?華林科納砷化鎵生產(chǎn)工藝-砷化鎵清洗設(shè)備

砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ- Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)， 晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶 寬度1.4電子伏。 砷化鎵于1964年進(jìn)入實用階段。砷化鎵 可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上 的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、 紅外探測器、γ光子探測器等。 由于其電子遷移率比硅大5~6倍，故在 制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要 應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、 高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng) 等優(yōu)點。

?砷化鎵備料——對坩堝及備件的處理：

1將石英件和PBN坩堝放入煅燒爐中煅燒 目的是除去坩堝表面的雜質(zhì)；

2將石英件和PBN坩堝送入腐蝕間用王水進(jìn)行酸洗 目的是除去附著在坩堝上的金屬離子；

3將石英件和PBN坩堝用純水清洗 目的是洗去酸液；

4將石英件和PBN坩堝用超聲波清洗 目的是除去剩余的小顆粒雜質(zhì) 將石英件和PBN坩堝烘干。目的是除去水分；

5將石英件和PBN坩堝送入裝料間備用。

砷化鎵備料——對籽晶、多晶的處理：

1用砂紙對籽晶和多晶進(jìn)行打磨

2將籽晶和多晶送入腐蝕間用王水進(jìn)行酸洗 目的是除去附著在籽晶和多晶的金屬離子

3將籽晶和多晶送入清洗間用純水進(jìn)行清洗目 的是洗去酸液

4用沸水清洗，將籽晶和多晶送入烘干箱內(nèi)烘干

5將籽晶和多晶送入裝料間備用

將籽晶和多晶送入裝料間備用：

A將單質(zhì)砷和單 質(zhì)鎵按一定的 比例裝入PBN 坩堝中并加入 B2O3作覆蓋 劑

B將配比好 的物料及PBN 坩堝一起送入 合成爐中進(jìn)行 多晶的合成

C在多晶合成完 成之后對多晶 進(jìn)行一定的處 理后送入單晶 爐中進(jìn)行單晶 的拉制

D在單晶拉制完 成后要把單晶 送入退火爐中 退火

E在完成退火之 后要對單晶進(jìn) 行初加工

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