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? ? ? ? 硅基電子元件的開發(fā)與生產(chǎn)要求材料在所有階段的化學(xué)表征，從原材料，最后是成品。分析工作包括測定兩者的體積濃度和空間分布雜質(zhì)和攙雜劑的厚度和成分的測定沉積在硅等上的薄膜?，F(xiàn)代要求的高可靠性半導(dǎo)體產(chǎn)品需要廣泛的控制程序。經(jīng)常必須測定極低濃度的雜質(zhì)。因此低檢測限和污染自由度是該標準的關(guān)鍵要求分析工作。需要和使用許多不同的分析技術(shù)。在這幾種核分析技術(shù)是很重要的。中子(NAA),帶電粒子活化分析(CPA)、核反應(yīng)分析

(NRA)、瞬變伽馬活化分析(PGAA)和盧瑟福后向散射光譜學(xué)(RBS)是最常用的方法。所涉及的分析問題是困難的和質(zhì)量要求高。常是非核的定量校準技術(shù)是很困難的。很少，如果有的話，參考資料是公正的分析方法的準確性存在控制。該局與國家標準局合作召開了會議這次顧問會議的目的如下。1.?概述分析化學(xué)的要求電子工業(yè)和所使用的分析技術(shù)。2.?探討核分析技術(shù)在這一領(lǐng)域的作用。3.討論國際組織質(zhì)量控制的必要性所用的分析方法。該報告包含三個報告討論分析的必要性硅電子化學(xué)，分析技術(shù)的應(yīng)用和分析標準，并對質(zhì)量需求的討論進行總結(jié)報告控制。對分析化學(xué)的需求硅電子科技。

摘要

? ? ? ? 對原材料質(zhì)量控制的分析和缺陷特性的廣泛需求討論了硅器件制造的材料、工藝和環(huán)境一般。重點是使核分析化學(xué)家熟悉電子工業(yè)在痕量表征方面存在的挑戰(zhàn)。繼續(xù)分析方法的發(fā)展，新認證的機會被引用標準參考資料，國際合作共同發(fā)展接受的分析方法。還提到了可能適合由國際原子能機構(gòu)發(fā)起的合作項目。

介紹

? ? ? ?微量元素分析和缺陷表征是傳統(tǒng)的科學(xué)在微電子工業(yè)中很重要。從早期的發(fā)展階段從目前的外延技術(shù)發(fā)展到器件制造的區(qū)域精煉硅生產(chǎn)結(jié)構(gòu)，原材料的特性，過程和完成器件對于超大規(guī)模集成(VLSI)技術(shù)的發(fā)展至關(guān)重要。例如，在生產(chǎn)過程中存在大量的質(zhì)量控制輸入需求，嚴格的質(zhì)量控制是為了盡量減少化學(xué)品加工過程中雜質(zhì)的負面影響，以及環(huán)境中的污染物。需要進行化學(xué)和物理分析在制造和制造設(shè)備生命周期的所有階段產(chǎn)品從開發(fā)到加速壽命測試以及隨后的失效現(xiàn)場操作。在開發(fā)階段，需要對特征進行選擇優(yōu)化材料，并建立規(guī)范。以確保選定的商業(yè)上可獲得的材料堅持既定的指導(dǎo)方針，補充分析在生產(chǎn)前已做好準備。保證原材料及加工適當質(zhì)量的試劑是事先選擇的，防止可預(yù)測的，在生產(chǎn)過程中不可接受的產(chǎn)品良率損失。此外,在線監(jiān)控化學(xué)密集型制造過程的敏感步驟潛在的經(jīng)濟災(zāi)難性過程中斷的實時警告有害雜質(zhì)和反應(yīng)副產(chǎn)品的積累硅器件制造的環(huán)境控制非常好在本報告中不討論。需要分析方法重點對原材料、試劑和過程化學(xué)品進行質(zhì)量控制。

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本文還講述了原材料，1C加工試劑和化學(xué)品，其他重要的特性描述需求等問題

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