VDMOS生產(chǎn)工藝
基本結(jié)構(gòu)：
?n+襯底，漏極D
?n-外延層，漂移區(qū)
?p阱（又叫p基區(qū)或體區(qū)）
?n+源區(qū)，源極S
?多晶硅柵，柵氧層，柵極G
整個器件的構(gòu)成：
?前述結(jié)構(gòu)實際只是器件的一個元胞，整個器件實際是由很多這樣的元胞并聯(lián)而成的
?剖面圖
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立體圖：
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1、?原始硅片磨拋：原始硅片磨去40μm，拋光80μm
N+<100>535μm
2、清洗，并且用顯微鏡檢查表面
3、外延生長N-：
ρ=20~30Ω·cm,d=45μm
4、清洗
5、氧化：dox=6500±250?，800℃-1000℃-800℃
6、一次版
7、腐蝕，去膠，清洗腐蝕：溫度25℃
8、P+擴散預擴：R□=80～100Ω/□
?700℃-940℃-700℃
主擴：R□=150～180Ω/□
?800℃-1150℃-800℃
9、氧化
10、光刻：二次版反刻P+區(qū)，5000pm
11、腐蝕，(溫度25℃)t=8.1s
12、去膠清洗
13、柵氧化
?dox=1000-1100?
?作C-V檢查
?實測dox=1060-1050?
14、生長多晶硅7000?±200?
15、?清洗
16、三次版：光刻P-區(qū)（多晶硅）三次版留下柵和互連的多晶硅（使多晶硅成為p型）
17、腐蝕多晶硅（P-區(qū)），干腐：9'50''
18、漂柵氧，（注意不要過漂，留下50～100?）（P-區(qū)內(nèi)）
19、硼注入（帶膠）
?60Kev1.7×1014/cm2＜15μA
20、正面涂膠（5000pm）
21、背面腐蝕多晶硅（干法）和SiO2
?干腐4'38''漂2'
22、?去膠清洗
23、P-推進
?dox=1000?800-1150-800℃
23、?漂SiO2,擴磷(N+),同時形成溝道,R□=6～7Ω/□,Xjn=1.1μ,Xjp=5μ,R□poly-Si≤30Ω/□
24、?漂磷硅玻璃（PSiO2）（去離子水HF）
26、氧化950℃
?5'干氧+20'濕氧+5'干氧
?dox=2100?
28、刻邊緣多晶硅（即刻場限制環(huán)上的多晶硅）5000pm
?接觸環(huán)上dox＞1000?合格
29、?腐蝕（先濕腐多晶硅上的SiO2）6'45'‘
30、去膠清洗3-3-1-2
?爐口烘800℃20'N2
31、光刻孔（源，柵）（刻引線孔）5000pm
32、蒸鋁：2.2μm
33、反刻Al5000rpm（刻電極）
34、合金
35、涂聚酰氬胺,氬胺化
36、背面金屬化：釩360?，鎳8000?，金1000?
37、測試
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