簡介半導體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代電子工業(yè)的核心，而半導體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)是硅材料工業(yè)。雖然有各種各樣新型的半導體材料不斷出現(xiàn)，但 90%以上的半導體器件和電路，尤其是超大規(guī)模集成電路（ULSI）都是制作在高純優(yōu)質(zhì)的硅單晶拋光片和外延片上的。硅片清洗對半導體工業(yè)的重要性早在50年代初就已引起人們的高度重視，這是因為硅片表面的污染物會嚴重影響器件的性能、可靠性、和成品率。隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展以及人們對原料要求的提高，污染物對器件的影響也愈加突出。20世紀70年代在單通道電子倍增器基礎(chǔ)上發(fā)展起來一種多通道電子倍增器。微通道板具有結(jié)構(gòu)簡單、增益高、時間響應(yīng)快和空間成像等特點，因而得到廣泛應(yīng)。它主要應(yīng)用于各種類型的像增強器、夜視儀、量子位置探測器、射線放大器、場離子顯微鏡、超快速寬頻帶示波器、光電倍增器等。微通道板是一種多陣列的電子倍增器,是微光像增強器的核心部件。MCP的制作工藝周期長且復雜,表觀疵病是制約MCP成品率的關(guān)鍵因素之一。在MCP的工藝制造過程中,不可避免遭到塵埃、金屬、有機物和無機物的污染。這些污染很容易造成其表面缺陷及孔內(nèi)污垢,產(chǎn)生發(fā)射點、黑點、暗斑等,導致MCP的良品率下降,使得管子質(zhì)量不穩(wěn)定以至失效,因此在MCP的制造過程中利用超聲波清洗技術(shù)去除污染物十分重要。 清洗方式普通的清洗方法一般不能達到孔內(nèi),而孔內(nèi)芯料的反應(yīng)生成物及其他污染物會在后序工藝中會產(chǎn)生重復污染...
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所謂的半導體，是指在某些情況下，能夠?qū)娏?，而在某些條件下，又具有絕緣體效用的物質(zhì)；而至于所謂的IC，則是指在一半導體基板上，利用氧化、蝕刻、擴散等方法，將眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件，作在一微小面積上，以完成某一特定邏輯功能（例如：AND、OR、NAND等），進而達成預先設(shè)定好的電路功能。自1947年12月23日第一個晶體管在美國的貝爾實驗室(Bell Lab)被發(fā)明出來，結(jié)束了真空管的時代，到1958年TI開發(fā)出全球第一顆IC成功，又意謂宣告晶體管的時代結(jié)束，IC的時代正式開始。從此開始各式IC不斷被開發(fā)出來，集積度也不斷提升。從小型集成電路（SSI），每顆IC包含10顆晶體管的時代；一路發(fā)展MSI、LSI、VLSI、ULSI；再到今天，短短50年時間，包含千萬個以上晶體管的集成電路已經(jīng)被大量生產(chǎn)，并應(yīng)用到我們的生活的各領(lǐng)域中來，為我們的生活帶來飛速的發(fā)展。不能想象離開半導體產(chǎn)業(yè)我們的生活將會怎樣，半導體技術(shù)的發(fā)展狀況已成為一個國家的技術(shù)狀況的重要指針，電子技術(shù)也成為一個國家提高國防能力的重要途徑。 半導產(chǎn)品類別 目前的半導體產(chǎn)品可分為集成電路、分離式組件、光電半導體等三種。 集成電路(IC)，是將一電路設(shè)計，包括線路及電子組件，做在一片硅芯片上，使其具有處理信息的功能...
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一、雙極型IC的基本制造工藝： A、在元器件間要做電隔離區(qū)（PN結(jié)隔離、全介質(zhì)隔離及PN結(jié)介質(zhì)混合隔離） ECL（不摻金） （非飽和型） 、TTL/DTL （飽和型） 、STTL （飽和型） B、在元器件間自然隔離 I2L（飽和型）二、MOSIC的基本制造工藝： 根據(jù)柵工藝分類： A 鋁柵工藝 B 硅柵工藝 ...
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外延生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石和、SiC、Si）上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術(shù)主要采用有機金屬化學氣相沉積方法。 MOCVD介紹： 金屬有機物化學氣相淀積（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，簡稱 MOCVD）， 1968年由美國洛克威爾公司提出來的一項制備化合物半導體單品薄膜的新技術(shù)。該設(shè)備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、計算機多學科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專用設(shè)備，主要用于GaN（氮化鎵）系半導體材料的外延生長和藍色、綠色或紫外發(fā)光二極管芯片的制造，也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專用設(shè)備之一。 LED芯片的制造工藝流程： 外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 &#...
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腐蝕液被腐蝕物H3PO4(85%):HNO3(65%):CH3COOH(100%):H2O:NH4F(40%）=76：3：15：5：0.01AlNH4(40%):HF(40%)=7:1SiO2,PSGH3PO4(85%)Si3N4HF(49%):HNO3(65%):CH3COOH(100%)=2:15:5SiKOH(3%~50%)各向異向SiNH4OH:H2O2(30%):H2O=1:1:5HF(49%):H2O=1:100Ti ,CoHF(49%):NH4F(40%)=1:10TiSi2
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在半導體封裝技術(shù)國際學會“2015 Electronic Components and Technology Conference（ECTC）”上，IBM蘇黎世研究所發(fā)表了用銅納米粒子使銅柱的倒裝芯片接合實現(xiàn)了低溫化目標的成果。 雖尚在初步評測階段，但擁有可在150℃的低溫下接合的潛在可能，有能緩和組裝時芯片與封裝間應(yīng)力的優(yōu)點。并且，由于使用銅納米粒子來接合銅柱，因此接合部最終會僅由銅構(gòu)成的塊。另外，對電流導致金屬離子移動的電遷移還有良好耐受力，稱能夠?qū)崿F(xiàn)可通過大電流的接合。 在實際評測的鍵合條件下，向接合部供給銅納米粒子后，以250℃烘烤，將銅納米粒子燒結(jié)成體塊。此前人們知道的接合銅表面的方法是熱壓鍵合，但其量產(chǎn)的門檻較高。存在如對接合部的平坦性的要求精度較高、要求接合面清潔以及要在400℃高溫下高壓接合等課題。此次的技術(shù)若能實用化，便可輕松實現(xiàn)僅由銅構(gòu)成的體塊接合，具有很大的優(yōu)點。公開接合方法和接合后的強度評測結(jié)果 此次發(fā)布的成果，尚未進入電遷移評測階段，只報告了接合方法和接合后的強度評測結(jié)果。該研究所表示，嘗試了兩種向銅柱與焊盤間供給銅納米粒子的方法。 ...
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（1）外延工藝技術(shù) 外延工藝是根據(jù)不同硅源（SIH2CL2、SIHCL3、SICL4），在1100-1180℃溫度下在硅片表面再長一層/多層本征（不摻雜）、N型（摻PH3）或P型（摻B2H6）的單晶硅，并把硅層的厚度和電阻率，厚度和電阻率的均勻性、表面的缺陷控制在允許范圍內(nèi)。功率半導體器件的外延生產(chǎn)工藝技術(shù)標準一般要求達到厚度40-80±5um, 厚度和電阻率均勻性控制在5%以內(nèi)。（2）光刻工藝技術(shù) 光刻工藝是半導體工藝技術(shù)中最關(guān)鍵的技術(shù)之一，也是反映半導體工藝技術(shù)水平的重要指標。光刻工藝是將掩膜（光刻板）圖形轉(zhuǎn)移到襯底表面的光刻膠上形成產(chǎn)品所需要圖形的工藝技術(shù)，光刻機的精度一般是指光刻時所得到的光刻圖形的最小尺寸。分辨率越高,就能得到越細的線條，集成度也越高。對于高端Trench工藝技術(shù)的功率半導體器件，光刻生產(chǎn)工藝采用8英寸硅片，0.5um技術(shù)。 （3）刻蝕工藝技術(shù) 刻蝕是用物理或化學的方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，刻蝕的基本作用是準確地復制掩膜圖形，以保證生產(chǎn)線中各種工藝正常進行。濕法刻蝕是通過合適...
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Acceptor - An element,such as boron,indium,and gallium used to create a free hole in a semiconductor.The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主——一種用來在半導體中形成空穴的元素，比如硼、銦和鎵。受主原子必須比半導體元素少一價電子。 Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process. 套準精度——在光刻工藝中轉(zhuǎn)移圖形的精度。 Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting 各向異性——在蝕刻過程中，只做少量或不做側(cè)向凹刻。 Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surface of a wafer. This is viewed as d...
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Haze - A mass concentration of surface imperfections, often giving a hazy appearance to the wafer. 霧度 - 晶圓片表面大量的缺陷，常常表現(xiàn)為晶圓片表面呈霧狀。 Hole - Similar to a positive charge, this is caused by the absence of a valence electron. 空穴 - 和正電荷類似，是由缺少價電子引起的。 Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut. 晶錠 - 由多晶或單晶形成的圓柱體，晶圓片由此切割而成。 Laser Light-Scattering Event - A signal pse that locates surface imperfections on a wafer. 激光散射 - 由晶圓片表面缺陷引起的脈沖信號。 Lay - The main direction of s...
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硅晶片 硅是一種灰色、易碎、四價的非金屬化學元素。地殼成分中27.8%是硅元素構(gòu)成的，其次是氧元素，硅是自然界中最豐富的元素。在石英、瑪瑙、燧石和普通的灘石中就可以發(fā)現(xiàn)硅元素。硅是建筑材料水泥、磚、和玻璃中的主要成分，也是大多數(shù)半導體和微電子芯片的主要原料。有意思的是，硅自身的導電性并不是很好。然而，可以通過添加適當?shù)臄v雜劑來精確控制它的電阻率。 制造半導體前，必須將硅轉(zhuǎn)換為晶圓片。這要從硅錠的生長開始。單晶硅是原子以三維空間模式周期形成的固體，這種模式貫穿整個材料。多晶硅是很多具有不同晶向的小單晶體單獨形成的，不能用來做半導體電路。多晶硅必須融化成單晶體，才能加工成半導體應(yīng)用中使用的晶圓片。 加工硅晶片 生成一個硅錠要花一周到一個月的時間，這取決于很多因素，包括大小、質(zhì)量和終端用戶要求。超過 75%的單晶硅晶圓片都是通過直拉生長法（Czochralski (CZ)）生長的。CZ 硅錠生長需要大塊的純凈多晶硅將這些塊狀物連同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩堝中，這稱為攙雜。&#...
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