掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要幾乎所有的直接晶圓鍵合都是在化學(xué)機(jī)械拋光的基板之間或在拋光基板頂部的薄膜之間進(jìn)行的。在晶圓鍵合中引入化學(xué)機(jī)械拋光將使大量材料適用于直接晶圓鍵合，這些材料在集成電路、集成光學(xué)、傳感器和執(zhí)行器以及微機(jī)電系統(tǒng)中已經(jīng)發(fā)現(xiàn)并將發(fā)現(xiàn)更多應(yīng)用。介紹化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP) 是一種經(jīng)常用于制造高質(zhì)量透鏡和反射鏡以及用于集成電路 (IC) 工藝的硅晶片制備的技術(shù)。自 1990 年代初以來(lái)，CMP 正成為現(xiàn)代亞微米 (0.35 |±m) 超大規(guī)模集成 (VLSI) 電路中層間電介質(zhì) (ILD) 平面化和/或金屬層平面化的關(guān)鍵工藝。DWB 中表面形態(tài)學(xué)的影響典型的 DWB 工藝包括三個(gè)步驟：晶圓清潔、室溫鍵合和退火。為了實(shí)現(xiàn)自發(fā)、無(wú)空隙的室溫鍵合，晶片表面應(yīng)該平坦、干凈且極其光滑。 CMP的表面平滑度工藝 CMP 與 DWB 的關(guān)系 ...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要通過(guò)離子注入在二氧化硅犧牲層中產(chǎn)生損傷，以提高二氧化硅在液相和氣相氫氟酸中的蝕刻速率。在蒸汽氫氟酸 (VHF) 中，注入和未注入二氧化硅之間的蝕刻速率比大于 150。這個(gè)特征對(duì)于大大減少微機(jī)電系統(tǒng)錨的底蝕很有意義?；趯?shí)驗(yàn)提取的未注入和注入二氧化硅的蝕刻速率，可以通過(guò)模擬來(lái)預(yù)測(cè)犧牲層的圖案化。介紹制造微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 的兩種主要方法是體微加工技術(shù)和表面微加工技術(shù)。在體微加工的情況下，可移動(dòng)結(jié)構(gòu)的制造是通過(guò)選擇性蝕刻掉結(jié)構(gòu)層下方的處理基板來(lái)實(shí)現(xiàn)的，而在表面微加工中，一系列薄膜沉積和選擇性蝕刻堆疊的特定層（稱(chēng)為犧牲層）導(dǎo)致最終所需的懸浮微結(jié)構(gòu)。 圖1 (a) 釋放懸臂梁示意圖，(b) 在錨墊下方蝕刻。底部蝕刻的寬度是釋放光束寬度的一半，(c) 結(jié)構(gòu)材料在預(yù)定犧牲層上的階梯覆蓋注入二氧化硅的 VHF 蝕刻 略 樣品制作 略文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言 半導(dǎo)體技術(shù)必須持續(xù)發(fā)展，以増 加IC性能與功能，同時(shí)減小芯片尺 寸，降低耗電量與成本?，F(xiàn)在發(fā)展出具創(chuàng)新性、小尺寸、成本效益 之三維導(dǎo)線(xiàn)互連技術(shù)，可滿(mǎn)足以上需求。其中，技術(shù)由于采取三維互連方法， 可加速晶片堆疊技術(shù)上之應(yīng)用，尤其在異質(zhì)元件整合上，具有重要地位。 封裝技術(shù)之演進(jìn) 晶圓級(jí)封裝(WLP)與三維技術(shù)(3 D Technology)是兩種截然不同之技術(shù), 絕不可相混淆。有許多三維工藝技術(shù) 被應(yīng)用于晶圓級(jí)封裝，但不可歸類(lèi)于晶圓級(jí)封裝。真正的電子封裝趨勢(shì)， 是由二維結(jié)構(gòu)(2D Configuration)進(jìn)展 到三維工藝技術(shù)(3D Process Technology),然后發(fā)展到三維集成電 路。系統(tǒng)級(jí)封裝 略發(fā)展三維整合技術(shù) 促使三維整合技術(shù)發(fā)展的首要驅(qū)動(dòng)力，主要是尺寸的縮小，也就是使 封裝體盡量縮小到最小體積。然而, 使用并列封裝(Side by Side)、封裝體 與封裝體之間的堆疊(Stacked Packages)和晶片堆疊(Stacked Die)等方 案，其導(dǎo)線(xiàn)連接長(zhǎng)度仍然太長(zhǎng)。因?qū)?線(xiàn)連接長(zhǎng)度太長(zhǎng)，則會(huì)導(dǎo)致訊號(hào)傳輸 速度變慢，以及増加電力消耗。發(fā)展硅導(dǎo)孔 &...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要污染的控制在微電子組件制造過(guò)程中，這是一項(xiàng)不容忽視的關(guān)鍵問(wèn)題。迄今半導(dǎo)體業(yè)界已投入許多心血,在減低制造環(huán)境中顆粒(Particle) 和殘留物(Residue)的數(shù)量，進(jìn)而防止 缺陷(Defect)產(chǎn)生和提高良率(Yield)。 除了致力于防止工藝中之污染物入侵 到電子組件外，清洗工藝仍然持續(xù)占據(jù)整個(gè)微電子制造過(guò)程之很大成分。 典型污染物及其影響 先進(jìn)構(gòu)裝清洗工藝要去除之典型 污染物，包括：表面氧化物、有機(jī)膜、 離子性污染物、錫鉛助熔劑殘留物、 光阻層、以及一般殘留物與微粒等。氧化物、有機(jī)膜和離子性污 染物 略錫鉛助熔劑(Solder Flux)之殘 留物 略濕式清洗和蝕刻之化學(xué)機(jī)制 清洗工藝是指選擇性地 (Selectively)去除不需要的材料，并且 盡可能不要損害到電子組件本身的材 料。蝕刻也可考慮為清洗工藝的一 種，其目的在選擇性移除不需要材 料，以形成一種預(yù)期需要的圖案，或 者制造一個(gè)功能組件。晶圓級(jí)構(gòu)裝之濕式清洗和蝕刻工藝 略結(jié)論 有關(guān)晶圓級(jí)構(gòu)裝之濕式工藝和設(shè) 備,在本文中已針對(duì):污染物種類(lèi)、清 洗...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料氮化鈦硬膜和蝕刻殘留物去除公開(kāi)了從 28/20nm 圖案晶片去除 PVD等的組合物、方法和系統(tǒng)。該組合物使用過(guò)氧化物作為氧化劑，在微堿性條件下去除 PVD，TiN 硬掩模。背景隨著尺寸越來(lái)越小，集成電路 (IC) 的可靠性越來(lái)越受到 IC 制造技術(shù)的關(guān)注。跟蹤互連故障機(jī)制對(duì)器件性能和可靠性的影響需要更多來(lái)自集成方案、互連材料和工藝。一種最佳的低 k 介電材料形成雙鑲嵌互連圖形需要其相關(guān)的沉積、圖形光刻、蝕刻和清洗?；ミB圖案晶圓制造的硬掩模方案方法是能夠以最嚴(yán)格的最佳尺寸控制將圖案轉(zhuǎn)移到底層。蝕刻工藝已經(jīng)開(kāi)發(fā)出組合物來(lái)從基板拉回或去除這些類(lèi)型的金屬硬掩模。以下專(zhuān)利具有代表性 略詳細(xì)說(shuō)明隨后的詳細(xì)描述僅提供優(yōu)選的示例性實(shí)施例，并不旨在限制本發(fā)明的范圍、適用性或配置。相反，優(yōu)選示例性實(shí)施例的隨后詳細(xì)描述將為本領(lǐng)域技術(shù)人員提供實(shí)現(xiàn)優(yōu)選示例性實(shí)施例的可行描述。 文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料通過(guò)增強(qiáng)微觀(guān)蝕刻劑濃度均勻性和減少氫氣泡粘附來(lái)形成亞微米級(jí)基本無(wú)缺陷硅結(jié)構(gòu)的方法。蝕刻劑混合物經(jīng)受超聲波的應(yīng)用。超聲波促進(jìn)在微觀(guān)水平上混合蝕刻劑混合物的空化，并且還有助于促進(jìn)氣泡脫離。將潤(rùn)濕劑添加到蝕刻劑混合物中以增強(qiáng)硅表面的親水性，從而減少氣泡粘附。還公開(kāi)了執(zhí)行形成硅結(jié)構(gòu)的方法的裝置。 隨著對(duì)更小硅器件的需求不斷增加，并且分辨率持續(xù)低于亞微米水平，對(duì)均勻和精確的微加工的需求也在增加。半導(dǎo)體器件和掃描探針顯微鏡中使用的微器件和微結(jié)構(gòu)需要光滑的 2Q 表面和亞微米級(jí)的精確蝕刻。此外，在微器件的形成過(guò)程中，需要無(wú)缺陷的表面將微加工零件粘合在一起。發(fā)明內(nèi)容這是一種在通過(guò)使含有潤(rùn)濕劑的濕蝕刻溶液經(jīng)受超聲波來(lái)蝕刻硅微結(jié)構(gòu)時(shí)提高蝕刻均勻性和圖案清晰度的方法。潤(rùn)濕劑使氣泡粘附最小化，而超聲波用于在微觀(guān)水平上混合溶液，以提高濃度的均勻性，并從待蝕刻的表面去除氣泡。還提供了一種進(jìn)行超聲波輔助濕蝕刻的裝置。 本方法的優(yōu)點(diǎn)和特征將從以下詳細(xì)說(shuō)明和圖示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的附圖中變得明顯。 文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 提出了一個(gè)完整的FinFET蝕刻模塊的工藝流程，作為實(shí)驗(yàn)，以確保目標(biāo)薄膜以適當(dāng)?shù)乃俣染鶆虻匚g刻。 提出的工藝流程是在RIT開(kāi)發(fā)的，旨在緊密復(fù)制了半導(dǎo)體行業(yè)使用的自對(duì)齊雙模式 (SADP)過(guò)程模塊，同時(shí)推進(jìn)了RIT目前的潔凈室設(shè)施能力。 圖形蝕刻研究的動(dòng)機(jī) 圖1.1:兩種類(lèi)型的MOSFET:平面FET(a)和FinFET(b) 圖形蝕刻研究的動(dòng)機(jī) 圖1.2:通過(guò)SADP簡(jiǎn)化FinFET的形成光刻、等離子體沉積與蝕刻理論 半導(dǎo)體技術(shù)是由生產(chǎn)更小的功能驅(qū)動(dòng)的。 減小源波長(zhǎng)是獲得更小特征的最簡(jiǎn)單的方法。 文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 提供了一種用于半導(dǎo)體晶片清潔操作的系統(tǒng)。清潔系統(tǒng)具有頂蓋和底蓋。頂蓋密封在晶片的頂面接觸環(huán)上，底蓋密封在晶片的底面接觸環(huán)上。晶片保持在頂蓋和底蓋之間。邊緣清潔輥用于清潔晶片的邊緣。驅(qū)動(dòng)輥被配置為旋轉(zhuǎn)晶片、頂蓋和底蓋。邊緣清潔輥以第一速度旋轉(zhuǎn)，驅(qū)動(dòng)輥以第二速度旋轉(zhuǎn)，以便于邊緣清潔輥對(duì)晶片的邊緣清潔。 邊緣排除 眾所周知，在半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中，需要清潔晶片，其中已經(jīng)執(zhí)行了在晶片的表面、邊緣、斜面和凹口上留下不需要的殘留物的制造操作。這種制造操作的示例包括等離子蝕刻（例如，鎢回蝕（WEB））和化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）。在 CMP 中，晶片被放置在支架中，支架將晶片表面推向滾動(dòng)傳送帶。該傳送帶使用由化學(xué)品和研磨材料組成的漿料進(jìn)行拋光。不幸的是，這個(gè)過(guò)程往往會(huì)在晶片的表面、邊緣、斜面和凹口處留下漿液顆粒和殘留物的堆積。如果留在晶圓上進(jìn)行后續(xù)制造操作，多余的殘留材料和顆?？赡軙?huì)導(dǎo)致，其中包括晶圓表面劃痕等缺陷以及金屬化特征之間的不適當(dāng)相互作用。在某些情況下，此類(lèi)缺陷可能會(huì)導(dǎo)致晶片上的器件無(wú)法運(yùn)行。為了避免丟棄具有無(wú)法操作的裝置的晶片的過(guò)度成本，因此有必要在留下不需要的殘留物的制造操作之后充分而有效地清潔晶片。文章全部...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要 本文提出了一種新的室溫濕化學(xué)數(shù)字蝕刻砷化鎵技術(shù)，該技術(shù)采用雙氧水和酸兩步蝕刻工藝， 第二步用一種不攻擊未氧化砷化鎵的酸除去氧化層。 這些步驟依次重復(fù)，直到得到所需的蝕刻深度。介紹 現(xiàn)代生長(zhǎng)技術(shù)如分子束和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積已經(jīng)證明了以原子層精度、可控物質(zhì)摩爾分?jǐn)?shù)和精確摻雜濃度來(lái)生長(zhǎng)半導(dǎo)體能力。 這種可控性使得材料結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)具有最佳的器件性能，這是由器件理論和建模決定的。 因?yàn)閿?shù)字蝕刻技術(shù)去掉了材料中的幾個(gè)原子層 ，這是一種可控的方式，可以為制造最佳器件提供蝕刻所需的材料。 一般來(lái)說(shuō)，數(shù)字蝕刻技術(shù)由兩步化學(xué)過(guò)程組成去除固定厚度的材料。 標(biāo)準(zhǔn)的111-V半導(dǎo)體濕化學(xué)蝕刻 通過(guò)氧化半導(dǎo)體表面和蝕刻產(chǎn)生氧化。由氧化暈劑和絡(luò)合(氧化蝕刻)劑組成的液體混合物中的半導(dǎo)體。 因此，氧化和蝕刻同時(shí)發(fā)生反映，導(dǎo)致蝕刻深度取決于半導(dǎo)體暴露在蝕刻劑中的時(shí)間。 數(shù)字腐蝕實(shí)驗(yàn) 介紹了幾種濕法化學(xué)數(shù)字蝕刻技術(shù)試圖確定一個(gè)能提供一致和可再生的效果是 蝕刻的一個(gè)重要步驟。 數(shù)字蝕刻實(shí)驗(yàn)結(jié)果 略 文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料摘要在過(guò)去的30年里，基于硅的電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。 然而，在過(guò)去的幾年里，改進(jìn)的速度已經(jīng)放緩，因?yàn)楣韫β蔒OSFET已經(jīng)逐漸接近它的理論界限。 在硅襯底上生長(zhǎng)的氮化鎵可以在電力管理市場(chǎng)的很大一部分取代硅。 介紹 這些大多數(shù)載波設(shè)備比它們的少數(shù)載波同行更快，更堅(jiān)固，有更高的電流增益。 因此，開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換成為商業(yè)現(xiàn)實(shí)。 早期臺(tái)式電腦的AC/DC開(kāi)關(guān)電源是功率的最早批量消費(fèi)者，其次是變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、熒光燈或DC/DC轉(zhuǎn)換器。 多年來(lái)，幾家制造商已經(jīng)開(kāi)發(fā)了許多代功率mosfet。 仍有改進(jìn)之處。 例如，超結(jié)器件和igbt已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了電導(dǎo)率的提高，超過(guò)了簡(jiǎn)單垂直多數(shù)載流子MOSFET的理論極限。 這些創(chuàng)新可能還會(huì)持續(xù)相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間，并且肯定能夠利用功率MOSFET的低成本結(jié)構(gòu)和受過(guò)良好教育的設(shè)計(jì)師基礎(chǔ)。GaN在電力電子領(lǐng)域的開(kāi)端 圖1:硅上的GaN器件有一個(gè)非常簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，類(lèi)似于橫向DMOS，可以在標(biāo)準(zhǔn)CMOS鑄造廠(chǎng)進(jìn)行處理 功率半導(dǎo)體 圖2:硅器件和氮化鎵器件在200V額定電壓下的尺寸比較 氮化鎵功率晶體管的新功能 圖3:Buck變換器效率vs電...
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