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摘要
?使用高腐蝕性化學(xué)品去除晶片表面上的納米顆粒會(huì)導(dǎo)致基板損失。這導(dǎo)致使用提供聲空化以去除小顆粒的兆聲波。兆聲波確實(shí)會(huì)產(chǎn)生氣泡空化，它對(duì)晶圓結(jié)構(gòu)施加機(jī)械力，劇烈空化如過(guò)境空化或微射流會(huì)損壞圖案結(jié)構(gòu)。本文提出了一種新的兆聲波技術(shù)，該技術(shù)提供了對(duì)氣泡空化的穩(wěn)定控制，在不同模式下不會(huì)損壞圖案。與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的雙流體噴嘴清潔技術(shù)相比，該技術(shù)顯示出更好的顆粒性能。這種及時(shí)通電氣泡振蕩模式提供穩(wěn)定的空化和寬功率窗口。它不同于傳統(tǒng)的兆聲波，后者在氣泡內(nèi)爆時(shí)會(huì)產(chǎn)生過(guò)境空化和損壞。這種新的兆聲波技術(shù)可用于清潔 28 納米及以下的“敏感”結(jié)構(gòu)，而不會(huì)損壞任何圖案。
關(guān)鍵詞： 無(wú)損傷清洗、穩(wěn)定的非暴力空化、顆粒去除、兆聲技術(shù)、單晶片清洗
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簡(jiǎn)介
隨著特征尺寸的縮小和電路結(jié)構(gòu)密度的增加，“致命缺陷”——可能導(dǎo)致芯片在良率測(cè)試中失敗的最小缺陷尺寸——會(huì)減少。從更小、更密集的芯片中去除隨機(jī)缺陷更加困難，尤其是當(dāng)缺陷尺寸小于晶圓表面所謂的“邊界層”的尺寸并且清潔效率下降到接近于零時(shí)。由于邊界層的厚度，使用兆聲清洗可以將較小的力傳遞給小顆粒。兆聲清洗中小顆粒的去除主要是由于氣體空化。聲致發(fā)光測(cè)量進(jìn)一步支持了這一結(jié)論 [3,4]。為了更好地去除顆粒，一項(xiàng)關(guān)于用兆聲波增強(qiáng)空化活性的研究發(fā)現(xiàn)，研究了最佳脈沖關(guān)閉時(shí)間對(duì)氣體濃度的依賴性，并確定了溶解氣體含量的最佳工藝范圍 脈沖高頻超聲和過(guò)飽和，脈沖條件的選擇受有效之間的權(quán)衡限制超聲處理時(shí)間和獲得足夠數(shù)量的活性氣泡的愿望。
實(shí)驗(yàn)性
測(cè)試是在配備 TEBO（及時(shí)激勵(lì)氣泡振蕩）兆聲波的 ACM 單晶片清潔工具上進(jìn)行的。該工藝使用 TEBO 兆聲波和功能水（含有溶解 H2 氣體的超稀氨水），而不是傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn) Clean 1 (SC1) 溶液，以去除細(xì)顆粒。圖 5 顯示了帶有 TEBO 兆聲波裝置的實(shí)驗(yàn)裝置。
結(jié)果與討論
不同 TEBO 模式在覆蓋晶片上的 PRE 測(cè)試結(jié)果如圖 7 所示
圖略
結(jié)論
本文提出了一種新的兆聲波技術(shù)，該技術(shù)提供了對(duì)氣泡空化的穩(wěn)定控制，在不同模式下不會(huì)損壞圖案。與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)流體噴嘴清潔技術(shù)相比，該技術(shù)顯示出更好的顆粒性能。這種 TEBO 模式提供穩(wěn)定的氣穴和寬功率窗口。它不同于傳統(tǒng)的兆聲波，后者在氣泡內(nèi)爆時(shí)會(huì)產(chǎn)生過(guò)境空化和損壞。這種及時(shí)通電的氣泡振蕩技術(shù)可用于清潔 28nm 及以下的“敏感”結(jié)構(gòu)，而不會(huì)損壞任何圖案。
?圖 1：簡(jiǎn)化模型 - 常規(guī)兆聲波清洗
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