目前在半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中，普遍采用RCA清洗技術(shù)清洗拋光硅片，今天我們介紹一種溶浸式濕法化學(xué)清洗，串聯(lián)的SC1和兆聲去除顆粒，含O3的去離子水工藝形成均勻硅氧化膜，最后用IPA干燥。

IPA干燥是利用IPA的低表面張力和易揮發(fā)的特性，取代硅片表面的具有較高表面張力的水分，然后用熱N2吹干，達(dá)到徹底干燥硅片水膜的目的。

此種干燥工藝比傳統(tǒng)的離心式甩干法、真空干燥法、單純熱N2干燥法在降低金屬和顆粒站務(wù)的引入及干燥速度方面有較大的有事。但此工藝在有片盒干燥的過程中易產(chǎn)生邊緣目檢缺陷的缺點(diǎn)。針對這點(diǎn)，我們在生產(chǎn)中總結(jié)了一下經(jīng)驗，并通過控制將此缺陷降到可控范圍內(nèi)。

1、硅片進(jìn)入IPA干燥腔后，通過片盒支架的特殊設(shè)計，使拋光面自動與片盒脫離接觸。這樣IPA蒸氣可充分分布到拋光面表面，有利于均勻的干燥。

2、PFA片盒作為硅片的載體，由于材料微觀多孔的特性，經(jīng)過反復(fù)烘干，孔被放大，加上長時間的化學(xué)溶浸，少量化學(xué)物質(zhì)吸附在PFA的孔內(nèi)，烘干后易在硅片上行程邊緣缺陷，因此定期處理PFA片盒是很必要的。

作為濕制程設(shè)備專業(yè)制造商，華林科納（江蘇）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司對IPA干燥系統(tǒng)有豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗和產(chǎn)線使用驗證，為硅片的清洗、干燥提供有效的保障。

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