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引言

? ? ? 半導(dǎo)體器件的制造是從半導(dǎo)體器件開始廣泛銷往市場的半個世紀(jì) 前到現(xiàn)在為止與粒子等雜質(zhì)的戰(zhàn)斗。半個世紀(jì)初，人們已經(jīng)了解了什么樣的雜質(zhì)會給半導(dǎo)體器件帶來什么樣的壞影響。

? ? ? 作為半導(dǎo)體器件制造中的雜質(zhì)，大致可以分為粒子、殘渣、金屬 、有機(jī)物。粒子會妨礙布線圖案的正常形成，引起信號開路不 良和短路不良。另外，干蝕刻生成的聚合物生成物等殘渣，如 果沒有完全除去，同樣會引起信號開路不良、短路不良，還有配 線接觸電阻大導(dǎo)致的動作速度降低。關(guān)于金屬雜質(zhì)，雖然重金 屬、堿金屬等對半導(dǎo)體器件的影響有差異，但一般來說，在柵極氧化膜的耐壓惡化結(jié)方面 引起線接觸電阻大導(dǎo)致的動作速度降低、布線圖案破壞導(dǎo)致的 開路短路不良、布線接觸電阻大導(dǎo)致的動作速度降低。

? ? ? 通過與半導(dǎo)體器件制造相關(guān)人員的巨大努力，關(guān)于金屬雜質(zhì)和 有機(jī)物雜質(zhì)，通過藥液清洗解決的部分很多，現(xiàn)在作為一個大 問題還沒有被公開特寫。但是，關(guān)于粒子（含有的殘渣），即使 在現(xiàn)在也是使半導(dǎo)體設(shè)備的成品率下降的最大原因。

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實驗

? ? ? 半導(dǎo)體設(shè)備的制造是半個世紀(jì)前到現(xiàn)在與粒子的戰(zhàn)斗。坦然籠統(tǒng)地說是粒子，但其產(chǎn)生源卻是多方面的。關(guān) 于大氣中的塵埃，通過潔凈室建設(shè)、晶片搬運自動化、SMIF、 FOUP等局部搬運箱得到了大幅解決?，F(xiàn)在，粒子的主要產(chǎn)生源 被認(rèn)為是制造半導(dǎo)體設(shè)備的裝置。

? ? ? 關(guān)于晶片端面部的濕蝕刻，比較是比較新被關(guān)注并被釆用的技術(shù)。調(diào)查了半導(dǎo)體器件成品率下降的原因但是，膜從晶片端面部剝離出來的。很多膜種會被層積，特別是晶片端面部是膜應(yīng)該容易被釋放的場所，而且，各膜種類之間密合性不一定強(qiáng)的情況下，很容易膜被剝離。特別是在CMP工序后膜剝離容易發(fā)生事故。因此，作為對策，端面部的膜被剝離在剝落之前，要把膜除去。例如氧化膜系膜用氟化氫酸液蝕刻，Ti等金屬膜系膜用氫氟酸和硝酸的混合藥液等蝕刻

關(guān)于硅片的清洗方法

? ? ? 首先是粒子去除（清洗），通常使用化學(xué)溶液是氨和雙氧水的混合液。最近備受矚目的是臭氧水和氫氣水等功能水 是用清洗。由于APM等藥液的使用成本很髙， 以削減費用為目的，有些公司已經(jīng)開始釆用功能水 好像有很多。另外，還附帶藥液費用、排水,排氣等 從謀求減輕設(shè)備的生態(tài)觀點來看，今后也會更加受到關(guān)注 多使用含氫水溶液的混合液（簡稱SPM）。為了提高氧化效率，在60V以 上的高溫下使用。另外，具有僅次于氟的高氧化潛力的臭氧水（臭氧濃度 約lOppm, 25V以下）也從高性能和降低成本的觀點出發(fā)，似乎正在被廣 泛釆用。

表4 硅片清洗中使用的主要藥液

結(jié)論

? ? ? 簡單記述了晶圓的濕蝕刻法、清洗和清潔度。 在半導(dǎo)體器件制造中，從創(chuàng)立時期到現(xiàn)在，與粒 子等雜質(zhì)的斗爭在將來也不會改變吧。我們認(rèn) 為，與該粒子的戰(zhàn)斗中最重要的工序是清洗，今 后也會越來越受到重視。清洗技術(shù)如果每天不 進(jìn)步，有可能會受到某一天半導(dǎo)體設(shè)備因成品率 低下而無法制造的致命傷害。為了不出現(xiàn)這樣 的事態(tài)，我非常期待相關(guān)人員的活躍表現(xiàn)。