(jiǎn)單（主要是做好電源濾波，通常使用一個(gè)電容和電感構(gòu)成的PI型濾波網(wǎng)絡(luò)，輸出端用一個(gè)小阻值的電阻過(guò)濾信號(hào)即可），不需要復(fù)雜的配置電路。有源晶振相比于無(wú)源晶體通常體積較大，但現(xiàn)在許多有源晶振是表貼的，體積和晶體相當(dāng)，有的甚至比許多晶體還要小。二、無(wú)源晶振與有源晶振的優(yōu)缺點(diǎn)無(wú)源晶振相對(duì)于晶振而言其缺陷是信號(hào)質(zhì)量較差，通常需要精確匹配外圍電路（用于信號(hào)匹配的電容、電感、電阻等），更換不同頻率的晶體時(shí)周邊配置電路需要做相應(yīng)的調(diào)整。使用時(shí)建議采用精度較高的石英晶體，盡可能不要采用精度低的陶瓷晶體。相對(duì)于無(wú)源晶體，有源晶振的缺陷是其信號(hào)電平是固定的，需要選擇好合適輸出電平，靈活性較差，...
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![微納光學(xué)]( "微納光學(xué)")
微納光學(xué)是目前新型光電子產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向，在光通信、光互聯(lián)、光存儲(chǔ)、半導(dǎo)體器件等諸多領(lǐng)域，發(fā)揮了巨大的作用。微納光學(xué)的結(jié)構(gòu)技術(shù)是指通過(guò)將微納光學(xué)結(jié)構(gòu)引入到相關(guān)的材料中，制成新型光學(xué)功能器件。微納光學(xué)就是利用微結(jié)構(gòu)材料作為光學(xué)元件的光學(xué)分支。它的結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和制造是微納光學(xué)技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵性問(wèn)題，所以微納光學(xué)成為了新型光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵性突破。它的主要優(yōu)點(diǎn)就是能在局域電磁相互作用的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)許多全新的功能，成為21世紀(jì)國(guó)家不可或缺的關(guān)鍵科學(xué)和技術(shù)。微納光學(xué)現(xiàn)有技術(shù)與特點(diǎn)微納光學(xué)制造技術(shù)以L(fǎng)IGA工藝為基礎(chǔ)，主要經(jīng)過(guò)光刻、電鑄制模和微納米壓印三個(gè)主要工藝步驟。（1）光刻光刻是半導(dǎo)體技術(shù)中晶圓制造的關(guān)鍵工藝，通過(guò)表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測(cè)等一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去，在晶圓表面留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。這些所有成果都必須建立在一片干凈的晶圓上?？上攵?，半導(dǎo)體清洗設(shè)備就發(fā)揮了非常大的作用。國(guó)內(nèi)也是有多家濕法清洗設(shè)備廠(chǎng)商，其中熟知的華林科納就是一家濕制程設(shè)備專(zhuān)業(yè)制造商，主要從事半導(dǎo)體濕制程設(shè)備的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售。目前光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小到亞微米級(jí)，已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、X射線(xiàn)、微離子束、激光等新技術(shù)；成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。微納光學(xué)制造技術(shù)采用光刻技術(shù)在激光原版上形成具有微納尺寸的細(xì)微結(jié)構(gòu)，即...
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在許多大學(xué)、研究所，研究員在實(shí)驗(yàn)室做實(shí)驗(yàn)時(shí)，往往需要配比很多不同類(lèi)型的溶液。這些溶液有酸堿液、有機(jī)液，人工配液時(shí)接觸，不僅存在安全隱患，還經(jīng)常存在配液比例不準(zhǔn)確，效率低下的問(wèn)題。同時(shí)，由于人工反復(fù)不斷的配比，人在疲倦的時(shí)候容易出錯(cuò)，還易造成藥液的浪費(fèi)?！ ∪A林科納公司設(shè)計(jì)的CSE-LIQOUR-II自動(dòng)配液機(jī)，專(zhuān)為解決以上問(wèn)題而研發(fā)，可以適用于各類(lèi)化學(xué)生物制藥工藝實(shí)驗(yàn)室，是用來(lái)滿(mǎn)足藥液自動(dòng)配比的設(shè)備，通過(guò)稱(chēng)重、流量計(jì)準(zhǔn)確計(jì)量、氣壓輸送或注塞抽取等方式將藥液按照比例輸送，配液精確度能夠達(dá)到2‰?！ ≡撆湟簷C(jī)由配液控制單元與配液稱(chēng)量單元兩部分組成。配液控制單元由顯示操作區(qū)域、外接原液桶裝置與計(jì)算控比裝置組成，通過(guò)操作區(qū)域輸入化學(xué)藥液的濃度、配比比例與需要的藥液量，經(jīng)過(guò)計(jì)算控比裝置的精確計(jì)算，將幾種藥液進(jìn)行混合配比，從而實(shí)現(xiàn)藥液的精確配比。同時(shí)，配有精確的配液稱(chēng)量單元，最高配液分辨率可達(dá)到0.01g。除了可以用量杯進(jìn)行大規(guī)格的調(diào)制之外，還可以配備標(biāo)準(zhǔn)試管支架，以用來(lái)固定試管，進(jìn)行精確地試管配比?！ ≡撆湟簷C(jī)能夠達(dá)到高精準(zhǔn)、高效率的配液，并具有抗腐蝕性、毒性、耐壓、防燃防爆等功能，保證操作者安全；通過(guò)計(jì)算控比單元與機(jī)臺(tái)界面自動(dòng)化，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制操作的運(yùn)轉(zhuǎn)；接觸部分與絕大多數(shù)化學(xué)品（如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、鹽酸HCL、氫氟酸HF、緩沖氧化物刻蝕液BOE等酸性溶液；氨水N...
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TFT-LCD的制造過(guò)程此文件僅供參考學(xué)習(xí)，勿用于商業(yè)用途一、Array制程薄膜黃光蝕刻剝膜二、Cell制程配向膜印刷密封膠涂布噴淋間隔物注入液晶密封組合偏光片貼附三、Module制程COG制程軟性電路板壓合印刷電路板壓合背光模組組裝老化測(cè)試
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低通濾波器低通濾波器（英語(yǔ)：Low-pass filter）容許低頻信號(hào)通過(guò)，但減弱（或減少）頻率高于截止頻率的信號(hào)的通過(guò)。對(duì)于不同濾波器而言，每個(gè)頻率的信號(hào)的減弱程度不同。當(dāng)使用在音頻應(yīng)用時(shí)，它有時(shí)被稱(chēng)為高頻剪切濾波器，或高音消除濾波器。高通濾波器則相反，而帶通濾波器則是高通濾波器同低通濾波器的組合。低通濾波器概念有許多不同的形式，其中包括電子線(xiàn)路（如音頻設(shè)備中使用的hiss濾波器、平滑數(shù)據(jù)的數(shù)字算法、音障（acoustic barriers）、圖像模糊處理等等)。低通濾波器在信號(hào)處理中的作用等同于其它領(lǐng)域如金融領(lǐng)域中移動(dòng)平均數(shù)（moving average）所起的作用；這兩個(gè)工具都通過(guò)剔除短期波動(dòng)、保留長(zhǎng)期發(fā)展趨勢(shì)提供了信號(hào)的平滑形式。低通濾波器實(shí)例一個(gè)固體屏障就是一個(gè)聲波的低通濾波器。當(dāng)另外一個(gè)房間中播放音樂(lè)時(shí)，很容易聽(tīng)到音樂(lè)的低音，但是高音部分大部分被過(guò)濾掉了。類(lèi)似的情況是一輛小汽車(chē)中播放非常大的音樂(lè)聲，在另外一個(gè)車(chē)中的人聽(tīng)來(lái)卻是低音節(jié)拍，因?yàn)檫@時(shí)封閉的汽車(chē)和空氣間隔起到了低通濾波器的作用，減弱了所有的高音。電子低通濾波器用來(lái)驅(qū)動(dòng)重低音喇叭（subwoofer）和其它類(lèi)型的擴(kuò)音器、并且阻塞它們不能有效傳播的高音節(jié)拍。無(wú)線(xiàn)電發(fā)射機(jī)使用低通濾波器阻塞可能引起與其它通信發(fā)生干擾的諧波發(fā)射。DSL分離器使用低通和高通濾波器分離共享使用雙絞線(xiàn)的DSL和POTS信號(hào)。低通濾波器也在如R...
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線(xiàn)性濾波器線(xiàn)性濾波器用于時(shí)變輸入信號(hào)的線(xiàn)性運(yùn)算（en:linear operator）。線(xiàn)性濾波器在電子學(xué)和數(shù)字信號(hào)處理中應(yīng)用非常普遍（參見(jiàn)電子濾波器中的文章），它們也用于機(jī)械工程和其它技術(shù)領(lǐng)域。線(xiàn)性濾波器經(jīng)常用于剔除輸入信號(hào)中不想要的頻率或者從許多頻率中選擇一個(gè)想要的頻率。濾波器和濾波器技術(shù)類(lèi)型非常廣泛，這篇文章將給出一個(gè)總的描述。不論它們是電子的、電力的還是機(jī)械的，也不論它們的頻率范圍或者時(shí)間尺度有多大，線(xiàn)性濾波器的數(shù)學(xué)理論都是通用的。按照傳遞函數(shù)分類(lèi)：脈沖響應(yīng)線(xiàn)性濾波器可以分為兩類(lèi)：無(wú)限脈沖響應(yīng)（IIR）和有限脈沖響應(yīng)（FIR）濾波器。通常，一個(gè)窄（compact）頻率響應(yīng)的濾波器有無(wú)限脈沖響應(yīng)，一個(gè)窄脈沖響應(yīng)的濾波器有無(wú)限頻率響應(yīng)。直到，人們才能夠?qū)崿F(xiàn)模擬IIR濾波器，但是，如模擬延時(shí)線(xiàn)（en:analog delay line）和數(shù)字濾波器這樣的技術(shù)都已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了FIR濾波器。頻率響應(yīng)幾種常見(jiàn)的線(xiàn)性濾波器：● 允許低頻率通過(guò)的低通濾波器?！?#160;允許高頻率通過(guò)的高通濾波器?！?#160;允許一定范圍頻率通過(guò)的帶通濾波器。● 阻止一定范圍頻率通過(guò)并且允許其它頻率通過(guò)的帶阻濾波器?！?#160;允許所有頻率通過(guò)、僅僅改變相位關(guān)系的全通濾波器?！?#160;阻止一個(gè)狹窄頻率范圍通過(guò)的特殊帶阻濾波器陷波濾波器（en:notch filter）。● ...
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單晶硅片加工工藝主要為：切斷→外徑滾圓→切片→倒角→研磨→腐蝕、清洗等。切斷：是指在晶體生長(zhǎng)完成后， 沿垂直與晶體生長(zhǎng)的方向切去晶體硅頭尾無(wú)用的部分，即頭部的籽晶和放肩部分以及尾部的收尾部分。通常利用外圓切割機(jī)進(jìn)行切割。 外圓切割機(jī)刀片邊緣為金剛石涂層。這種切割機(jī)的刀片厚，速度快，操作方便；但是刀縫寬，浪費(fèi)材料，而且硅片表面機(jī)械損傷嚴(yán)重。目前，也有使用帶式切割機(jī)來(lái)割斷晶體硅的，尤其適用于大直徑的單晶硅。外徑滾圓：在直拉單晶硅中，由于晶體生長(zhǎng)方時(shí)的熱振動(dòng)，熱沖擊等原因，晶體表面都不是非常平滑的，也就是說(shuō)整根單晶硅的直徑有一定偏差起伏；而且晶體生長(zhǎng)完成后的單晶硅棒表面存在扁平的棱線(xiàn)，需要進(jìn)一步加工，使得整根單晶硅棒的直徑達(dá)到統(tǒng)一，以便于在后續(xù)的材料和加工工藝中操作。切片：在單晶硅滾圓工序完成后，需要對(duì)單晶硅棒切片。太陽(yáng)電池用單晶硅在切片時(shí)，對(duì)硅片的晶向，平行度和翹曲度等參數(shù)要求不高，只需對(duì)硅片的厚度進(jìn)行控制。倒角：將單晶硅棒切割成晶片，晶片銳利邊需要休整成圓弧形，主要防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生。研磨：切片后，在硅片的表面產(chǎn)生線(xiàn)痕，需要通過(guò)研磨除去切片所造成的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅的翹曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個(gè)拋光處理的過(guò)程規(guī)格。腐蝕、清洗：切片后，硅片表面有機(jī)械損傷層，近表面晶體的晶格不完整，而且硅片表面有金屬粒子等雜質(zhì)污染。因此，一般切片后，在制備太陽(yáng)能電池前，需要...
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