一、主要生產(chǎn)設(shè)備
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二、工藝流程簡(jiǎn)述
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工藝說明：
①第一次焊接：焊料使用預(yù)成型焊片，不含助焊劑，芯片和DBC在真空狀態(tài)下行焊接；
②X-ray檢測(cè)空洞：使用X-ray檢測(cè)焊接空洞；
③等離子體清洗：使用Ar等離子體對(duì)芯片表面進(jìn)行清洗，以獲得清潔表面，增強(qiáng)后續(xù)綁線的可靠性；
④鋁線鍵合：對(duì)芯片進(jìn)行鋁絲綁線：
⑤第二次焊接：焊料使用預(yù)成型焊片，不含助焊劑：銅底板和DBC在真空狀態(tài)下進(jìn)行焊接；
⑥涂密封膠和灌注硅凝膠：通過密封膠、外殼、硅膠等將模塊密封起來。
IGBT的制造工藝：
IGBT的制程正面和標(biāo)準(zhǔn)BCD的LDMOS沒差，只是背面比較難搞：
1) 背面減薄：一般要求6~8mil，這個(gè)厚度很難磨了，容易碎片。
2) 背面注入：都磨到6~8mil了，還要打High current P+ implant >E14的dose，很容易碎片的，必須有專門的設(shè)備dedicate。甚至第四代有兩次Hi-current注入，更是挑戰(zhàn)極限了。
3) 背面清洗：這個(gè)一般的SEZ就可以。
4) 背面金屬化：這個(gè)只能用金屬蒸發(fā)工藝，Ti/Ni/Ag標(biāo)準(zhǔn)工藝。
5) 背面Alloy：主要考慮wafer太薄了，容易翹曲碎片。
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