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摘要

在這項(xiàng)研究中，干膜光刻膠使用 UV 光刻進(jìn)行圖案化，并優(yōu)化側(cè)壁輪廓以實(shí)現(xiàn)垂直側(cè)壁。干膜的側(cè)壁垂直度對(duì)于更好的圖案轉(zhuǎn)移非常重要。部分因子設(shè)計(jì) (FFD) 方法用于確定側(cè)壁優(yōu)化的重要變量。重要的因素是曝光能量。其他因素在改善側(cè)壁垂直度方面不顯著。側(cè)壁角度范圍從 64 ± 5° 到 86 ± 5°。發(fā)現(xiàn)側(cè)壁斜率隨著曝光能量的降低而增加。

光刻圖案化干膜的反應(yīng)離子蝕刻（RIE）在干膜掩模的制造中是必要的。使用 Ar 等離子體和 CF4-O2 等離子體進(jìn)行具有優(yōu)化側(cè)壁的干膜 RIE。全因子實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)用于確定影響過(guò)程的關(guān)鍵因素。氧氣流速和射頻功率是使用 CF4-O2 等離子體的干膜 RIE 的重要變量。蝕刻速率范圍從 ~150 nm/min 到 ~5000 nm/min。蝕刻速率隨著射頻功率和氧氣流速的增加而增加。發(fā)現(xiàn) RF 功率和時(shí)間對(duì) Ar 等離子體很重要。

制造的具有幾乎垂直側(cè)壁的干膜模具用于電鍍銅和 Ti 剝離應(yīng)用。使用部分因子設(shè)計(jì)優(yōu)化電鍍工藝。正如預(yù)期的那樣，發(fā)現(xiàn)電流密度和電鍍時(shí)間很重要。與較高的電流密度相比，較低的電流密度導(dǎo)致更光滑、細(xì)粒度的沉積物。然而，鍍液pH值對(duì)干膜的影響還有待研究。具有增加側(cè)壁斜率的干膜模具在電鍍銅和 Ti 剝離方面表現(xiàn)出更好的圖案轉(zhuǎn)移。

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介紹

光刻膠

光刻膠是一種用于微電子行業(yè)的感光材料，用于在基材表面形成圖案涂層。使用稱為光刻的工藝將圖案從光掩模轉(zhuǎn)移到晶片上。在此過(guò)程中，將光刻膠涂覆在晶片上并通過(guò)掩模曝光。在抗蝕劑的這些曝光區(qū)域中發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，然后很容易將其溶解在顯影劑溶液中?？刮g劑圖案取決于光掩模圖案和抗蝕劑的極性。正性光刻膠以這樣一種方式對(duì)光作出反應(yīng)，從而使曝光區(qū)域在顯影過(guò)程中更快地溶解。換句話說(shuō)，抗蝕劑的未曝光區(qū)域?qū)⒈３植蛔儭?/span>

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本文講述光阻的類型，干膜光刻膠，干膜電鍍工藝，干膜剝離工藝等問(wèn)題

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