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摘要

在硅晶片上制造集成電路涉及數(shù)百個單獨的工藝步驟。在處理的早期階段，在將摻雜劑引入 Si 之前，通常很少擔(dān)心 Si 從晶片表面通過氧化或蝕刻損失。與互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件的有源區(qū)的 <1 微米厚度相比，晶圓厚度通常 >600 微米，對于所有實際用途而言幾乎是無限的。在利用輕摻雜外延層來提高器件性能的晶圓上，該層的典型厚度也相對較大，為 5-10 mm。通常，仔細(xì)控制各種清潔和氧化步驟對表面粗糙度的影響。通過化學(xué)清洗對硅去除的常規(guī)監(jiān)測并未廣泛進(jìn)行。許多濕化學(xué)清洗方案用于制造，其中最流行的是由 Kern 在 1965.1,2 開發(fā)的 RCA 標(biāo)準(zhǔn)清潔 (SC1) 這種清潔的主要目的是去除晶片上的雜質(zhì)，例如顆粒和金屬表面。RCA clean 旨在通過兩個步驟完成此操作。

實驗條件和結(jié)果

通過晶片鍵合形成的市售 SOI 晶片用于這些實驗。這些晶片是通過所謂的 SmartCut 工藝生產(chǎn)的，其中在鍵合前適當(dāng)?shù)臍渥⑷胗兄谠谘趸?Si 襯底上形成薄 Si 膜。 5 起始晶片由 2000 ? 單晶 Si 膜組成由 4000 ? 的熱 SiO2 與體硅襯底隔開?；搴捅∧ぴ?(100) 平面上取向，名義上未摻雜，具有 14-22 W cm 的電阻率的輕度 p 型。SOI 薄膜在 1000°C 下通過幾次犧牲干氧化變薄，從最初的 2000 ? 厚度降至約 120 ?。在每個氧化步驟之后，使用光譜反射法和/或單波長橢圓偏振法繪制生長氧化物和剩余 Si 的厚度。

對于 Si 和氧化物厚度 >1000 ?，預(yù)測值和測量值之間的任何差異都在 2% 以下，在三層結(jié)構(gòu)的實驗精度范圍內(nèi)。（對于多層結(jié)構(gòu)，實驗不確定性大于單個薄膜。不僅所有薄膜的光學(xué)參數(shù) n 和 k 需要眾所周知，而且實驗擬合假設(shè)完全突然和光滑的界面。）因此，對于較厚的薄膜，很難測量由蝕刻引起的 Si 厚度的小損失。當(dāng)平均厚度為 120 埃的 Si 膜在 850°C 的干氧中進(jìn)行清潔和氧化以獲得 100 埃的襯墊氧化物時，很明顯發(fā)生了嚴(yán)重的 Si 損失。

1.?SOI 晶片的氧化率明顯高于體硅，這是由于缺陷或由于薄 Si 膜中的應(yīng)力；

2.?SC1 清潔過程消耗了 25-30 ? 的硅。

由于在熱氧化過程中 Si 填隙物被注入到 Si 中，我們一直在觀察是否有任何跡象表明掩埋氧化物（它可以是填隙物的屏障或匯）通過其對填隙物濃度的影響來影響氧化速率。在一系列氧化過程中，SOI 晶片上生長了高達(dá) 3000 ? 的氧化物，體硅監(jiān)控晶片和 SOI 晶片之間從來沒有任何可測量的差異。在 100 ? 的 Si 上生長 100 ? 的 SiO2 也導(dǎo)致了正確的 SiO2 厚度，但 Si 短缺 25-30 ?。如果增強的氧化是造成 Si 損失的原因，我們將獲得接近 160 ? 的 SiO2。

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SC1溶液

由氫氧化銨 (NH4OH)、過氧化氫 (H2O2) 和水組成。H2O2 的主要目的是氧化硅，然后在 NH4OH 的幫助下溶解氧化物。將 Si 浸入 SC1 會導(dǎo)致不超過 6 ? 的化學(xué)氧化層生長，此時達(dá)到穩(wěn)態(tài)條件，即 Si 的氧化速率和氧化物的溶解速率相等。 6,7 除非具體測量旨在檢測硅消耗量，通常不會觀察到硅的損失。有三種方法可以測量去除的 Si 量：

部分掩蔽表面的輪廓分析，4 (ii) 非常精確的晶圓稱重，8 和 (iii) 相對于明確定義的深度標(biāo)記的厚度測量。8 SOI 晶圓中的掩埋 Si/SiO2 界面提供了完美的標(biāo)記. 一個原子銳利的界面可以放置在離表面足夠近的位置，以便去除的厚度占總距離的很大一部分。

結(jié)論

SC1 清潔程序可去除有限量的硅。

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