半導(dǎo)體材料

半導(dǎo)體材料是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一類固體材料。

發(fā)展

●?1833年，英國的法拉第（Michael Faraday）發(fā)現(xiàn)的其中一種半導(dǎo)體材料：硫化銀，因為它的電阻隨著溫度上升而降低。

●?1874年，德國的布勞恩（Ferdinand Braun），注意到硫化物的電導(dǎo)率與所加電壓的方向有關(guān)，這就是半導(dǎo)體的整流作用。

●?1947年12月23日，巴丁與布拉坦（Walter Brattain）進一步使用點接觸晶體管制作出一個語音放大器，晶體管正式發(fā)明。

●?1958年9月12日，德州的基爾比（Jack Kilby），細心地切了一塊鍺作為電阻，再用一塊pn接面做為電容，制造出一個震蕩器的電路。

●?1970年，超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功。

分類

以原料分為：

●?元素半導(dǎo)體材料：以單一元素組成的半導(dǎo)體，屬于這一材料的有硼、金剛石、鍺、硅、灰錫、銻、硒、碲等，其中以鍺、硅、錫研究較早，制備工藝相對成熟。

●?復(fù)合半導(dǎo)體材料：由兩種或兩種以上無機物化合成的半導(dǎo)體，種類繁多，已知的二元化合物就有數(shù)百種。

●?三五半導(dǎo)體：由Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb組成，比如砷化鎵（GaAs）；它們都具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)，在應(yīng)用方面僅次于Ge、Si。

●?二六半導(dǎo)體：Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光電材料；ZnS、CdTe、HgTe具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)。

●?四六半導(dǎo)體：SiC和Ge-Si合金都具有閃鋅礦的結(jié)構(gòu)。