掃碼添加微信，獲取更多半導體相關資料

本文涉及一種感光膜去除方法，通過使半導體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟； 將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟； 和RCA清洗步驟。

圖1是示出澆口蝕刻過程中過量生成的聚合物的圖。 圖2a內地圖2b為本發(fā)明澆口蝕刻后的感光膜去除方法的工藝剖面圖。 圖3是從設備方面說明本發(fā)明的感光膜去除方法的概要的圖，該方法將在Asher的工藝室內進行。

本發(fā)明涉及一種半導體元件的制造工藝，更詳細地說，涉及一種在澆口蝕刻后能夠順利地去除聚合物和感光膜的方法，在半導體制造過程中，每一步都必須寫照相工藝。 該照相工藝將感光劑均勻涂布在晶片上， 使用步進器等曝光設備， 是指將蒙版或復制品上的圖案縮小投影曝光后，經過顯影過程，形成所需二維圖案的感光膜的所有工序。 在照相過程中形成圖案后， 使用感光膜作為掩膜，實施蝕刻或離子注入工程等，之后實施去除不必要的感光膜的工程，稱為感光膜去除。 為了解決上述問題， 本發(fā)明的目的在于針對澆口蝕刻后生成的聚合物的特性，首先順暢地去除聚墨，從而提供一種能夠簡化感光膜去除工藝的感光膜去除方法。

為達到上述目的，本發(fā)明包括:在工藝室內晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟； 將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟； 提供一種澆口蝕刻后的感光膜去除方法，其特征是包括和RCA清洗步驟。 由此，圍繞感光膜的聚合物被順利去除，從而使隨后的感光膜去除工藝得以簡化。 在以下，使本發(fā)明參照所附圖紙進行詳細說明。 在形成了小晶的下部結構的硅基板的上部沉積了澆口氧化膜和澆口多晶硅后，利用照相工藝和蝕刻工藝形成澆口。

?

圖1

當形成如上所述的澆口蝕刻后，如圖1所都市化的那樣，Si/Carbon系列聚合物將在澆口多晶硅）和感光膜周圍過多形成。 后來，為了去除感光膜和澆口蝕刻過程中形成的聚合物，進行了感光膜去除工藝。

圖2a至圖2b為本發(fā)明澆口蝕刻后的感光膜去除方法的工藝剖面圖； 首先，在門式蝕刻工藝結束后，晶片將被移送到亞舍的工藝室內。 此時，晶片被四個升降引腳在抬起的狀態(tài)下移送。 然后， 在晶片安放在板上之前，即在被斜頂引腳抬起的情況下，進行CF4+O2等離子體處理。 這是因為在去除感光膜時，放置晶片板的溫度為250℃， 因為如果將晶片直接安放在板上，聚合物就會發(fā)生硬化，從而給以后去除聚合物帶來困難。

根據本發(fā)明的澆口蝕刻后的感光膜去除方法，可以在RCA清洗前順利去除澆口蝕刻過程中大量產生的聚合物。 只需1次RCA清潔就可以完全去除殘余聚合物。根據本發(fā)明，不僅可以簡化感光膜去除的工藝序列，而且可以縮短全工藝處理時間，此外， 根據本發(fā)明，可以防止清潔設備污染，因為聚合物殘留物無法完全去除感光膜而可能造成的污染，也可以防止聚合物殘留在晶片上。 此外， 根據本發(fā)明， 由于在RCA清潔時不需要使用化學滴管，因此可以減少化學物質絲的用量，從而達到降低成本和防止環(huán)境污染的效果。