制備絨面的目的：
?減少光的反射率，提高短路電流，以致提高光電轉(zhuǎn)換效率
?陷光原理
?當(dāng)光入射到一定角度的斜面，光會(huì)反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，從而增加吸收率。
單晶制絨：
單晶制絨流程：預(yù)清洗+制絨
預(yù)清洗目的：通過預(yù)清洗去除硅片表面臟污，以及部分損傷層。
?
單晶制絨：
預(yù)清洗方法：
1、10%NaOH，78oC，50sec；
2、①1000gNaOH，65-70oC(超聲)，3min；②1000g
Na2SiO3+4LIPA，65oC，2min。
2NaOH+Si+H2O=Na2SiO3+2H2
SiO32-+3H2O=H4SiO4+2OH-
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預(yù)清洗原理：
1、10%NaOH，78oC，50sec；
利用濃堿液在高溫下對硅片進(jìn)行快速腐蝕。損傷層存在時(shí)，采用上述工藝，硅片腐蝕速率可達(dá)5μm/min；損傷去除完全后，硅片腐蝕速率約為1.2μm/min。經(jīng)腐蝕，硅片表面臟污及表面顆粒脫離硅片表面進(jìn)入溶液，從而完成硅片的表面清洗。經(jīng)50sec腐蝕處理，硅片單面減薄量約3μm。采用上述配比，不考慮損傷層影響，硅片不同晶面的腐蝕速率比為:(110):(100):(111)=25：15：1，硅片不會(huì)因各向異性產(chǎn)生預(yù)出絨，從而獲得理想的預(yù)清洗結(jié)果。缺點(diǎn)：油污片處理困難，清洗后表面殘留物去除困難。
預(yù)清洗原理：
2、①1000gNaOH，65-70oC(超聲)，3min；②1000gNa2SiO3+4LIPA，65oC，2min。
①利用NaOH腐蝕配合超聲對硅片表面顆粒進(jìn)行去除；
②通過SiO32-水解生成的H4SiO4(原硅酸)，以及IPA對硅片表面有機(jī)物進(jìn)行去除。
單晶絨面：
?
絨面一般要求：制絨后，硅片表面無明顯色差；絨面小而均勻。
制絨原理：
簡言之，即利用硅在低濃度堿液中的各向異性腐蝕，即硅在(110)及(100)晶面的腐蝕速率遠(yuǎn)大于(111)晶面的腐蝕速率。經(jīng)一定時(shí)間腐蝕后，在(100)單晶硅片表面留下四個(gè)由(111)面組成的金字塔，即上圖所示金字塔。根據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道，在較低濃度下，硅片腐蝕速率差異最大可達(dá)V(110)：V(100)：V(111)=400：200：1。盡管NaOH(KOH)，Na2SiO3，IPA(或乙醇)混合體系制絨在工業(yè)中的應(yīng)用已有近二十年，但制絨過程中各向異性腐蝕以及絨面形成機(jī)理解釋仍存爭議，本文將列出部分機(jī)理解釋。
各向異性腐蝕機(jī)理：
1967年，F(xiàn)inne和Klein第一次提出了由OH-，H2O與硅反應(yīng)的各向異性反應(yīng)過程的氧化還原方程式：Si+2OH-+4H2O→Si(OH)62-+2H2；1973年，Price提出硅的不同晶面的懸掛鍵密度可能在各項(xiàng)異性腐蝕中起主要作用；1975年，Kendall提出濕法腐蝕過程中，（111）較（100）面易生長鈍化層；1985年，Palik提出硅的各向異性腐蝕與各晶面的激
活能和背鍵結(jié)構(gòu)兩種因素相關(guān)，并提出SiO2（OH）22-是基本的反應(yīng)產(chǎn)物；
各向異性腐蝕機(jī)理：
1990年，Seidel提出了目前最具說服力的電化學(xué)模型，模型認(rèn)為各向異性腐蝕是由硅表面的懸掛鍵密度和背鍵結(jié)構(gòu)，能級不同而引起的；1991年，Glembocki和Palik考慮水和作用提出了水和模型，即各向異性腐蝕由腐蝕劑中自由水和OH-同時(shí)參與反應(yīng)；最近，Elwenspolk等人試著用晶體生長理論來解釋單晶硅的各向異性腐蝕，即不同晶向上的結(jié)位(kinksites)數(shù)目不同；另一種晶體學(xué)理論則認(rèn)為(111)面屬于光滑表面，(100)面屬于粗糙表面。
各向異性腐蝕機(jī)理：
Seidel電化學(xué)模型：
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絨面形成機(jī)理：
A、金字塔從硅片缺陷處產(chǎn)生；
B、缺陷和表面沾污造成金字塔形成；
C、化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的硅水合物不易溶解，從而導(dǎo)致金字塔形成；
D、異丙醇和硅酸鈉是產(chǎn)生金字塔的原因。硅對堿的擇優(yōu)腐蝕是金字塔形成的本質(zhì)，缺陷、沾污、異丙醇及硅酸鈉含量會(huì)影響金字塔的連續(xù)性及金字塔大小。
絨面形成最終取決于兩個(gè)因素：腐蝕速率及各向異性腐蝕速率快慢影響因子：
1、腐蝕液流至被腐蝕物表面的移動(dòng)速率；
2、腐蝕液與被腐蝕物表面產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)速率；
3、生成物從被腐蝕物表面離開的速率。
具體影響因子：
NaOH濃度
溶液溫度
異丙醇濃度
制絨時(shí)間
硅酸鈉含量
槽體密封程度、異丙醇揮發(fā)
攪拌及鼓泡
NaOH濃度對絨面形貌影響：
NaOH對硅片反應(yīng)速率有重要影響。制絨過程中，由于所用NaOH濃度均為低堿濃度，隨NaOH濃度升高，硅片腐蝕速率相對上升。與此同時(shí)，隨NaOH濃度改變，硅片腐蝕各向異性因子也發(fā)生改變，因此，NaOH濃度對金字塔的角錐度也有重要影響。
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0.5%1.5%5.5%
NaOH濃度對絨面反射率影響：
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溫度影響：
溫度過高，IPA揮發(fā)加劇，晶面擇優(yōu)性下降，絨面連續(xù)性降低；同時(shí)腐蝕速率過快，控制困難；溫度過低，腐蝕速率過慢，制絨周期延長；制絨溫度范圍：75-90oC。
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IPA影響：
1、降低硅片表面張力，減少氣泡在硅片表面的粘附，使金字塔更加均勻一致；
2、氣泡直徑、密度對絨面結(jié)構(gòu)及腐蝕速率有重要影響。氣泡大小及在硅片表面的停留時(shí)間，與溶液粘度、表面張力有關(guān)，所以需要異丙醇來調(diào)節(jié)溶液粘滯特性。
IPA影響：
除改善消泡及溶液粘度外，也有報(bào)道指出IPA將與腐蝕下的硅生成絡(luò)合物而溶于溶液。
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時(shí)間影響：
制絨包括金字塔的行核及長大過程，因此制絨時(shí)間對絨面的形貌及硅片腐蝕量均有重要影響。
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時(shí)間影響：
經(jīng)去除損傷層，硅片表面留下了許多淺的準(zhǔn)方形腐蝕坑。1分鐘后，金字塔如雨后春筍，零星的冒出了頭；5分鐘后，硅片表面基本被小金字塔覆蓋，少數(shù)已開始長大。我們稱絨面形成初期的這種變化為金字塔“成核”。10分鐘后，密布的金字塔絨面已經(jīng)形成，只是大小不均勻，反射率也降到了比較低的水平。隨時(shí)間延長，金字塔向外擴(kuò)張兼并，體積逐漸膨脹，尺寸趨于均勻。隨制絨時(shí)間進(jìn)一步延長，絨面結(jié)構(gòu)均勻性反而下降，如圖e，f所示。
時(shí)間影響：
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硅酸鈉含量影響：
硅酸鈉具體含量測量是沒必要的，只要判定它的含量是否過量即可。實(shí)驗(yàn)用濃鹽酸滴定，若滴定一段時(shí)間后出現(xiàn)少量絮狀物，說明硅酸鈉含量適中；若滴定開始就出現(xiàn)一團(tuán)膠狀固體且隨滴定的進(jìn)行變多，說明硅酸鈉過量。相對而言，制絨過程中，硅酸鈉含量具有很寬的窗口。實(shí)驗(yàn)證實(shí)，初拋液硅酸鈉含量不超過30wt%，制絨液硅酸鈉含量不超過15wt%，均能獲得效果良好的絨面。盡管如此，含量上限的確定需根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)確認(rèn)。
槽體密封程度、異丙醇揮發(fā)：
槽體密封程度，異丙醇揮發(fā)對制絨槽內(nèi)的溶液成分及溫度分布有重要影響。制絨槽密封程度差，導(dǎo)致溶液揮發(fā)加劇，溶液液位的及時(shí)恢復(fù)非常必要，否則制絨液濃度將會(huì)偏離實(shí)際設(shè)定值。異丙醇的揮發(fā)增加化學(xué)藥品消耗量增加的同時(shí)，絨面顯微結(jié)構(gòu)也將因異丙醇含量改變發(fā)生相應(yīng)變化。
攪拌及鼓泡：
攪拌及鼓泡有利于提高溶液均勻度，制絨過程中附加攪拌及鼓泡，硅片表面的氣泡能得到很好的脫附，制絨后的硅片表面顯微結(jié)構(gòu)表現(xiàn)為絨面連續(xù)，金字塔大小均勻。但攪拌及鼓泡會(huì)略加劇溶液的揮發(fā)，制絨過程硅片的腐蝕速率也略為加快。
多晶制絨工藝：
由于多晶硅片由大小不一的多個(gè)晶粒組成，多晶面的共同存在導(dǎo)致多晶制絨不能采用單晶的各向異性堿腐蝕(OrientationDependentEtching)方法完成。已有研究的多晶制絨工藝：高濃度酸制絨；機(jī)械研磨；噴砂，線切；激光刻槽；金屬催化多孔硅；等離子刻蝕等。
綜合成本及最終效果，當(dāng)前工業(yè)中主要使用的多晶制絨方法為高濃度酸制絨。
多晶制絨工藝：
線上工藝：
均為HNO3，HF，DIWater混合體系。常用的兩個(gè)溶液配比大致如下：
HNO3：HF：DIWater=3：1：2.7；
HNO3：HF：DIWater=1：2.7：2
制絨溫度6-10℃，制絨時(shí)間120-300sec。
反應(yīng)方程式：
HNO3+Si=SiO2+NOx+H2O
SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O
多晶制絨工藝：
制絨原理：
HNO3：HF：DIWater=3：1：2.7
該配比制絨液與位錯(cuò)腐蝕Dash液的配比基本一致，反應(yīng)原理也一致，即利用硅片在缺陷或損傷區(qū)更快的腐蝕速率來形成局部凹坑。同時(shí)，低溫反應(yīng)氣泡的吸附也是絨面形成的關(guān)鍵點(diǎn)。由于Dash溶液進(jìn)行缺陷顯示時(shí)，反應(yīng)速率很慢，因此，進(jìn)行多晶制絨時(shí)，需提高硅片的腐蝕速率(通常通過降低溶液配比中水的含量完成)。
多晶制絨工藝：
制絨原理：
HNO3：HF：DIWater=1：2.7：2
該配比制絨液利用硅片的染色腐蝕。染色腐蝕是指在電化學(xué)腐蝕過程中，硅片的反應(yīng)速率受硅片基體載流子濃度影響很大。載流子濃度差異導(dǎo)致硅片腐蝕速率產(chǎn)生差異，從而形成腐蝕坑，完成硅片的制絨。相比上一配比，該配比下硅片腐蝕速率非常快，對制絨過程中溫度要求進(jìn)一步提高。同時(shí)，在該工藝下，硅片表面顏色將變得較深。
多晶制絨工藝：
兩種工藝配比下的絨面照片：
配比1配比2
新型制絨工藝：
新型制絨工藝：
Rena浮法鏈?zhǔn)街平q（解決熱排放問題）；緩沖液調(diào)節(jié)制絨（控制自催化以及熱量生成問題）；放棄傳統(tǒng)制絨體系衍生的新制絨體系。
槽式多晶制絨：
槽式批量制絨方式比較適合單晶，但對多晶酸制絨，由于反應(yīng)過程放熱量很大，而多晶酸制絨又需要一個(gè)低的制絨溫度，因此對設(shè)備的冷卻系統(tǒng)以及溶液循環(huán)系統(tǒng)有很高的要求。
槽式多晶制絨：
設(shè)備改進(jìn)方向：
1、花籃齒間距盡量大，降低單批生產(chǎn)硅片數(shù)量；
2、大流量，強(qiáng)循環(huán)酸液致冷；
3、制絨過程中酸循環(huán)。
工藝改進(jìn)方向：
1、降低制絨過程熱積累；
2、防止硅片表面酸霧形成。
擬采取的實(shí)驗(yàn)方向：
添加緩沖劑進(jìn)行多晶制絨。
NaOH的作用：
中和殘余酸液：H++OH-=H2O
HCl+HF的作用：進(jìn)一步去除金屬離子，去除硅片表面氧化層，在硅片表面形成Si-H鈍化鍵。
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