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引言

? ? ? 用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物硅在HF-HClCl2混合物中的擴(kuò)散控制溶解過程通過改變流量形成各種形態(tài) 蝕刻混合物的速度[4，5]超聲波輔助導(dǎo)致蝕刻的高速運(yùn)動(dòng) 晶片表面的混合物

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參數(shù)影響

? ? ? 高濃度的高頻導(dǎo)致拋光晶片表面紋理化，大量的鹽酸氯氣濃度需要提高晶片表面和蝕刻率，超聲輔助表面的高流速有利于紋理化和增加蝕刻率超聲輔助導(dǎo)致溫度上升，因?yàn)槟芰枯斎敫?，溫度升高降低了氯氣在蝕刻混合物中的溶解度，降低了蝕刻率和反射率。?

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反射率測(cè)量

? ? ? 氯氣注入高頻-HCl溶液之前和蝕刻單晶硅片高蝕刻率高達(dá)0.45μmmin-1片分別浸入水平或25垂直蝕刻溶液超聲波場(chǎng)從底部或兩側(cè)蝕刻槽反射率下降到6.3%。超聲波場(chǎng)在撞擊固體物體時(shí)減弱，形態(tài)從晶圓邊緣到中間變化，因?yàn)橄噜従A的聲影在晶圓中間蝕刻多個(gè)晶片時(shí)反射率在薄片中惡化，之間距離較低，同時(shí)從底部用超聲波場(chǎng)水平蝕刻，效果最好。

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結(jié)果

? ? ? HF-HCl-Cl2溶液允許各向異性蝕刻過程，產(chǎn)生比氫氧化鉀標(biāo)準(zhǔn)紋理反射低的隨機(jī)倒金字塔，導(dǎo)致低反射值至6.3%的陰影效應(yīng)，導(dǎo)致晶圓邊緣到中間的形態(tài)變化，通過超聲輔助化學(xué)蝕刻(USACE)紋理單晶硅晶圓在在線蝕刻過程中似乎是最可行的。