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摘要

? ? ? 一種以可控的成本效益和最小的化學(xué)消耗來(lái)細(xì)化硅片的方法。?將晶圓放入工藝室，隨后將臭氧氣體和HF蒸氣送入工藝室，與晶圓的硅表面發(fā)生反應(yīng)。?臭氧和HF蒸氣可以按順序輸送，也可以在進(jìn)入工藝室之前相互混合。

使硅變薄的方法-使用hf和臭氧的晶圓?

? ? ? 硅片薄化是半導(dǎo)體器件和微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)制造中的重要一步。?晶圓變薄是至關(guān)重要的，因?yàn)樗兄诜乐咕A在制造和使用過(guò)程中產(chǎn)生熱量，也使晶圓更容易處理和更便宜的包裝。?

發(fā)明的簡(jiǎn)要說(shuō)明

? ? ? ?本發(fā)明涉及一種使用臭氧和HF細(xì)化硅片的方法。?臭氧氧化晶圓表面的一層或多層硅，HF腐蝕掉氧化硅層，從而使晶圓變薄。

? ? ? 晶圓減薄過(guò)程是通過(guò)研磨和拋光操作(通常稱為“反研磨”)或使用含有強(qiáng)氧化劑(如硝酸(HNO3)和/或氫氟酸(HF))的溶液來(lái)完成的。?這兩種工藝也經(jīng)常結(jié)合在一起，因?yàn)闄C(jī)械磨削操作會(huì)在硅表面產(chǎn)生大量的應(yīng)力。這種應(yīng)力可以通過(guò)化學(xué)蝕刻來(lái)減輕，化學(xué)蝕刻可以去除應(yīng)力和損壞的層。?這個(gè)過(guò)程的化學(xué)反應(yīng)一般如下: ?

4HF + SiO2 -> SiF4 + 2H2O (dissolution of silicon dioxide)

Si + 2HNO3 -> SiO2+ 2NO2 (silicon oxidation)

? ? ? 除硅的形成機(jī)制是二氧化硅通過(guò)接觸氧化劑(硝酸),其次是與氟二氧化硅的反應(yīng)形成四氟化硅(SiF4),可溶解在水載體或進(jìn)化作為一種氣體。

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