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引言
? ? ? MEMS (微機電系統(tǒng))和集成電路的一體化，正如通過電容型傳感器和靜電電容檢測電路的集成化來降低寄生電容和噪聲，實現噴墨打印頭和紅外線區(qū)域傳感器等大規(guī)模陣列一樣 這樣的集成化是構成MEMS核心的技術之一。由于使用多晶Si的表面微加工技術在控制應力時需要1100°C的高溫退火，因此一體化的LSI將采用老一代的設計規(guī)則和特殊材料。 但是，這樣的LSI不適合高速信號處理。對此，有人提出了分別準備用最尖端技術制造的LSI晶圓和MEMS晶圓，將兩者在晶圓級接合的方法。 這種集成化方法具有可以用最合適的工藝和材料分別制作MEMS和LSI的優(yōu)點。以上述集成化為代表，晶圓接合對于MEMS來說將成為越來越重要的技術。作為晶片接合方法，經常使用陽極接合和金屬膜間的擴散接合。 這些接合法需要光滑且正常的接合面，但由于MEMS的復雜化，粒子污染的可能性增加，同時也增加了清洗的難度。
? ? ? 在去除MEMS晶圓上的粒子時，與LSI制造工序相同，也利用了以過氧化氫（H2O2）為基礎的RCA清洗，但隨著應去除的粒子的細微化，RCA清洗的粒子去除率降低，另外，對于形成金屬電極的晶圓，腐蝕性RCA清洗的應用變得困難。
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實驗
? ? ? 作為清洗評價用的晶圓，使用切割鋸將厚度為380μm的（100）n型雙面拋光單晶Si晶圓切割成20mm見方后使用。利用激光散射式表面檢查裝置對清洗前后Si晶圓上附著的粒徑0.3μm以上的粒子數進行了評價。但是，由于WM―3能夠測量的晶圓尺寸為4英寸以上，因此在4英寸Si晶圓中心設置的20mm見方的沉孔中嵌入20mm見方晶圓，進行了測量。由于WM―3的分析功能無法僅測量20mm角部分的粒子數，因此我們用掃描儀讀取印刷的20mm粒子圖的邊緣部分以外的16mm角部分，通過對得到的圖像進行直方圖分析來估算粒子數。粒子圖的1像素尺寸為500μm角，16mm角的區(qū)域有1024個像素。當在一個像素中存在至少一個粒子時，該像素被打印為黑色。因此，像污染后那樣，在各像素區(qū)域有多個粒子的情況下，粒子數比像素數多，但是通過清洗大部分被除去，稀疏分布的情況下，粒子數與像素數基本相等。也就是說，后面定義的，從清洗前后的像素數算出的粒子去除率有比實際低的傾向。
? ? ? 損傷評價作為評價清洗工序伴隨的物理沖擊引起的損傷的模型，采用了MEMS最基本的結構，而且容易發(fā)生損傷的懸臂梁。 懸臂梁的尺寸為厚度1.3 μm、寬度5 m、長度23 μm或28 μm，厚度由SOI晶圓的元件層的厚度決定，寬度由能夠容易利用接觸光刻制作的最小尺寸決定，長度避免了與音速清洗機的超聲波振動的共振 長23 μm的懸臂梁結構如圖2所示。
? ? ? 在超聲波清洗或兆聲波清洗工藝中，在20 mm方形晶圓專用支架上安裝具有強制污染晶圓或微細懸臂梁結構的損傷評價用晶圓，用各清洗液清洗10分鐘后，進行了旋轉干燥。 在二流體噴霧清洗工藝中，將強制污染晶圓或損傷評價用晶圓真空吸附在旋轉機構上，一邊以2000 rpm的速度旋轉晶圓，一邊沿著晶圓擺動二流體噴霧噴嘴，從而向晶圓整個面噴霧清洗液60秒鐘，之后進行了旋轉干燥。 根據本研究使用的懸臂梁結構的尺寸，確認了不會發(fā)生因干燥時的毛細管力而引起的粘貼。
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結果和討論
? ? ? 圖4.超聲波清洗（100W），兆頻超聲波清洗（200-600W），雙流體表示經過噴霧清洗（0.1～0.5 MPa）后被破壞的懸臂梁結構的比例。洗液全部為DI水。低功率超聲波清洗完全沒有觀測到損傷，而兆頻超聲波清洗在500W以上的功率下觀察到了損傷的懸臂。由兆頻超聲波清洗引起的損傷集中在28μm長的梁結構上，而不是23μm長的梁結構上。作為其理由，除了梁長的一方容易受到振動的應力之外，還可以認為是兆頻超聲波的振動頻率與梁結構的固有振動共振，被強制振動破壞的可能性。
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圖4 伴隨物理清洗的損傷發(fā)生率
? ? ? 在DI水的雙流體噴霧清洗中，氮壓力在0.2 MPa以下時未見損傷，但在0.3 MPa以上時突然發(fā)生損傷。 關于雙流體噴霧清洗造成的損傷，雖然沒有發(fā)現兆頻超聲波清洗后出現的梁結構長度依賴性，但也觀察到了懸臂支撐部分的缺陷，如圖5所示。
圖6表示的是間歇式RCA-1清洗，以及以DI水/表面活性劑水/稀釋RCA-1液為清洗液的超聲波清洗的PRE。在間歇式浸漬RCA-1清洗和使用DI水的超聲波清洗中，被氧化鋁粉末強制污染的晶圓的PRE值較低，即使最好也只有30%。另一方面，將表面活性劑水作為清洗液進行超聲波清洗，得到了50%左右的PRE。雖然沒有發(fā)現超聲波清洗對模型微細結構的損傷，但50%左右的PRE作為晶圓接合前的清洗是不充分的，希望能有去除效果更高的清洗工藝。
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圖6 浸漬或超聲波清洗的顆粒去除率
? ? ? 添加表面活性劑的水和稀釋的RCA-1顯著提高顆粒去除率的原因如下。 溶液中對晶圓表面的粒子吸附機制，通過晶圓-粒子間的分子間相互作用（van der Waals力）和靜電相互作用（雙電層相互作用）進行了說明。在極性溶液中，粒子和晶圓的表面一般帶電，由于溶液中離子的存在，在帶電界面周圍形成雙電層。 當作為晶圓表面、粒子表面各雙電層的電位分布指標的ζ電位為同極性時，由于電排斥力，微粒子容易從晶圓表面脫離，也難以發(fā)生再附著。 另一方面，當晶圓表面、粒子表面的ζ電位為不同極性時，由于電吸力，微粒難以從晶圓表面脫離，脫離的粒子容易再附著，因此清洗困難。
在中性的DI水中，氧化鋁粒子的zeta電位為正，硅表面的zeta電位為負，因此使用DI水清洗的PRE較低，但通過使用表面活性劑，Si晶圓、氧化鋁微粒子的表面都被表面活性劑完全覆蓋，zeta電位被控制在同極性，通過電排斥力，粒子容易被除去。
? ? ? 20mm方晶圓的切面存在伴隨切割的粗糙和碎裂，在分批式清洗中，由此產生的顆粒會積聚在清洗液中，有不能提高清洗效果的危險。特別是兆頻超聲波清洗，極有可能在超聲波的物理力作用下，將切面粉碎，產生大量粒子。對切割切面進行氫氟酸―硝酸處理，使用切面平滑化的晶圓，以DI水為清洗液進行兆頻超聲波清洗的結果，與未進行相同處理的晶圓相比，PRE得到了改善（圖10）。 由此可知，在使用通過切割小片化的晶圓進行試制時，切面會成為發(fā)塵源。
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總結
? ? ? 作為制造MEMS的重要工藝，晶圓接合的關鍵是在不損壞微細MEMS結構的情況下去除亞微米以下粒子的技術。 特別是關于使用通過切割小片化的晶圓的MEMS試制中的粒子去除，由于無法對小片晶圓進行適當的粒子數評價，因此至今沒有進行定量研究。并且，對從切面產生灰塵這一小片試料所固有的課題也沒有進行充分的研究。
? ? ? 在本方法中，提出了附著在20mm角晶圓上的粒子的評價法，發(fā)現了即使是以前的浸入式RCA清洗和超聲波清洗不能充分去除的亞微米尺寸的粒子，也能在不對MEMS的微細結構造成損傷的情況下去除的清洗法。 具體來說，使用表面活性劑添加水和稀釋RCA―1，在適當的輸出功率（本方法為400W）下進行兆頻超聲波清洗時，以及在適當的氮壓（本方法為0.2 MPa）下在清洗液中使用DI水進行雙流體噴霧清洗時，可以得到約90%的PRE。 此時，20mm晶圓上的粒子實數從清洗前，即強制污染的數萬個左右急劇減少到清洗后的100個左右。另外，通過使用氫氟酸―硝酸對被切割的小片晶圓的切面進行蝕刻處理，也顯示了兆頻超聲波清洗的PRE得到了改善。
? ? ? 可以認為，本方法開發(fā)的清洗法不僅適用于晶圓接合工序前的精密清洗，還適用于廣泛的MEMS制造工序。研究表明，傳統(tǒng)的RCA清洗需要消耗大量的藥液和純水，通過并用適當的物理力，可以大幅減少純水和藥液的使用量，同時也能大幅減少清洗廢液的排放量，同時在不損傷MEMS微細結構的情況下，使晶圓表面變得比以往更清潔。