眾做周知，濕法腐蝕和濕法清洗在很早以前就已在半導(dǎo)體生產(chǎn)上被廣泛接受和使用，許多濕法工藝顯示了其優(yōu)越的性能。伴隨IC集成度的提高，硅片表面的潔凈對于獲得IC器件高性能和高成品率至關(guān)重要，硅片清洗也顯得尤為重要。濕法腐蝕是一種半導(dǎo)體生產(chǎn)中實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移的工藝，由于其高產(chǎn)出，低成本，高可靠性以及有很高的選擇比仍被廣泛應(yīng)用。

濕法腐蝕工藝

濕法化學(xué)腐蝕是最早用于微機械結(jié)構(gòu)制造的加工方法。所謂濕法腐蝕，就是將晶片置于液態(tài)的化學(xué)腐蝕液中進行腐蝕，在腐蝕過程中，腐蝕液將把它所接觸的材料通過化學(xué)反應(yīng)逐步浸蝕溶掉。

用于化學(xué)腐蝕的試劑很多，有酸性腐蝕劑，堿性腐蝕劑以及有機腐蝕劑等。根據(jù)所選擇的腐蝕劑，又可分為各向同性腐蝕和各向異性腐蝕劑。各向同性腐蝕的試劑很多，包括各種鹽類(如CN基、NH 基等)和酸，但是由于受到能否獲得高純試劑，以及希望避免金屬離子的玷污這兩個因素的限制，因此廣泛采用HF—HNO3腐蝕系統(tǒng)。各向異性腐蝕是指對硅的不同晶面具有不同的腐蝕速率?；谶@種腐蝕特性，可在硅襯底上加工出各種各樣的微結(jié)構(gòu)。各向異性腐蝕劑一般分為兩類，一類是有機腐蝕劑，包括EPW(乙二胺、鄰苯二酚和水)和聯(lián)胺等，另一類是無機腐蝕劑，包括堿性腐蝕液，如KOH、NaOH、NH4OH等。

就濕法和干法比較而言，濕法的腐蝕速率快、各向異性差、成本低，腐蝕厚度可以達到整個硅片的厚度，具有較高的機械靈敏度。但控制腐蝕厚度困難，且難以與集成電路進行集成。

華林科納是國內(nèi)最早致力于研究濕法清洗設(shè)備的，其中SPM自動清洗系統(tǒng)設(shè)備主要用于LED芯片制造過程中硅片表面有機顆粒和部分金屬顆粒污染的自動清洗工藝。

設(shè)備名稱：SPM腐蝕機

適用領(lǐng)域：外延及芯片制造

設(shè)備用途：硅晶片化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備

主要功能：通過對硅片腐蝕、漂洗等方式進行處理，從而達到用戶要求的一個效果。可處理的晶圓材料是硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等?？梢郧逑吹墓杵叽?/span>2-8寸（25片/藍）。