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摘要

制備了 53 種已使用或可能可用于制造微機電系統(tǒng)和集成電路的材料樣品：具有兩種摻雜水平的單晶硅、具有兩種摻雜水平的多晶硅、多晶鍺、多晶 SiGe、石墨、熔融石英，Pyrex 7740，二氧化硅的其他九種制劑，氮化硅的四種制劑，藍寶石，氧化鋁的兩種制劑。

簡介

HEN 在設計微加工工藝時，必須知道要蝕刻的每種材料的蝕刻速率。例如掩蔽膜和底層，使得可以選擇蝕刻工藝以獲得良好的選擇性（目標材料的蝕刻速率與其他材料的蝕刻速率的高比率）。

蝕刻速率?略

濕蝕刻???略

干蝕刻????

磷： 磷酸（按重量計 85%），160。它是為數(shù)不多的氮化硅濕法蝕刻之一。因為它會蝕刻光刻膠，所以必須使用另一種掩蔽材料，例如氧化物。這里報告的化學計量和富含硅的 LPCVD 氮化硅的蝕刻速率比之前報告的要快 。蝕刻速率對溫度非常敏感，這個浴槽可能要高幾度。還發(fā)現(xiàn)熱磷酸能快速蝕刻鋁。??略

蝕刻速率變化

蝕刻速率變化的許多原因在前面已經(jīng)列舉過。其中最重要的一項是材料的特性，這是生產(chǎn)方法和后續(xù)加工（例如退火）的結果。通過檢查表 III 可以看出這一點：主要是二氧化硅的材料在 5:1 BHF 和其他蝕刻劑中的蝕刻速率差異很大。

結論

表中的數(shù)據(jù)顯示了對大多數(shù)材料有用的蝕刻劑，并指出了材料在哪種蝕刻劑中可以存活。如果光刻膠不夠用，它們還可用于計算選擇掩膜層的選擇性。對于表面微加工，傳統(tǒng)的材料和蝕刻劑系統(tǒng)是多晶硅的結構材料，多晶硅的下層，基于二氧化硅、氮化硅或硅片的犧牲層，以及基于 HF 的蝕刻劑。

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