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本研究的目的是為高效半導(dǎo)體器件的制造提出高效的晶圓清洗方法，主要特點(diǎn)是清洗過程是在室溫和標(biāo)準(zhǔn)壓力下進(jìn)行的，沒有特殊情況。盡管該方法與實(shí)際制造工藝相比，半導(dǎo)體公司的效率相對較低，但本研究可以提出在室溫和標(biāo)準(zhǔn)壓力下進(jìn)行硅片干洗工藝的可能性。這意味著可以減少使用化學(xué)品，節(jié)省能源的加熱基板和疏散清潔室，并為這些設(shè)施節(jié)省資金。

由于與其他半導(dǎo)體相比，線寬18?相對較寬，因此在實(shí)驗(yàn)中得到的蝕刻率相對較低。

在六氟化硫等離子體蝕刻晶片的SEM顯微圖中顯示，當(dāng)臭氧/紫外清洗時(shí)間為5min時(shí)，光刻膠沒有被去除，圖中有大量污染物顆粒和光刻膠碎片，臭氧/紫外清洗時(shí)間為5min，圖4.16為臭氧/紫外清洗時(shí)間為20min時(shí)不去除光刻膠的晶片，在圖4.16中也可以確認(rèn)清潔的晶片表面，以500次放大倍數(shù)拍攝。

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圖4-16

圖4.17顯示了當(dāng)臭氧/紫外循環(huán)衰減時(shí)間為1min時(shí)，用丙酮用1000倍放大的蝕刻晶片去除光刻膠的SEM顯微圖?？梢?，圖4.17的晶圓表面比圖4.16的晶圓更粗糙。

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圖4-17

從每個(gè)實(shí)驗(yàn)和分析中可以得出以下結(jié)果：（1）在流量0.5?/min和放電功率分別為22.9W、21.0W、21.0W、26.2W和每個(gè)真空0.1Torr、1個(gè)Torr和760Torr下，最大臭氧濃度分別為8840ppm、7770ppm和6595ppm；（2）在流速為1?/min、1?/min、0.5?/min、放電功率為23.4W、21.3W、26.3W、26.2W，每個(gè)真空分別為0.1Torr、1Torr和760Torr時(shí)，最大臭氧發(fā)電量分別為593㎎/h、506㎎/h和388㎎/h；（3）臭氧濃度和臭氧生成量隨放電功率的增加而逐漸增加，且與真空水平成正比。因此，在真空0.1Torr，流速0.5?/mim時(shí)，最大臭氧濃度為8840ppm，在真空0.1Torr下，最大臭氧產(chǎn)生濃度為593㎎/h，流速1-186-?/min時(shí)，最大臭氧產(chǎn)生功率為23.4W；（4）在流速1.1?/min、1?/min、0.5?/min下獲得32.59?/?h，排放功率4.94W、7.30W、10.25g/?h和15.25g/?h。