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本文將對具有相同特性的晶片進行反復洗脫，用AFM測量了增加的LLS的結果，確定是晶片表面突出的橫梁狀缺陷，而不是pit或void。 因此，除了之前發(fā)現(xiàn)的oxide defect發(fā)生機制外，如果在硅晶片表面或bulk內(nèi)表面附近存在其他相（phase）的物質(zhì)（如氧析出物），則會影響oxide quality。被理解為可能發(fā)生。
圖4.4
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圖4.5
如圖4.4所示，對于Sample A，COP在晶片正面的晶片，通過SC-1重復洗脫，可以看出COP的數(shù)目增加，?在圖4.5中顯示，Sample B期望沒有COP，只有氧析出物存在的晶片反復清潔時，被認為是大于0.12 um size的COP的LLS增加，后來討論這個結果是一般所知道的可認為是重復洗井時COP的size增加或個數(shù)增加的部分，或AFM測量時得到的結果不同，在測量大于0.065 um size的LLS時，defect過多，因此將測量size調(diào)整為大于0.12 um。
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AFM分析與結果：每個sample的重復洗脫結果顯示所有晶片上size大于0.12 um的LLS呈逐漸增加的結果，為了確定不斷增加的LLS的真實morphology，我們將每個sample重復清洗了25次，以基準試樣Sample A為例，在重復洗脫前用SP-1 TBI用LLS測量發(fā)現(xiàn)的缺陷，經(jīng)AFM測量后確認為COP，結果如圖4.7所示，在經(jīng)過25個迭代洗凈后增加的LLS中，用AFM測量8個點的結果如圖4.8(a)所示，其中一個點的放大結果如圖(b)所示。 結果顯示了典型的COP形態(tài)。
在Sample B的準備和oxide defect實驗過程中，發(fā)現(xiàn)其對氧析出物的行為與delta oxygen、SP-1 TBI和oxide defect 3個結果一致，從晶片center到edge方向3~4cm處顯示了熱處理前后最嚴重的delta oxygen，這意味著該點處氧析出物的變化程度較嚴重，?SP-1 TBI和oxide defect結果也表明該點有許多缺陷的變化。
在SC-1中反復清潔晶片時，增加與COP相同的pit size，并蝕刻一定厚度的晶片； 以bulk內(nèi)八面體的void顯為表面，從而增加表面總COP個數(shù)為基礎，提出了sample A， 用AFM確定了B、C在SC-1上重復洗脫25次后各缺陷的微結構，所有sample中SP-1 TBI測量結果，證實微缺陷增加。
以Sample A為例，在反復洗脫前后證實有典型的COP形態(tài)出現(xiàn)，而Sample B則證實為突出到晶片表面的克羅弗形態(tài)異物。 Sample C被理解為小尺寸的pit，與典型的COP形狀不同。在許多現(xiàn)有的分析方法中，未發(fā)現(xiàn)COP，但在出現(xiàn)oxide defect的情況下，對晶片進行了反復清潔，用AFM分析了缺陷的形式。 結果表明缺陷形態(tài)呈小圓形，與典型的COP不同，因為COP在晶片中以典型的八面體void形式出現(xiàn)，而不管重復洗滌劑的回收情況如何，所以這意味著該晶片的缺陷不是由COP引起的。根據(jù)CZ硅晶體生長過程的條件，推測為殘馀點缺陷中硅vacancy濃度減小時產(chǎn)生的oxide particle。
這些結果表明了一種可能性，即oxide defect不是典型八面體的void COP中的受限表現(xiàn)形式，也可以在諸如oxide particle等微晶缺陷中被檢測出來； 在此期間，由oxide defect和FPD、LLS引起的缺陷相互之間不能建立正確的相關關系，給出一種解決方法。