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在半導(dǎo)體微器件的制造中，必須通過蝕刻各種材料，從表面移除整個層或?qū)⒖刮g劑圖案轉(zhuǎn)移到下面的層中。在蝕刻工藝中可以分為兩種工藝：濕法和干法蝕刻，同時進(jìn)一步分為各向同性和各向異性工藝（見下圖）。

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各向同性和各向異性蝕刻工藝

在各向同性蝕刻工藝中，蝕刻發(fā)生在橫向和垂直方向，因此層不僅在厚度上被去除，而且在圓周上也被去除；而在各向異性工藝中，該層僅在垂直方向上被去除。根據(jù)需求，可能需要各向同性工藝以及各向異性工藝。

通常各向同性的蝕刻輪廓，濕法蝕刻很少用于結(jié)構(gòu)化，但微機(jī)械器件是一個例外。此外硅晶體的原子結(jié)構(gòu)，使用濕化學(xué)可以產(chǎn)生側(cè)面角為90°或54.74°的輪廓。

最后蝕刻工藝的一個重要價值是選擇性。選擇性是應(yīng)該被蝕刻的層(例如氧化膜)和另一層(例如抗蝕劑掩模)的磨損率，如果選擇性是2:1，氧化物的蝕刻速度將是抗蝕劑的兩倍。

同時濕化學(xué)工藝不僅適用于蝕刻，也適用于其他需求，比如：1.濕法蝕刻:從整個晶片上去除摻雜或未摻雜的氧化物層；2.晶圓清洗；3.去除光刻膠；4.背面處理:去除在其他過程中作為副產(chǎn)品沉積的層(例如熱氧化)；5.聚合物去除:去除干蝕刻過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品等。