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為了利用蝕刻技術(shù)實現(xiàn)更好的捕光效果，它分別考慮了短波長小結(jié)構(gòu)和長波長區(qū)域大結(jié)構(gòu)的散射效應，本研究綜述了反應機理、蝕刻速率、表面形貌以及玻璃類型的影響，討論了蝕刻劑的類型和硬掩模層。最后，描述了應用程序和結(jié)論。
對于玻璃的蝕刻，只使用氫氟酸或其他含高頻的水溶液，HF由腐蝕性氫離子（H+）和有毒氟化物（F-）組成，因此以兩種方式起作用，酸腐蝕了玻璃表面，從而使有毒的氟化物離子穿透玻璃，一旦進入玻璃中，氟化物離子就會與其他鈣相互結(jié)合，從而干擾玻璃中的其他化學成分。
只有在同時含有HF和濃縮硫酸的蝕刻劑中，蝕刻率高于HF/HCl或HF/HNO3蝕刻劑，這一效應描述了活性氟化HSO3F酸的形成。為了進一步詳細說明，緩沖酸蝕刻劑從鹽酸到硫酸的作用如表1所示。
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表1
在第一次反應中，較高濃度的HF產(chǎn)生副產(chǎn)物,然后在蝕刻過程中與硫酸進行第二次反應后，HF發(fā)生再生,高頻濃度隨著硫酸的變化而持續(xù)保持，然后隨著活化能的增加而持續(xù)保持。因此，硫酸的加入可以有效地提高蝕刻率和表面粗糙度。從表面的蝕刻過程來看，這些表面不如機械拋光的表面光滑，這意味著可以將地面表面轉(zhuǎn)化為光學透明的表面。
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圖2
如上所述，鹽酸與HF的蝕刻機理略有不同。隨著時間的推移，不溶性副產(chǎn)物的尺寸變大，并積累起來干擾玻璃上的蝕刻，然而，鹽酸在高頻-HCl混合溶液中釋放雜質(zhì)，由此可見，可以看到與隕石坑表面相似的形狀，如圖所示2 (b),在玻璃的蝕刻后，通過監(jiān)測凹入蝕刻區(qū)域的深度來測量玻璃的蝕刻速率,旋轉(zhuǎn)、攪拌或超聲波對蝕刻劑的輕微影響。
玻璃蝕刻過程不僅能去除表面產(chǎn)物，而且還能根據(jù)蝕刻溶液改變玻璃的表面形貌,當拋光后，表面有輕微的蝕刻表面粗糙度和邊緣狀的結(jié)構(gòu),實驗通過改變玻璃的類型來確定捕光結(jié)構(gòu)，如圖所示2。雖然使用相同的高頻溶液，但其表面性質(zhì)取決于玻璃的類型和與玻璃的化學成分有關(guān)。我們研究了三種眼鏡，如康寧鷹XG、汽石灰、超白，以了解玻璃的蝕刻，作為三種代表性的三種玻璃的化學成分、光學性質(zhì)和熱阻，二氧化硅占了總玻璃成分的50%以上，它包含在氧化鈣（氧化鈣）或二氧化鈉或氧化鋁中，因此，我們得出結(jié)論，氟產(chǎn)物在無掩蔽層的大裂紋形成中起著至關(guān)重要的作用。
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圖3
圖3表明，隨著刻蝕的過程，產(chǎn)物的生長增加，表面形態(tài)逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)檫吘?/span>，這個過程表明氟的尺寸增大了，基于上述事實，會根據(jù)玻璃的類型、蝕刻溶液的組成比、溫度和攪拌等來影響玻璃的紋理。根據(jù)不同玻璃類型研究蝕刻率，HF25%(DI：HF=體積比1：1)是固定的。雜質(zhì)含量低的二氧化硅基玻璃（融合天然二氧化硅）襯底的蝕刻速率降低，它含有較少的玻璃基板雜質(zhì)。到目前為止，我們已經(jīng)簡要地討論了使用濕式化學蝕刻劑的隨機蝕刻面，應該考慮諸如掩蔽材料、基底和掩蔽層之間的粘附性、掩蔽層的高度、圖案的大小、間距和形狀，以獲得優(yōu)化的捕光層結(jié)構(gòu)。
根據(jù)掩模模式變化得到的霧霾比值，以上的掩模圖案與長波長區(qū)域的平均霧霾比保持在50%或以上，但采用與圖中相同的結(jié)構(gòu)，霧霾比超過60%，這需要仔細檢查各種參數(shù)，如高度、間距和結(jié)構(gòu)的形狀。因此，降低在工作中使用的蝕刻劑的質(zhì)量和開發(fā)應用于太陽能電池裝置的方法是非常重要的，在這項工作中，用濕蝕刻代替干蝕刻，以減少不溶性產(chǎn)物，但由于濕蝕工藝簡單、成本效益高、表面結(jié)構(gòu)控制良好，該工藝的優(yōu)點仍優(yōu)于干蝕工藝，因此，我們將很想看看濕蝕刻玻璃將如何解決。