半導(dǎo)體激光

半導(dǎo)體激光（Semiconductor laser）在1962年被成功激發(fā)，在1970年實現(xiàn)室溫下連續(xù)發(fā)射。后來經(jīng)過改良，開發(fā)出雙異質(zhì)接合型激光及條紋型構(gòu)造的激光二極管（Laser diode）等，廣泛使用于光纖通信、光盤、激光打印機、激光掃描器、激光指示器（激光筆），是目前生產(chǎn)量最大的激光器。

在基本構(gòu)造上，它屬于半導(dǎo)體的P-N接面，但激光二極管是以金屬包層從兩邊夾住發(fā)光層（活性層），是“雙異質(zhì)接合構(gòu)造”。而且在激光二極管中，將界面作為發(fā)射鏡（共振腔）使用。在使用材料方面，有鎵(Ga)、砷(As)、銦(In)、磷(P)等。此外在多重量子井型中，也使用Ga·Al·As等。

由于具有條狀結(jié)構(gòu)，即使是微小電流也會增加活性區(qū)域的居量反轉(zhuǎn)密度，優(yōu)點是激發(fā)容易呈現(xiàn)單一形式，而且，其壽命可達(dá)10~100萬小時。

激光二極體的優(yōu)點是效率高、體積小、重量輕且價格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%，P-N型也達(dá)到數(shù)%~25%，總而言之能量效率高是其最大特色。另外，它的連續(xù)輸出波長涵蓋了紅外到可見光范圍，而光脈沖輸出達(dá)50W（帶寬100ns）等級的產(chǎn)品也已商業(yè)化，作為激光雷達(dá)或激發(fā)光源可說是非常容易使用的激光的例子。