![負(fù)責(zé)此項(xiàng)研究的伊利諾伊大學(xué)材料與工程學(xué)教授保羅·布勞恩說，由于小型化儲(chǔ)能技術(shù)一直以來都是一個(gè)難題，微型設(shè)備通常都由片外電池或電源提供能源。其難點(diǎn)主要在于3D電極，這種電極十分復(fù)雜，在普通電池上實(shí)現(xiàn)的難]( "負(fù)責(zé)此項(xiàng)研究的伊利諾伊大學(xué)材料與工程學(xué)教授保羅·布勞恩說，由于小型化儲(chǔ)能技術(shù)一直以來都是一個(gè)難題，微型設(shè)備通常都由片外電池或電源提供能源。其難點(diǎn)主要在于3D電極，這種電極十分復(fù)雜，在普通電池上實(shí)現(xiàn)的難")
國家能源局、工業(yè)和信息化部、國家認(rèn)監(jiān)委日前聯(lián)合下發(fā)《關(guān)于促進(jìn)先進(jìn)光伏技術(shù)產(chǎn)品應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)升級(jí)的意見》（以下簡稱《意見》），提出應(yīng)提高光伏產(chǎn)品市場(chǎng)準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)，支持先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品擴(kuò)大市場(chǎng)，全面實(shí)施“領(lǐng)跑者”計(jì)劃，引導(dǎo)光伏技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。備受政策支持的光伏行業(yè)再獲利好，令投資者大呼光伏行業(yè)暖春已至。承接2014年利好趨勢(shì)，2015年入年以來，光伏行業(yè)已獲包括國務(wù)院、國家能源局、發(fā)改委、工信部在內(nèi)的多個(gè)政府機(jī)關(guān)和部委的政策力挺。《關(guān)于下達(dá)2015年光伏發(fā)電建設(shè)實(shí)施方案的通知》、《關(guān)于進(jìn)一步深化電力體制改革的若干意見》等多項(xiàng)核心扶持政策的出臺(tái)，對(duì)于光伏行業(yè)而言已達(dá)到強(qiáng)有力的提振作用。而此次三部委聯(lián)合發(fā)布的《意見》無疑又是一劑強(qiáng)心針。值得注意的是，區(qū)別于以往政策，三部委此次發(fā)文首次將“領(lǐng)跑者”計(jì)劃準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行量化，且明確提出將以政策資金和政府采購方式對(duì)“領(lǐng)跑者”先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品進(jìn)行政策傾斜。 “領(lǐng)跑者”需拿技術(shù)說話所謂“領(lǐng)跑者”專項(xiàng)計(jì)劃實(shí)則衍生于2015年1月8日發(fā)改委等八部門發(fā)布的《能效“領(lǐng)跑者”制度實(shí)施方案》。能效“領(lǐng)跑者”是指同類可比范圍內(nèi)能源利用效率最高的產(chǎn)品、企業(yè)或單位。具體到此次三部委所提的“領(lǐng)跑者”專項(xiàng)計(jì)劃，國家能源局將每年安排專門的市場(chǎng)規(guī)模實(shí)施該計(jì)劃，要求項(xiàng)目采用先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品?！兑庖姟分赋?，2015年，“領(lǐng)跑者”先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)品應(yīng)達(dá)到以下指標(biāo)：多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光...
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SOLAR SIMULATOR SIMULATORMODEL # SS150AAA太陽能模擬器型號(hào) SS150AAAFEATURES 性能 TECHNICAL SPECIFICATIONS 技術(shù)參數(shù)
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EchoProbe SOFTWARE反射探針軟件setup of Recipes,Data logging,Real time Display 設(shè)置菜單，數(shù)據(jù)記錄，實(shí)時(shí)顯示 EchoProbe SOFTWARE反射探針軟件Programable Data Points and Patterns, Variety of Displays可控?cái)?shù)據(jù)點(diǎn)，模式，顯示種類 Presentation of Results結(jié)果陳列 Advantages of Optical EchoProbe光學(xué)反射探針優(yōu)勢(shì)? Can measure Si or III/V wafers with or without tape, with Film frame, bumped wafers, bonded wafer - with Si or Glass or Sapphire carriers.可測(cè)量膠帶及Si或者III/V裸硅片，帶薄膜框架，凸起硅片，Si或者玻璃粘合硅片? Not affected by tape thickness, adhesives, pattern structures or non conducting materials不受膠帶厚度，粘合劑，圖案結(jié)構(gòu)或者不導(dǎo)電材料影響? Non contact tec...
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Wafer and Membrane Thickness, Warp, TTV硅片和薄膜厚度，彎曲，TTVOptical EchoProbe光學(xué)反射探針 Outline概要? Introduction簡述? Measurement Requirements for Wafer Thinning硅片減薄測(cè)量要求? Discussion of different approaches for Wafer Thickness Measurement硅片厚度檢測(cè)不同方法的討論? Optical EchoProbe for Wafer Thickness Measurement光學(xué)反射探針的硅片厚度檢測(cè)? Applications應(yīng)用 – Thickness and Warp after Grinding, Etching研磨，蝕刻后的厚度和翹曲 – Measurement of stacks of non- and semiconducting materials (MEMS) –半導(dǎo)體材料（MEMS)的堆疊檢測(cè)? Configur...
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Bump Height Measurement凸起高度測(cè)量 Ultra Fast Measurements (UF 800)超快速測(cè)量? Acquisition time of 125 μs accomplished with High Speed reference mirror and optical encoder? 高速參考反射鏡和光編碼器使設(shè)備僅需125 μs采集時(shí)間? Ideal solution for measurement on spinning wafers旋轉(zhuǎn)硅片測(cè)量的理想方法? Pressurized enclosure for measurement in challenging environments高壓密閉檢測(cè) ? Software and hardware interface for customizitation/OEM按客戶需求訂制軟件和硬件界面 413 Optical EchoProbe光學(xué)反射探針Overview about Configurations結(jié)構(gòu)綜述413EC (Manual System手動(dòng)系統(tǒng))413-200 (Semiautomated system –m...
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Long Distance Measurement長距離測(cè)量 Topography of a strained Wafer w/ Film on Topw已變形硅片構(gòu)形/頂部有薄膜 Real World Samples實(shí)際樣例Mounted Wafers on Elastic Tapes硅片置于橡皮圈膠帶上 Inhomogeneous tapes heavilyscatter light, and complicate measurements不均勻的膠帶使燈光散開，使測(cè)量復(fù)雜化(distance between text and tape is Warp Measurement翹曲檢測(cè)? Warp翹曲: 101.86? Bow弓起 44.68
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Applications應(yīng)用? Wafer Thickness and TTV硅片厚度和TTV? Topography構(gòu)狀? Strained wafers已變形的硅片? Profile depth輪廓深度? Measurement of Tape膠帶測(cè)量? Warp翹曲? Bump Height凸起高度? Ultra Fast Measurements超快速測(cè)量 Warp and Dam Thickness?翹曲和壩厚度 Dam Thickness壩厚度 Warp翹曲 Measurement of Wafer Topography硅片圖形測(cè)量? wafer topography and thickness using EchoprobeTechnology.硅片圖形和厚度用回射探針技術(shù)? Values on iso-lines are expressed inμm Wafer is concave in the middle.iso線的測(cè)量值是以u(píng)m表示的，硅片中間是凹的 Measurement of Profile Depth輪廓厚度測(cè)量High Aspect Rat...
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Introduction to 128, 128L, 128LC2C Product Line for Film Stress Measurement128 128L 128LC2C薄膜應(yīng)力測(cè)試產(chǎn)品簡介128, 128L, 128C2C Product Line Introductions介紹? Product Pictures產(chǎn)品圖片? Basic principles of 128 Line 128產(chǎn)品系列基本原理? Film Stress薄膜應(yīng)力? Dual laser scanner雙激光掃描? Stoney equation for film stress薄膜應(yīng)力Stoney方程式? Who needs the products?誰需要這種產(chǎn)品？? Film property monitor and/or R&D薄膜性能監(jiān)測(cè)及研發(fā)? What are the simple specifications?什么是基本參數(shù)？? Film stress range / reproducibility薄膜應(yīng)力范圍/可再生性 128 Film Stress and Flatness Measurement Models ( Room Temperature )薄膜應(yīng)力和平整度測(cè)試設(shè)備（室溫） Film Stress & Wafer Yi...
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Optical EchoProbe 413光學(xué)反射探針Latest Optical Technique最新的光學(xué)技術(shù)Ideal solution for Wafer Backgrind and Etch Thickness Gauging on Si, GaAs or III-Vs, non-conducting materials like Glass, Tape硅片背面研磨蝕刻厚度測(cè)量最理想方案用于Si, GaAs或者III-Vs,非導(dǎo)電材料比如玻璃，膠帶 Optical EchoProbe Technology光學(xué)反射探針技術(shù)Low Coherence Interferometry (other than classical interferometry) is suitable for rough surfaces even in the case of speckle imaging. This makes it interesting for industrial use.低相干干擾量度法（不同于傳統(tǒng)的干擾量度法）適用于粗糙表面，甚至是斑點(diǎn)圖象。這另它適用于工業(yè)使用。Fiber-optic implementation of Michelson interferometer LS with low coherence light source 低凝聚光源的邁克...
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超聲清洗的物理機(jī)制主要是超聲空化，所以要達(dá)到良好的清洗效果必須選擇適當(dāng)?shù)穆晫W(xué)參數(shù)和清洗劑的物理化學(xué)性質(zhì)?！ ÷晱?qiáng)。聲強(qiáng)愈高，空化愈強(qiáng)烈。但聲強(qiáng)達(dá)到一定值后，空化趨于飽和。聲強(qiáng)過大會(huì)產(chǎn)生大量氣泡增加散射衰減，同時(shí)聲強(qiáng)增大會(huì)增加非線性衰減，而減弱遠(yuǎn)離聲源地方的清洗效果。 頻率。頻率越高空化閾愈高，也就是說要產(chǎn)生聲空化，頻率愈高，所需要的聲強(qiáng)愈大。例如在水中要產(chǎn)生空化，在400kHz時(shí)所需要的功率要比在10kHz時(shí)大10倍。一般采用的頻率范圍是20—40kHz。低頻空化強(qiáng)度高，適用于大清洗件表面及污物與清洗件表面結(jié)合強(qiáng)度高的場(chǎng)合，但不易穿透深孔和表面形狀復(fù)雜的部件，且噪聲大；較高頻率雖然空化強(qiáng)度較弱，但噪聲小，適用于較復(fù)雜表面形狀、狹縫及污物與清洗件表面結(jié)合力弱的清洗。聲場(chǎng)分布。穩(wěn)定的混響場(chǎng)對(duì)清洗有利，如果清洗槽中有駐波聲場(chǎng)，則因聲壓分布不均勻，清洗件得不到均勻的清洗。因此，在可能的條件下，槽的幾何形狀要選擇適合于建立混合聲場(chǎng)的形狀。除此以外，可以采用雙頻、多頻和掃頻工作方式以避免清洗“死區(qū)”?！ ∏逑匆旱臏囟?。溫度升高液體的表面張力系數(shù)和粘滯系數(shù)會(huì)下降，因而空化閾值下降，使空化易于產(chǎn)生；但由于溫升，蒸汽壓增大會(huì)降低空化強(qiáng)度。水的較佳溫度為60攝氏度，不同的清洗劑有不同的最佳溫度?！ ≌硿禂?shù)。粘滯系數(shù)大的液體難于產(chǎn)生空化，而且傳播損失也加大，不利于清洗?！ ≌羝麎?。蒸汽壓低，空化閾高...
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