??????日前，在Sematech表面預處理和清洗會議（SPCC, Austin, Texas）上，F(xiàn)SI International(Chaska, Minn.)公布了濕法清洗方法的新進展，可以在清洗碳化的光刻膠時保持超淺結(jié)（USJ）。
?????? 與瓦立安半導體設備公司（Varian Semiconductor Equipment）展開合作，兩家公司研究了等離子浸沒式離子注入摻雜（PLAD）、毫秒退火和全濕法光刻膠剝離技術(shù)，以從結(jié)區(qū)去除極少量摻雜的硅。清洗工藝將注入蒸汽引入了硫酸和雙氧水的混合液（SPM）中，從而把注入后晶圓光刻膠清洗的時間縮短到5分鐘。

????? ?FSI的首席技術(shù)官（CTO）Jeff Butterbaugh面對SPCC的100多名觀眾說，明年先進邏輯器件預期達到<100?的結(jié)注入深度。半導體國際線路圖（ITRS）也將從明年起計劃將每次清洗步驟地材料損失保持在0.3?，低于目前為止的廣泛接受的0.4?。
?????? 碳化已經(jīng)變成去除注入后光刻膠的最大清洗挑戰(zhàn)。無定形碳是“最困難的挑戰(zhàn)，”Butterbaugh說，并補充“任何正在開發(fā)注入后光刻膠去除工藝的人，都必須確保去掉光刻膠，尤其是在邊緣部分。你必須要移出所有的殘余光刻膠。”
?????? 去除碳化的光刻膠，使得FSI的化學家面臨提高SPM反應活性的任務。為了使藥液更易反應，F(xiàn)SI集中于研究出更激進的物質(zhì)來，Butterbaugh稱之為去除碳化光刻膠的中介物。
????? ?更高的溫度和更高的濃度下，激進分子擁有更高的氧化能力。FSI沒有采用熱水，那將會稀釋掉SPM；FSI的方法是在工藝腔體中引入蒸汽，來提高混合液的溫度，達到約260°C，接近沸點溫度。在晶圓的表面，溫度大約在200-220°C的范圍。
????? ?在工藝腔體中加入蒸汽，縮短了 注入后光刻膠去除所需要的時間。
????? ?“我們可以看到，在工藝中加入蒸汽后光刻膠剝離的能力有了顯著的提高?！彼f。
?????? Butterbaugh也是ITRS前道工藝委員會的聯(lián)合主席，他表示，等離子摻雜是實現(xiàn)超淺結(jié)的一個解決方案。到目前為止這是令人滿意的：注入和光刻膠剝離步驟后，摻雜劑會殘留在料想到的地方，片狀的光阻接近最優(yōu)化狀態(tài)。10?見方的區(qū)域的成像圖顯示，硅損失保持在2?以下。

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