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摘要 ?

? ? ? 在半導(dǎo)體制造業(yè)，大量(美國(guó)500億加侖) ?超純水(UPW)是用來沖洗的晶片經(jīng)過濕化學(xué)處理，去除表面的離子污染物。?偉大的關(guān)注的是污染物在狹窄的(幾十納米)，高縱橫比(5:1到20:1) ?特征(溝槽、通道和接觸孔)。?國(guó)際技術(shù)路線圖半導(dǎo)體(ITRS)規(guī)定離子污染水平要降到~以下 1010個(gè)原子/平方厘米。?了解漂洗過程中的瓶頸將使節(jié)約沖洗用水。在COMSOL平臺(tái)上開發(fā)了一個(gè)綜合的過程模型初步預(yù)測(cè)了帶圖案SiO2襯底上窄結(jié)構(gòu)的漂洗動(dòng)力學(xué)摘要選用清潔。?該模型考慮了各種質(zhì)量輸送的影響機(jī)制，包括對(duì)流和擴(kuò)散/擴(kuò)散，同時(shí)發(fā)生具有各種表面現(xiàn)象，如雜質(zhì)的吸附和解吸。體塊和表面帶電物種的影響，以及它們的感應(yīng)電影響運(yùn)輸和表面相互作用的領(lǐng)域，已經(jīng)被處理。?建模結(jié)果表明，脫附率對(duì)漂洗效果有很大影響吸附污染物，污染物的傳質(zhì)從特征口到體積液體，溝槽縱橫比。檢測(cè)沖洗終點(diǎn)是另一種節(jié)約用水的方法濕處理后漂洗。?電化學(xué)阻抗的適用性用光譜法(EIS)監(jiān)測(cè)含銅和不含銅HF處理的硅的漂洗情況探討了污染物。?在第一項(xiàng)研究中，影響表面狀態(tài)的性質(zhì)(研究了硅帶、耗盡或積累對(duì)洗滌速率的影響。?實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，硅的狀態(tài)直接影響漂洗動(dòng)力學(xué)離子吸附的調(diào)制。?在第二項(xiàng)研究中，硅被故意污染通過在HF中加入銅離子，在稀鹽酸中清洗，然后沖洗，整個(gè)接著進(jìn)行連續(xù)阻抗測(cè)量。測(cè)量阻抗不同階段的數(shù)值與硅表面的性質(zhì)相關(guān)，如用掃描電子顯微鏡(SEM)和電感耦合等離子體對(duì)其進(jìn)行了表征質(zhì)譜法(ICP-MS) 。

介紹 ?

? ? ? ?用于控制電子設(shè)備的集成電路(ICs)是由數(shù)十億個(gè)部件組成的 通過半導(dǎo)體使用不同材料的晶體管、電容器和絕緣體制造過程。?以降低單位成本，提高性能(速度)的集成電路，晶體管以及其他元件的尺寸減小到最大限度地增加每個(gè)IC的晶體管數(shù)量和每個(gè)晶圓的IC數(shù)量。?在1965年,戈登·摩爾曾預(yù)測(cè)，單片集成電路上的晶體管數(shù)量每增加一倍[1];?這就是所謂的摩爾定律。?1975年，摩爾對(duì)[2]進(jìn)行了修改翻倍的速度是每?jī)赡?，而不是每年?2015年6月，英特爾一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司中，陳述了微處理器采用英特爾14納米邏輯翅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)技術(shù)每個(gè)芯片[3]上有十億或更多的晶體管。?最小特征尺寸的縮放為極具挑戰(zhàn)性，需要材料和制造工藝的創(chuàng)新。其中一個(gè)關(guān)鍵問題是生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的污染， ?

這很容易降低產(chǎn)量。?例如，14納米的導(dǎo)電污染物可以短兩條金屬線在14納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)制造。 ?

本文還講述了流控制，沖洗水溫度，類型的晶片等問題

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