??????? RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗法是1965年由Kern和Puotinen?等人在N.J.Princeton的RCA實(shí)驗(yàn)室首創(chuàng)的，并由此而得名。RCA是一種典型的、至今仍為最普遍使用的濕式化學(xué)清洗法，該清洗法主要包括以下幾種清洗液。
? ????? （1）SPM：H2SO4?/H2O2?120～150℃?SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機(jī)物氧化生成CO?2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬，但是當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時(shí)會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去除。
? ????? （2）HF(DHF)：HF(DHF)?20～25℃?DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時(shí)DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，F(xiàn)e，Zn，Ni等金屬，DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時(shí)，在自然氧化膜被腐蝕掉時(shí)，硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。
? ????? （3）APM?(SC-1）：NH4OH/H2O2?/H2O?30～80℃?由于H2O2的作用，硅片表面有一層自然氧化膜(SiO2)，呈親水性，硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH?4OH腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達(dá)到去除粒子的目的。在?NH4OH腐蝕硅片表面的同時(shí)，H2O?2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。
? ????? （4）HPM?(SC-2)：HCl/H2O2/H2?O?65～85℃?用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下HPM就能除去Fe和Zn。
??????? 清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有機(jī)沾污，因?yàn)橛袡C(jī)物會(huì)遮蓋部分硅片表面，從而使氧化膜和與之相關(guān)的沾污難以去除；然后溶解氧化膜，因?yàn)檠趸瘜邮恰罢次巯葳濉?，也?huì)引入外延缺陷；最后再去除顆粒、金屬等沾污，同時(shí)使硅片表面鈍化。
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??? 全自動(dòng)RCA清洗機(jī)
? ? 1、設(shè)備用于硅片的RCA清洗
??? 2、清洗規(guī)格：2?inch,4?cassette/Batch,?25?Pcs/cassette；4?inch，2?cassette/?Batch，25?Pcs/cassette；
? ? 3、工藝說(shuō)明:機(jī)械手自動(dòng)方式實(shí)現(xiàn)放件，取件，槽體間傳送件。
? ? 4、設(shè)備形式:?室內(nèi)放置型。
? ? 5、腐蝕工藝自動(dòng)補(bǔ)藥液保證了工藝槽在運(yùn)行過(guò)程中濃度的穩(wěn)定性；
? ? 6、工藝參數(shù)（溫度，時(shí)間，DIW水清洗模式、時(shí)間可調(diào)）手動(dòng)由觸摸屏界面可設(shè)定；
? ? 7、機(jī)臺(tái)前方為清洗工作區(qū)域，機(jī)臺(tái)后上方為電器和氣路布置區(qū)域，后下方為液路布置區(qū)域。
? ? 8、藥液供給及補(bǔ)液方式:?分體式CDS自動(dòng)供液系統(tǒng)；
? ? 9、DI槽配有在線式水質(zhì)檢測(cè)裝置。

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