掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料
摘要
? ? ? 隨著集成電路變得越來(lái)越復(fù)雜。每個(gè)芯片的輸入/輸出連接數(shù)在增長(zhǎng)傳統(tǒng)的引線鍵臺(tái)、引線框架、安裝技術(shù)已經(jīng)跟不上了。當(dāng)芯片封裝在一個(gè)擁有數(shù)百條引線的巨大器件中時(shí)；縮小芯片尺寸所節(jié)省的空間就會(huì)丟失。解決辦法是顛簸金、導(dǎo)電膠，但最重要的是焊料凸點(diǎn)。實(shí)際上，世界上每—家半導(dǎo)體制造商都在使用或計(jì)劃使用凸點(diǎn)技術(shù)來(lái)制造更大、更復(fù)雜的產(chǎn)品設(shè)備。
? ? ? 用于制造凸起晶片的幾種晶片凸起工藝。一些更流行的技術(shù)是蒸發(fā)、模板或絲網(wǎng)印刷、電鍍、化學(xué)鍍鐐、焊料噴射、柱形凸塊、貼花轉(zhuǎn)印、沖孔和沖模、焊料注入或擠出、粘性點(diǎn)處理和球放置。 ，
? ? ? 本文將討論使用這些技術(shù)來(lái)撞擊晶片的工藝步驟。關(guān)鍵清潔是這些過(guò)程的要求。需要去除的主要污染物是光刻膠和焊劑殘留物。去除這些污染物需 要濕法工藝，而濕法工藝不會(huì)
? ? ? 侵蝕、晶片金屬化或鈍化。研究的重點(diǎn)是滿足這一關(guān)鍵清潔要求的強(qiáng)化清潔解決方案。本文將介 紹定義從凸起晶片溶劑化和去除殘留物所需的時(shí)間、溫度、溶解能力和沖擊能量的工藝參數(shù)。
?
介紹
? ? ? 隨著技術(shù)的發(fā)展，將會(huì)有許多需要?jiǎng)?chuàng)新的挑戰(zhàn)，一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)將是關(guān)鍵的清潔。 為了更好地理解臨界清洗，本文將比較精密清洗和臨界清洗的流行定義：精密清洗:去除可檢測(cè)到的污染物，這些污染物包含已知會(huì)影響產(chǎn)品可靠性或性能的特定不良物理或化學(xué)特性。臨界清洗:去除可檢測(cè)的離子和非離子污染 物，其中物理或化學(xué)性質(zhì)阻止了后續(xù)組裝 制造過(guò)程的成功完成，或者無(wú)法符合特定的性能要求。
?
晶圓級(jí)封裝
? ? ? 凸塊直接應(yīng)用于芯片本身在切割晶片之前。這些過(guò)程產(chǎn)生芯片級(jí)封裝和倒裝芯片。芯片規(guī)模封裝是指封裝不大于芯片管芯的1.2倍。倒裝芯片是指將芯片面朝下安裝在電路板上的做法，而不是像傳統(tǒng)的引線框 架封裝那樣面朝上安裝。CSP的一個(gè)顯著特點(diǎn)是將集成電 路信號(hào)帶到芯片表面排列的焊盤(pán)上，而不是沿著邊緣排列 。然后使用各種技術(shù)之一施加焊料。然后焊料回流，使其與焊盤(pán)金屬結(jié)合，并形成均勻的球體或小球?；亓骱冈谔厥獾募t外線或熱氮回流焊爐中進(jìn)行。最后，整個(gè)晶圓在被切割成芯片之前被撞擊。
晶圓碰撞至關(guān)重要清潔要求
? ? ? 清洗起重要作用的是焊料凸點(diǎn),關(guān)鍵污染物是光刻膠和焊劑殘留物。一個(gè)關(guān)鍵的考慮是清洗溶劑與金屬化和鈍化層的兼容性 。行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求晶圓清潔度滿足以下標(biāo)準(zhǔn)：
? ? ? 在儲(chǔ)存過(guò)程中，可能不存在會(huì)導(dǎo)致點(diǎn)蝕或腐蝕的活性殘留物。
? ? ? 清潔化學(xué)品不得侵蝕金屬化層（即銅、鋁、鈣 、繰、金、銀、鈦、硅等）。
?
晶圓凸點(diǎn)清洗要求
? ? ? 晶圓凸塊制程污染物由遮蔽材料和助焊劑殘留物組成。用于去除光刻膠的化學(xué)剝離 劑不得侵蝕金屬化和鈍化層。由于這個(gè)問(wèn)題，清洗溶劑可能不同于前端半導(dǎo)體工藝步驟中用于去除光刻膠的剝離劑。焊劑殘留物的去除對(duì)于電子組件是眾所周知的。電氣裝配中使用的技術(shù)也可以在這些過(guò)程中采用。?????
?
液態(tài)光刻膠
? ? ? 液體抗蝕劑的去除取決于所使用的工藝步驟?；谌軇┑膭冸x劑在抗蝕劑用作掩模,并在回流之前去除的工藝中工作良好。如果抗蝕劑是硬烘焙的，溶劑基剝離劑可能 需要更多的活性成分。如果直到焊料凸塊回流后才去除抗蝕劑，則剝離劑配方可能需要更具侵蝕性的活化劑，該活化劑可以是水形式。
干膜光刻膠
? ? ? 干膜抗蝕劑的去除通常更加困難，?溶劑型脫漆劑在大多數(shù)情況下效果不好。 可能需要額外的成分或活化劑來(lái)分解聚合物。干膜抗蝕劑的另一個(gè)潛在問(wèn)題是起膜而不是溶解。當(dāng)薄膜從表面抬起時(shí)，殘留物會(huì)粘在晶片表面。當(dāng)抗蝕劑片被提起時(shí)，過(guò)濾器也會(huì)堵塞。
? ? ? ?先進(jìn)的清潔化學(xué)技術(shù)后端半導(dǎo)體處理需求 是由更高的輸入/輸出需求驅(qū)動(dòng)的。隨著 倒裝芯片技術(shù)需求的持續(xù)增長(zhǎng)，對(duì)凸起晶片的需求也在增長(zhǎng)。隨著碰撞技術(shù)的發(fā)展 ,對(duì)先進(jìn)清潔工藝的需求也將發(fā)展。后端 處理的清潔技術(shù)必須具有侵蝕性，以溶解污垢，但又不至于引起兼容性問(wèn)題。
?
結(jié)論
? ? ? 由于器件的精細(xì)幾何形狀以及制造過(guò)程中微粒和薄膜污染物對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品造成的災(zāi)難性影響,半導(dǎo)體工藝長(zhǎng)期 以來(lái)被歸類(lèi)為關(guān)鍵應(yīng)用。隨著電子封裝行業(yè)對(duì)生產(chǎn)更快 、更小和更輕的器件的需求增加，推動(dòng)行業(yè)不斷改進(jìn)和 創(chuàng)新封裝，以實(shí)現(xiàn)成本優(yōu)勢(shì)和卓越性能。集成電路的設(shè)計(jì)和制造一直是互連技術(shù)的原動(dòng)力，迫使人們尋求更小的導(dǎo)體寬度、更小的空間、更小的孔和焊盤(pán)尺寸、改進(jìn)的材料以及制造工藝的創(chuàng)新。這些新興技術(shù)將推動(dòng)對(duì)關(guān)鍵清潔要求的需求。這一要求將繼續(xù)推動(dòng)精密清潔配方領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展。
? ? ? 后端晶圓級(jí)封裝是倒裝芯片技術(shù)，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了幾種不同的技術(shù)來(lái)撞擊晶片。光致抗蝕劑通常用作掩模來(lái)暴露焊盤(pán)。焊劑用于在回流之前去除氧化物。兩種殘留物都必須去除。用于在前端工藝中去除光刻膠的技術(shù)可能不可行因?yàn)榧嫒菪詥?wèn)題。
? ? ? 清除助焊劑殘留物是電子裝配中常用的技術(shù)，可適用于該技術(shù)。清潔方法取決于碰撞過(guò)程和污染物。將根據(jù)工藝需要選擇半水、溶劑和水清洗技術(shù)。事實(shí)證明，所有這些清潔技術(shù)在這些獨(dú)特的應(yīng)用中都是穩(wěn)健有效的。
?
文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁