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濕化學蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學蝕刻,這些表面紋理化方法是通過在氫氟酸-硝酸-H2O的酸性溶液中進行化學蝕刻來實現(xiàn)的。在這種解決方案中，我們可以通過簡單的工藝蝕刻多晶硅表面來降低反射光譜。在400 ~ 1100納米范圍內(nèi)，氫氧化鉀鋸損傷去除后的酸性化學腐蝕獲得了27.19%的反射率。這一結果比剛剛鋸下的損傷去除基底少約7%。用顯微鏡和掃描電鏡觀察表面形貌。

本實驗中使用的多晶硅晶片是boron摻雜的p-type，電阻為1約厘米，具有2 X 2例rf大小,基板在80℃的30%氫氧化鉀(KOH)溶液中冷卻7分鐘，去除Saw damage的基板浸泡在HF-HNO3-H20組成的水溶液(solvent)中冷卻。在同樣的條件下實施了,不同水溶液中硝酸的濃度不同，分別為S1、S2、S3。

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圖1

KOH saw damage的基板(圖1a)將乙浸泡在水溶液中，初期，針孔等窄寬度的微孔(pore)開始局部形成，隨著蝕刻時間的延長，這種微孔的數(shù)量逐漸增加，其寬度也擴大，如圖1b得到了同樣的基板。隨著蝕刻時間的持續(xù)，有時會形成新的微孔，隨著已形成的微孔的寬度頂點擴張，大多數(shù)微孔都被培養(yǎng)成了西，形成了一個新的微孔如圖1c,會凍結像這樣的表面的基底。 微孔的形態(tài)隨著蝕刻時間的變化而變化，但在放置相同的蝕刻時間時，隨著硝酸濃度的變化，也會變得越來越大。

如圖2是以蝕刻時間為15秒，分別從S1，S3水溶液中蝕刻的基板用玄宜景觀察的。 在S3水溶液中蝕刻15秒的基板的顯微鏡表面照片(× 1，000) 圖2b的SEM照片如圖1所示，硝酸的濃度越多，獲得具有良好反射率的效果的蝕刻時間就越少。但是，如果蝕刻速度過快，在蝕刻后需要去除的SiO2的移動在順式之間無法實現(xiàn)，從而使蝕刻表面變得粗糙，或者在基板上打孔，隨著硝酸濃度的提高，很難限制到被擊中的蝕刻速度。

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圖2

圖3顯示了去除KOH saw damage的基板與在400-1100nm波長區(qū)域測量的反射光譜的實測結果，與我的Saw damage基板的反射率在400-1100納米區(qū)域平均為34.25%相比，在S1水溶液中蝕刻55秒。

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圖3

這種反射率從在相同水溶液中蝕刻60秒的基材部開始再次升高，這是因為微孔的大小開始變得太寬，在S1的水溶液中，以冷卻55秒為條件進行工藝得到的多晶硅的織構化，在400~1100nm波長區(qū)域平均可以凍結27.19%的反射率，這個結果比簡單的KOH saw damage規(guī)則去除的基板低7%左右的反射率，如果以此為基礎進行雙步化學檢測，預計將獲得更低的反射率。此后，如果埃米特形成的基板上實現(xiàn)金屬工藝，就能在太陽能電池的低價化上做出巨大的貢獻。