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摘要
污染的控制在微電子組件制造過程中，這是一項不容忽視的關鍵問題。迄今半導體業(yè)界已投入許多心血,在減低制造環(huán)境中顆粒(Particle) 和殘留物(Residue)的數(shù)量，進而防止 缺陷(Defect)產生和提高良率(Yield)。 除了致力于防止工藝中之污染物入侵 到電子組件外，清洗工藝仍然持續(xù)占據(jù)整個微電子制造過程之很大成分。
典型污染物及其影響
? ? ? 先進構裝清洗工藝要去除之典型 污染物，包括：表面氧化物、有機膜、 離子性污染物、錫鉛助熔劑殘留物、 光阻層、以及一般殘留物與微粒等。
氧化物、有機膜和離子性污 染物?????略
錫鉛助熔劑(Solder Flux)之殘 留物????略
濕式清洗和蝕刻之化學機制
? ? ? 清洗工藝是指選擇性地 (Selectively)去除不需要的材料，并且 盡可能不要損害到電子組件本身的材 料。蝕刻也可考慮為清洗工藝的一 種，其目的在選擇性移除不需要材 料，以形成一種預期需要的圖案，或 者制造一個功能組件。
晶圓級構裝之濕式清洗和蝕刻工藝? 略
結論
? ? ? 有關晶圓級構裝之濕式工藝和設 備,在本文中已針對:污染物種類、清 洗和蝕刻之化學機制、以及重要濕式 工藝和設備，作了詳細分析與整理。???略
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