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摘要

? ? ? 在未來幾代器件中，去除光刻膠和殘留物變得非常關(guān)鍵。在前端線（ FEOL）后離子注入（源極/漏極、擴展），使用PR來阻斷部分 電路導致PR基本上硬化并且難以去除。在后端線（BEOL）蝕刻中，除低k材料的情況下去除抗蝕劑和殘留物的選擇性非常具有挑戰(zhàn)性。

介紹

? ? ? 光致抗蝕劑用于保護晶片的某些區(qū)域免受干蝕刻化學物質(zhì)、離子注入等影響。工藝完成后，需要選擇性去除光刻膠并清潔表面，確保表面無殘留物和顆粒。使用濕化學物質(zhì)，如熱 SPM、有機溶劑或使用干等離子體“ 灰化”，原則上可以去除抗蝕劑。然而，抗蝕劑在干法蝕刻或注入處理期間被化學改性，并且適種改性可以顯著降低剝離速率。

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圖1所示? 當pet被光刻阻保護時(不按比例)，選擇性結(jié)植入到fet的示意圖 ?

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圖2? x.裸硅襯底上KrF抗蝕線的掃描電鏡顯微圖(左)和(右)As植入前(40kev, 3 × 1015 cm.2):抗蝕變薄，模糊，結(jié)痂。 ?

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?當前的方法 ?

? ? ? 為了達到足夠，從而達到可接受的低周期時間，以及良好的殘留去除，腐蝕等離子體str ip化學與晶片加熱結(jié)合使用。?這些典型的inyolye等離子體是基于高度氧化的自由基。?為了增強結(jié)殼帶，在等離子體中加入含f的物質(zhì)。?然而，這些傾向于攻擊暴露的氧化硅襯底。?為了解決這個問題，通常采用兩步工藝:含f的結(jié)殼帶和無f的散裝帶 。

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