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引言

? ? ? 本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及(c)將氮化硅暴露于蝕刻物質(zhì)，以相對(duì)于襯底上的其他含硅材料選擇性地蝕刻氮化硅。硅源可以提供給襯底上游的等離子體。在一些實(shí)施例中，硅源被提供給遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器中的等離子體。替代地或附加地，硅源可以被提供給襯底和容納襯底的腔室的前端之間的等離子體。硅源可以在容納襯底的室的噴頭處或附近提供給等離子體。

? ? ? 硅源可以包括兩個(gè)或多個(gè)硅源。在各種實(shí)施例中，硅源是固體。硅源的例子包括含硅化合物，例如石英、硅、硅鍺、碳化硅和氧化硅。在一些實(shí)施例中，硅源是包括硅的適配器環(huán)。在一些實(shí)施例中，硅源是包括硅的氣體擴(kuò)散器。襯底可以容納在包括噴頭的腔室中，噴頭可以包括硅。在一些實(shí)施例中，硅源附著到等離子體發(fā)生器的壁上。

? ? ? 在各種實(shí)施例中，硅源是硅源，并且可以是含硅化合物。例如，進(jìn)入容納襯底的腔室的氣體總流量的至少約0.5%(體積)可以是硅源。流體硅源的例子包括硅烷、乙硅烷、四氟化硅、四氯硅烷、正硅酸乙酯和四甲基硅烷。

實(shí)驗(yàn)

? ? ? 進(jìn)行了一項(xiàng)實(shí)驗(yàn)，表明硅源的存在提高了氮化硅對(duì)氧化硅和多晶硅的蝕刻選擇性。測(cè)試了三個(gè)過(guò)程，每個(gè)過(guò)程在兩個(gè)不同的室環(huán)境中測(cè)試。一個(gè)腔室環(huán)境用于在沒(méi)有硅源的情況下進(jìn)行處理。另一個(gè)腔室環(huán)境用于執(zhí)行硅源工藝。進(jìn)行了比較使用和不使用硅源的李思-康氮化物對(duì)TEOS和多晶硅的蝕刻選擇性的實(shí)驗(yàn)。第一組試驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)在1.5托的壓力下進(jìn)行，電感耦合等離子體(ICP)設(shè)置在2000瓦的功率下。流動(dòng)NGO和O以促進(jìn)10℃的基座溫度下的蝕刻。

? ? ? 在第一組試驗(yàn)中，將包括通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)沉積的氮化硅層、正硅酸四乙酯(TEOS)和多晶硅的襯底暴露于四氟化碳(CFR)和氧與一氧化二氮(O/N；o)沒(méi)有硅源。第二組試驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)在至少1托的壓力下進(jìn)行，電感耦合等離子體功率約為1000瓦。對(duì)于蝕刻工藝，約10，000 sccm的非政府組織和氧一起流入腔室以促進(jìn)蝕刻。

? ? ? 在第二組試驗(yàn)中，將包括一層PECVD沉積的氮化硅、TEOS和多晶硅的襯底暴露于CFR和O/N；o在一個(gè)腔室中，10個(gè)固體硅片貼在線圈附近，靠著遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器的壁。

? ? ? 進(jìn)行了比較使用和不使用硅擴(kuò)散源的李思-康氮化物對(duì)TEOS和多晶硅的蝕刻選擇性的實(shí)驗(yàn)。進(jìn)行了第一組試驗(yàn)，確定了沒(méi)有硅源時(shí)氮化硅對(duì)TEOS的蝕刻選擇性。

圖1是描述根據(jù)公開(kāi)實(shí)施例的方法的操作的過(guò)程流程圖

結(jié)果和討論

? ? ? 盡管為了理解清楚的目的已經(jīng)對(duì)前述實(shí)施例進(jìn)行了一些詳細(xì)的描述，但是顯然在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)可以進(jìn)行某些改變和修改。應(yīng)該注意的是，存在許多實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例的過(guò)程、系統(tǒng)和裝置的替代方式。因此，本實(shí)施例被認(rèn)為是說(shuō)明性的而非限制性的，并且實(shí)施例不限于這里給出的細(xì)節(jié)。