掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 對(duì)在SPEL中使用不同的浸沒方法清洗的硅晶片進(jìn)行了比較研究。所生產(chǎn)的盈余已經(jīng)通過各種方法進(jìn)行了評(píng)估。使用這些清洗后獲得的結(jié)果被報(bào)告，并顯示與文獻(xiàn)中描述的結(jié)果一致。最佳清潔是RCA描述的。 介紹 在集成電路制造之前和制造過程中清洗硅片對(duì)于器件的性能至關(guān)重要。任何清潔過程的目的都是去除污染物并產(chǎn)生一個(gè)沒有微粒的表面。然而，裸露的硅具有很強(qiáng)的反應(yīng)性，因此在大多數(shù)情況下，清潔后的表面會(huì)迅速氧化，并被一層薄氧化膜覆蓋。在本文中，“干凈”的硅晶片將是已經(jīng)通過適當(dāng)?shù)那逑闯绦虿⒈辉撨^程最后階段形成的薄氧化物覆蓋的晶片。實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)使用的晶片主要為2“CZO.lohmcmn型磷摻雜，然而，其他晶圓在適當(dāng)?shù)那闆r下被用于比較目的。對(duì)收到的批次進(jìn)行清理。除氫氟酸外，所使用的化學(xué)品均為由BDH提供的阿里星級(jí)。為了模擬中間裝置處理步驟后的清洗，某些晶片被清洗，然后使用常規(guī)爐在1150C的干燥氧中氧化，產(chǎn)生氧化物1OOOA厚，然后進(jìn)行第二次清洗和表面分析。 結(jié)果 從制造商收到的晶片被薄氧化物覆蓋，拋光后生長。如果不采用光譜橢圓測(cè)量法，該薄膜的厚度很難絕對(duì)測(cè)量。本研究中測(cè)量的厚度結(jié)果一致...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 在這項(xiàng)工作中，臭氧溶解在去離子水中(DIO3)清洗被研究作為一種低成本的替代方法，目前濕化學(xué)清洗在高效太陽能電池制造。與高壽命RCA的參考清洗工藝相比，通過簡單地向DIO3溶液中加入少量HF和HCl，獲得了更高的有效壽命和更低的J0。清洗和鈍化的晶片的有效壽命隨著在DIO3/HF/HCl清洗溶液中處理時(shí)間的增加而增加。即使在清洗后長達(dá)一小時(shí)的儲(chǔ)存時(shí)間后，晶片壽命的穩(wěn)定性使得DIO3/HF/HCl清洗適合工業(yè)應(yīng)用。DIO3/HF/HCl清洗顯示出在大規(guī)模生產(chǎn)中作為高壽命濕化學(xué)清洗工藝的巨大潛力。 介紹 對(duì)于高效太陽能電池，如PERC、HIT和IBC電池，硅片表面的有效清潔對(duì)于獲得高壽命和良好的鈍化效果至關(guān)重要。太陽能電池生產(chǎn)線和光伏實(shí)驗(yàn)室使用的常規(guī)濕化學(xué)清洗程序通常會(huì)消耗大量的化學(xué)物質(zhì)，如H2SO4、硝酸、氟化氫、氯化氫、NH4OH和H2O2.這種化學(xué)溶液具有有限的槽壽命，這意味著即使不清洗晶片，在運(yùn)行通過一定量的晶片或一段時(shí)間后，必須混合新的槽以保持有效的清洗。對(duì)于對(duì)硅表面條件更敏感、鈍化要求更高的高效硅太陽能電池，RCA清洗順序已成為參考。RCA清洗需要更頻繁地更換化學(xué)品，這大大增加了制造成本。 臭氧是一種強(qiáng)氧...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 光伏制造濕法工藝步驟的評(píng)估表明雜質(zhì)可能沉積在硅介質(zhì)上。在取出晶片時(shí)，液體層保留在硅表面上。當(dāng)液體蒸發(fā)時(shí)，液體中的任何污染物都會(huì)沉積在硅上。該數(shù)據(jù)表明，影響雜質(zhì)沉積的最大因素是熔池中雜質(zhì)的濃度。 濕法加工中的污染源 將硅片加工成光伏電池涉及多個(gè)步驟。該過程從生長硅錠開始，并通過各種包括晶片鋸切、清洗、蝕刻、擴(kuò)散、絲網(wǎng)印刷和最后測(cè)試的步驟。在整個(gè)過程中，保持硅晶片的純度是至關(guān)重要的， 因?yàn)橐呀?jīng)表明污染會(huì)對(duì)細(xì)胞的效率和有效壽命產(chǎn)生負(fù)而前濕法工藝是制造過程中的一個(gè)污染源。這些濕法工藝通常使用高純度化學(xué)物質(zhì)，如氫氟酸和鹽酸，以及18兆歐厘采的去離子水。當(dāng)化學(xué)物質(zhì)開始時(shí)低雜質(zhì)，化學(xué)品暴露于化學(xué)品分配系統(tǒng)中使用的材料，如管道閥門和容器，會(huì)將液體污染到不可接受的程度。可提取性測(cè)試表明，用于油濕部件的材料類型，如聚氯乙烯、聚丙烯或全氟烷氧基(PFA)對(duì)流體介質(zhì)中存在的污染水平有顯著影響。 圖1 晶片浸沒和從處理槽中取出 金屬污染物對(duì)載流子的壽命有顯著影響。金屬污染物可以作為硅的蝕刻紋理化的副產(chǎn)品被引入到浴缸中，也可以通過工藝被引入。許多研究已經(jīng)進(jìn)行來測(cè)量金屬污染物對(duì)細(xì)胞性能的影響。其...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本文的方法通過使用動(dòng)態(tài)液滴對(duì)硅晶片進(jìn)行局部濕法處理來表示，該液滴在與晶片接觸時(shí)形成動(dòng)態(tài)液體彎月面。這項(xiàng)工作引入的主要科學(xué)創(chuàng)新和相關(guān)性已經(jīng)應(yīng)用于工業(yè)太陽能電池生產(chǎn)和集成電路互連的硅晶片金屬凸塊形成(即。銅柱)。這種新技術(shù)允許在特定的限定位置接觸硅晶片，以便執(zhí)行任何種類的濕法處理(例如。蝕刻、清潔和/或電鍍)而不需要任何保護(hù)性抗蝕劑。利用計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)技術(shù)(即。精確預(yù)測(cè)流體流動(dòng)的數(shù)值技術(shù))之后，并提出。建立了實(shí)驗(yàn)裝置來驗(yàn)證計(jì)算結(jié)果。數(shù)值結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合良好。使用立體光刻系統(tǒng)的原型頭被開發(fā)出來，并且在硅上進(jìn)行不需要光刻步驟的局部選擇性電鍍。 介紹 與半導(dǎo)體和光伏產(chǎn)業(yè)的任何其他部門一樣，主要驅(qū)動(dòng)力是通過降低成本來提高業(yè)績。在光伏領(lǐng)域，這意味著每美元更便宜的瓦特和更高效率的硅太陽能電池(即。 19%). 在電子封裝行業(yè)，這意味著使用面積陣列封裝尋求更好的電氣性能和更高的輸入/輸出數(shù)量，目標(biāo)是“更小、更快、更便宜”。 實(shí)驗(yàn)測(cè)試和計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)驗(yàn)證 設(shè)計(jì)了兩種不同類型的原型來驗(yàn)證計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)模型:一種具有矩形噴嘴幾何形狀，另一種具有圓形對(duì)稱陣列。同時(shí)，本文寫道，用于制造銅柱電鍍的具有4x4陣列的圓形對(duì)...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 為了評(píng)估在300 mm直徑硅片的濕法清洗槽中產(chǎn)生氣泡運(yùn)動(dòng)的主導(dǎo)力，使用攝像機(jī)和光學(xué)顯微鏡研究了由兆頻超聲波產(chǎn)生的小氣泡的典型運(yùn)動(dòng)。在MS波作用下，直徑為10–30和200–300米的氣泡的上升速度分別為0.002–0.003和0.02–0.08米/秒。直徑為200-300米的氣泡的速度取決于三個(gè)力，即浮力、毫秒波和水流。直徑為10-30米的氣泡的運(yùn)動(dòng)主要由橫波驅(qū)動(dòng)；浮力的影響很小?？梢酝ㄟ^調(diào)節(jié)質(zhì)譜波功率來改變緊靠晶片支撐桿上方的氣泡路徑。介紹 在制造半導(dǎo)體硅微電子器件的整個(gè)過程中，非常干凈的硅表面是必要的。在各種器件制造過程中存在的各種污染物通過使用超純水和各種化學(xué)試劑的濕法清洗過程被去除，通常伴隨著被稱為兆頻超聲波的高頻聲波譜波產(chǎn)生微泡，這些微泡已經(jīng)被用于各種工業(yè)領(lǐng)域的許多清洗技術(shù).然而，質(zhì)譜波經(jīng)常導(dǎo)致圖案塌陷和對(duì)硅表面上形成的非常小的結(jié)構(gòu)的一些損壞。 在本文研究中，作為我們先前研究的延伸，使用了帶有質(zhì)譜波模塊的無載體濕式清洗槽來觀察排列的晶片之間和晶片支撐桿附近的氣泡運(yùn)動(dòng)。根據(jù)氣泡直徑和向上速度之間的關(guān)系，并考慮到斯托克斯定律理論上給出的速度，評(píng)估了浮力、質(zhì)譜波和水流的...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要本文討論了稀氫氟酸清洗過程中顆粒沉積在硅片表面的機(jī)理。使用原子力顯微鏡的直接表面力測(cè)量表明，硅表面上的顆粒再沉積是由于顆粒和晶片表面之間的主要相互作用。表面活性劑的加入可以通過改變顆粒和晶片之間的表面相互作用力來影響稀氟化氫溶液的清潔效果。我們表明，顆粒沉積與晶片和顆粒的ζ電勢(shì)的乘積之間存在簡單的相關(guān)性。這種相關(guān)性可以通過在雙電層相互作用的推導(dǎo)中引入線性疊加近似來解釋。表面活性劑的加入也將降低分散吸引力，引入空間排斥，并消除粘附力，如表面力測(cè)量結(jié)果所示。 介紹隨著半導(dǎo)體工業(yè)向越來越小的尺寸發(fā)展，去除顆粒污染物變得極其重要。因此，硅片超凈是半導(dǎo)體加工的一個(gè)重要領(lǐng)域。最廣泛使用的清洗方法是基于RCA的濕化學(xué)清洗，可去除晶片表面的有機(jī)殘留物、顆粒和金屬離子。經(jīng)RCA清洗的晶片表面有一層約1-2納米厚的化學(xué)氧化層。使用稀釋的HF清洗來去除該層，并獲得氫鈍化的裸露硅表面，該表面具有高的抗氧化穩(wěn)定性和低密度的表面狀態(tài)。然而，在HF清洗期間，浴中的顆粒傾向于再沉積到裸露的硅表面上。 實(shí)驗(yàn)所有的實(shí)驗(yàn)都在室溫下進(jìn)行。每個(gè)實(shí)驗(yàn)的0.5% HF溶液都是從電子級(jí)49% HF溶液新鮮制備的。在這些實(shí)驗(yàn)中，氮化硅顆粒被選為模型顆粒。顆粒沉積實(shí)驗(yàn)如下進(jìn)行;硅片在浸入含200 ppm氮化硅顆粒的0.5 wt % HF溶液前，先在SC-1溶液中清洗~Alf...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要研究了兆聲波對(duì)300 mm直徑硅片濕法清洗槽中水和氣泡運(yùn)動(dòng)的影響。使用水溶性藍(lán)色墨水的示蹤劑觀察整個(gè)浴中的水運(yùn)動(dòng)。兆聲波加速了整個(gè)浴槽中的水運(yùn)動(dòng)，盡管沒有兆聲波時(shí)的水運(yùn)動(dòng)趨向于局部化。兆聲波產(chǎn)生的小氣泡的運(yùn)動(dòng)也被追蹤到整個(gè)晶片表面。兆聲波和水流增加了氣泡的傳輸速率。介紹 使用超純水、各種化學(xué)試劑和非常常見的兆聲波在濕法工藝之后清洗硅晶片表面.此外，兆聲波產(chǎn)生的微泡已經(jīng)用于各種清洗技術(shù)。因此，許多研究人員)已經(jīng)基于清潔的硅晶片表面的粒子水平評(píng)估研究了其有效使用的方法和條件。為了進(jìn)一步改善濕式清洗槽中的濕式清洗條件，水和氣泡在兆聲波作用下的運(yùn)動(dòng)應(yīng)該得到充分的澄清。盡管在著名的先前論文中已經(jīng)通過數(shù)值計(jì)算研究了兆聲波下的水流，但是使用可視化技術(shù)的實(shí)驗(yàn)研究應(yīng)該進(jìn)一步進(jìn)行。 本文研究了在不同功率的超聲波作用下，水和氣泡在整個(gè)無載體濕法清洗槽中的運(yùn)動(dòng)。根據(jù)所得結(jié)果，討論了兆聲波的作用和影響。 實(shí)驗(yàn)的 圖1顯示了本文中使用的無載體濕式清洗槽的示意圖。該系統(tǒng)由一個(gè)槽、25個(gè)晶片(直徑300毫米)、三個(gè)晶片支撐桿和兩個(gè)水噴嘴組成。浴缸和水噴嘴由石英玻璃制成。晶片支撐桿由碳氟樹脂制成。在這項(xiàng)研究中，為了使水的運(yùn)動(dòng)可視化，將水溶性藍(lán)色墨水加入水中。藍(lán)色墨水的運(yùn)動(dòng)是用錄像機(jī)每...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 在總化學(xué)物質(zhì)供給量不變的情況下，具有間歇化學(xué)物質(zhì)供給和頻繁流量變化的濕式清潔浴對(duì)于改善清潔性能是相當(dāng)有效的。使用間歇化學(xué)品供應(yīng)表明節(jié)省了化學(xué)品消耗，這是環(huán)境友好的，并且具有高通量過程。當(dāng)晶片以寬間距和窄間距同時(shí)放置在相同的濕清潔浴中時(shí)，與具有相等間距的晶片排列相比，在窄間距處顆粒去除效率顯著降低。為了防止?jié)穹ㄇ逑催^程降低清洗性能，必須仔細(xì)考慮晶片在濕法清洗槽中的放置。有趣的是，濕清潔浴中供給流速的模擬與不同晶片間距的實(shí)際顆粒去除率的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相關(guān)。我們認(rèn)識(shí)到晶片間距和化學(xué)品供應(yīng)方式是控制濕浴清潔效率的重要因素。 介紹 自濕式清潔工具首次用于基于熱堿性和酸性過氧化氫溶液的RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔工藝以來，多年來已報(bào)告了許多挑戰(zhàn)，以改善硅晶片表面金屬雜質(zhì)、1–14顆粒、13–21和有機(jī)污染物去除23–26的濕式清潔工藝性能.26已報(bào)告使用表面活性劑的單步清潔可降低化學(xué)成本。報(bào)道稱，通過稀釋的HF-H2O2可以有效地去除銅.2–6稀釋的化學(xué)清洗被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)低成本和高性能清洗的最合適的候選方法之一.2–6、13、14、19、22–25在這些清洗過程中，使用了兩種類型的濕工具。盡管工業(yè)上越來越多地采用能夠以高性能重復(fù)清洗每個(gè)晶片的單晶片旋轉(zhuǎn)型工具，但是...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 在濕化學(xué)加工中，制造需要表面清潔度和表面光滑度[1]。有必要完美地控制所有工藝參數(shù)，特別是對(duì)于常見的清潔技術(shù)RCA clean (SC-1和SC-2) [2]。本文討論了表面處理參數(shù)的特點(diǎn)及其影響。硅技術(shù)中RCA濕化學(xué)處理的特性基于SC-1和QDR的處理時(shí)間、溫度、濃度和兆頻超聲波功率。提出了一種通過增加濕法清洗化學(xué)過程的變量來改進(jìn)晶片表面制備的方法。 介紹 對(duì)SC-1和QDR的加工時(shí)間、溫度、濃度和兆頻超聲波功率的影響進(jìn)行了廣泛的研究。這些研究表明，對(duì)顆粒去除效率影響最大的主要因素是兆頻超聲波功率，其次是溫度和濃度，SC-2的影響較小.在濕式臺(tái)式處理機(jī)中進(jìn)行了一項(xiàng)統(tǒng)計(jì)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)。本文將提出一種晶片表面制備RCA配方，該配方基于適合SC-1和QDR以及SC-1溫度的兆頻超聲波功率，具有最佳的粒子去除效率。實(shí)驗(yàn) 通過在氫氟酸浴中和在帶有旋轉(zhuǎn)干燥干燥器的抗蝕工具類型中處理晶片，晶片被有意地預(yù)污染。HF會(huì)使晶圓表面變成疏水性，排斥水，容易吸引顆粒。典型的污染從100–2000個(gè)粒子不等，粒子閾值為0.13和0.16 Pm。由于前處理很大程度上取決于初始計(jì)數(shù)和晶圓的初始條件(污染前的清洗)，晶圓是針對(duì)每個(gè)DOE條...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域；并以第一速率用等離子體蝕刻基底的底層區(qū)域，同時(shí)以低于第一速率蝕刻掩模層。 介紹 本文涉及半導(dǎo)體處理方法，特別是涉及碳化硅半導(dǎo)體的處理技術(shù)。碳化硅）由于其較大的能帶隙和高擊穿場(chǎng)，是高溫度、高功率電子器件的重要材料。碳化硅還具有優(yōu)越的機(jī)械性能和化學(xué)惰性，適合制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和納米機(jī)電系統(tǒng)(NEMS)在惡劣環(huán)境中的應(yīng)用；暴露在高溫、強(qiáng)輻射、強(qiáng)烈振動(dòng)、腐蝕性和研磨介質(zhì)中的環(huán)境。因此，基于sic的MEMS在高溫傳感器和執(zhí)行器和微機(jī)燃?xì)鉁u輪機(jī)中得到了應(yīng)用。此外，由于其高聲速(定義為楊氏模量與質(zhì)量密度E/p之比的平方根)和非常穩(wěn)定的表面，碳化硅被認(rèn)為是一種制造很有前途的超高頻微機(jī)械硅的結(jié)構(gòu)材料。 本文實(shí)施例是針對(duì)使用非金屬掩模層用高選擇性RIE工藝蝕刻碳化硅的方法。在某些實(shí)施例中，分別使用氫蝕刻化學(xué)和溴蝕刻化學(xué)形成。這允許使用非金屬材料在蝕刻過程中掩蓋碳化硅襯底。在一方面，蝕刻是在等離子體室中使用溴化氫(“HBr)蝕刻化學(xué)方法進(jìn)行的。氫溴酸蝕刻化學(xué)已被用于蝕刻硅，但不是二氧化硅、氮化硅或碳化硅。那些精通該藝術(shù)的人的傳統(tǒng)智慧將教導(dǎo)遠(yuǎn)離使用氫溴...
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