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晶片凸點(diǎn)電鍍?cè)O(shè)備-南通華林科納CSE
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傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后，送到封裝廠進(jìn)行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。
但無論是雙列直插封裝（DIP），還是四邊引線扁平封裝（QFP），封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機(jī)等便攜式裝置的體積很小，所以要求器件的體積越小越好，像有300多個(gè)引出端的液晶顯示器（LCD）驅(qū)動(dòng)電路，必須采用WLP的芯片尺寸封裝（CSP）。
有些特殊的高頻器件，為了減小引線電感的影響，要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下，華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點(diǎn)，例如金凸點(diǎn)、焊料凸點(diǎn)、銦凸點(diǎn)，然后直接倒裝焊在相應(yīng)的基板上。
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