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晶片凸點電鍍設(shè)備-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22

晶片凸點電鍍設(shè)備-南通華林科納CSE 傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后，送到封裝廠進行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無論是雙列直插封裝（DIP），還是四邊引線扁平封裝（QFP），封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機等便攜式裝置的體積很小，所以要求器件的體積越小越好，像有300多個引出端的液晶顯示器（LCD）驅(qū)動電路，必須采用WLP的芯片尺寸封裝（CSP）。有些特殊的高頻器件，為了減小引線電感的影響，要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下，華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點，例如金凸點、焊料凸點、銦凸點，然后直接倒裝焊在相應(yīng)的基板上。更多晶圓電鍍設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)m.j4i44.cn；現(xiàn)在咨詢400-8768-096，18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設(shè)備的相關(guān)方案

IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 08

IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE南通華林科納CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工太陽能電池片分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝，單臺產(chǎn)量大，效率高設(shè)備名稱南通華林科納CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間：一般親水性晶圓片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量：任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點：干燥后無斑點IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 m.j4i44.cn 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（m.j4i44.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。

酸/堿刻蝕機

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

刻蝕方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術(shù)，一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù)，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù)，有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)，國內(nèi)的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機中進行，國內(nèi)腐蝕機做的比較好的有蘇州華林科納（打個廣告），腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃動，浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）的作用是減小硅片的表面張力，使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸，從而達到充分腐蝕；2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液（氟化銨溶液）的槽中浸泡，上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分，腐蝕時間可以調(diào)整，直到二氧化硅腐蝕干凈為止；3、沖純水；4、甩干。二氧化硅腐蝕機理為：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的絡(luò)合物，利用這個性質(zhì)可以很容易通過光刻工藝實現(xiàn)選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率，腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚，以前小功率三極管的三次光刻（引線孔光刻）一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻，現(xiàn)在大部分都改為...

高溫磷酸清洗機

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

設(shè)備名稱：高溫磷酸清洗機設(shè)備型號：CSE-SZ2011-16整機尺寸：約2800mm（L）×1200mm(w)×1900mm（H）節(jié)拍：根據(jù)實際工藝時間可調(diào)清洗量：批量清洗時，采用提籃裝片，單次清洗圓片的數(shù)量要求如下2＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于25片4＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于20片6＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于20片框架材料:優(yōu)質(zhì)10mm瓷白PP板機殼，優(yōu)質(zhì)碳鋼骨架，外包3mmPP板防腐機臺底部：廢液排放管路，防漏液盤結(jié)構(gòu)機臺支腳：有滑輪裝置及固定裝置，并且通過可調(diào)式地腳，可高低調(diào)整及鎖定功能DIW上水管路及構(gòu)件采用日本積水CL-PVC管材，排水管路材質(zhì)為PP管排風(fēng)：位于機臺后上部工作照明：上方防酸型照明臺面板為優(yōu)質(zhì)10mmPP板（帶有圓形漏液孔，清除臺面殘留液體）附件：水、氣槍左右各兩套控制方式：PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制；安全保護裝置： ●設(shè)有EMO(急停裝置)， ●強電弱點隔離 ●設(shè)備三層防漏托盤傾斜漏液報警設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)臺面布置圖：各槽工藝參數(shù)

芯片鍍金設(shè)備-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

芯片鍍金設(shè)備-南通華林科納CSE 晶圓電鍍工藝在半導(dǎo)體、MEMS、LED 和 WL package 等領(lǐng)域中應(yīng)用非常廣泛。南通華林科納的晶圓電鍍設(shè)備針對這些應(yīng)用研發(fā)和生產(chǎn)的，對所有客戶提供工藝和設(shè)備一體化服務(wù)。產(chǎn)品分生產(chǎn)型和研發(fā)型兩大類，適合不同客戶的需求。設(shè)備名稱南通華林科納CSE-芯片鍍金設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域：半導(dǎo)體、MEMS、LED操作模式：PLC集成控制具體應(yīng)用：電鍍、電鑄工藝類型：電鍍Au，Cu，Ni，Sn,Ag晶圓尺寸：8inch或以下尺寸，單片或多片基本配置：操作臺（1套），主電鍍槽（2套），腐蝕槽（2套），清洗（1套）設(shè)備功能和特點（不同電鍍工藝配置有所差異） 1. 產(chǎn)品名稱：芯片鍍金設(shè)備 2. 產(chǎn)品系列：CSE-XL3. 晶圓尺寸：4-6inch. 4. 集成控制系統(tǒng)，內(nèi)置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料：勞士領(lǐng)PP 6. 四面溢流設(shè)計 7. 溫度控制系統(tǒng)：70+/-1C 8. 循環(huán)過濾出系統(tǒng)，流量可調(diào)。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽極 11. 陰極擺動裝置，頻率可調(diào)。 12. 陽極均化裝置。 13. 防氧化系統(tǒng)。 14. 充N2裝置。 15. 排風(fēng)操作臺，風(fēng)量可調(diào)。 16. 活化腐蝕系統(tǒng)。 17. 三級清洗系統(tǒng)。 18. 電鍍液體系：均為無氰電鍍液體系。 19. 工藝：表面均勻，厚度1-100um，均勻性5% 設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 m.j4i44.cn 400-8768-096 ；18913575037更多晶圓電鍍設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)www.hlkncse...

黑硅制絨設(shè)備-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 04 - 06

黑硅制絨—華林科納CSEBlack silicon cloth with soft nap長期以來，多晶太陽電池表面反射率較高的難題一直得不到有效解決，制約了電池效率的進一步提升。濕法黑硅技術(shù)成功解決了這一難題，該技術(shù)將來勢必成為多晶電池的標配技術(shù)。多晶電池效率的提升受制于表面反射率的降低。常規(guī)多晶主要采用酸制絨，形成蠕蟲狀的坑洞；而單晶采用堿制絨，形成金字塔結(jié)構(gòu)的絨面。相比單晶電池，常規(guī)多晶電池的表面反射率高3%~5%（絕對值）。降低表面反射率是提高多晶電池效率的關(guān)鍵。成本方面，單晶硅片受益于金剛線切割工藝的推廣，成本大幅下降；而多晶硅片金剛線線切的推廣受制于電池制絨工藝的匹配，具體講，金剛線線切多晶硅片使用常規(guī)制絨工藝后，反射率更高并有明顯的線痕等外觀缺陷，嚴重降低電池效率。南通華林科納CSE開發(fā)的濕法黑硅制絨技術(shù)完美的解決以上問題，既能提升電池效率又能降低電池成本，是多晶電池繼續(xù)進步的必由之路。設(shè)備名稱CSE-黑硅制絨設(shè)備用途單晶/多晶太陽能電池片的金剛線切割后制絨產(chǎn)能3600-4000PCS/H；年產(chǎn)能120MW正常運作時間23h/d裝片量200pcs碎片率轉(zhuǎn)換效率金剛線切割多晶硅片較傳統(tǒng)酸制絨砂漿切割多晶硅片提升效率0.2%以上反射率16%~18%轉(zhuǎn)化效率可以達到18.9-19.2%外觀檢查金剛線切割多晶黑硅絨面均勻，晶界模糊，無色差；安裝調(diào)試時間技術(shù)硅片類型多晶片效率提升范圍 %功率提升范圍 W濕法砂漿0.3-0.44-6濕法金剛線0.4-0.54-6干法砂漿0.5-0.65-7干法金剛線0.5-0.75-7 更多黑硅制絨清洗相關(guān)設(shè)備，可以關(guān)注網(wǎng)址：http://m.j4i44.cn，熱線：400-8768-096，18913575037

單片清洗機-華林科納CSE

發(fā)布時間： 2017 - 04 - 05

單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕去膠金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2"-12"；可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路聲表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先進封裝等設(shè) 備名稱CSE-單片清洗機類型單片式適用領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://m.j4i44.cn ,400-8768-096，18913575037

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三星更新最新技術(shù)線路圖，7nm芯片明年量產(chǎn)

在芯片7nm工藝上三星沒能及時量產(chǎn)，導(dǎo)致大量的訂單都被臺積電給奪走了，這也讓三星損失慘重。不過三星仍舊在繼續(xù)努力研發(fā)7nm的工藝，近期在日本舉辦的三星鑄造工廠論壇2018年會上，三星透漏了關(guān)于7nm工藝的進程，表示會在接下來的幾個季度大規(guī)模量產(chǎn)。除了確定7nm工藝的如期生產(chǎn)外，三星HIA宣布了新增8nm的LPU的改良版，也就是低功耗版，相比10nm版本，8nm減少了10％的芯片面積和10％的功耗。不過，隨著芯片技術(shù)的發(fā)展，7nm的工藝肯定不會滿足手機廠商的需求，所以還需要跟高的工藝制程。因此，三星還有更完善的方案，表示在2019你那利用FinFET技術(shù)，進行4／5nm的工藝研發(fā)，在2020年使用最新研發(fā)的GAAFET技術(shù)方案，開展3nm工藝的試產(chǎn)。這樣的話，在以后的5G芯片當(dāng)中，蘋果，高通和華為的訂單很有可能由三星主要負責(zé)，不過這就要看三星的進展速度了，雖然在7nm工藝失利了，不過相信可以在3／4／5nm的制程中重新奪回市場。來源：月光科技范延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業(yè)新聞★華林科納產(chǎn)品中心★華林科納人才招聘★半導(dǎo)體小課堂

發(fā)布時間: 2018 - 09 - 14

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2018國際第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽現(xiàn)場采訪星啟創(chuàng)新創(chuàng)始人王磊

2018年9月7日，2018中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽國際第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽東部賽區(qū)（簡稱“大賽”）頒獎典禮在張家港成功舉辦，標志著東部賽區(qū)圓滿結(jié)束。本屆東部賽區(qū)共吸引140多個項目報名角逐，涵蓋半導(dǎo)體照明、智能配電、5G通訊、新能源汽車等細分領(lǐng)域。歷經(jīng)近兩個月的層層篩選，20個優(yōu)質(zhì)項目沖進決賽，其中6個脫穎而出，得以進入全國總決賽。星啟創(chuàng)新（以下簡稱星啟）作為大賽協(xié)辦方，一直致力于以大賽為平臺，積極促成大中小企業(yè)協(xié)同創(chuàng)新。在東部賽區(qū)頒獎典禮的現(xiàn)場，記者采訪了星啟創(chuàng)新創(chuàng)始人王磊。采訪過程中，他向我們講述了星啟對大中小企業(yè)協(xié)同創(chuàng)新的理解。開放式創(chuàng)新的概念最早由哈佛大學(xué)教授Henry Chesbrough提出，是指企業(yè)有計劃地利用流進或流出的知識，加速在現(xiàn)有市場上的創(chuàng)新，將企業(yè)內(nèi)部知識應(yīng)用于新市場。這個理論隨后在美國五百強企業(yè)被廣泛運用。他的優(yōu)勢在于基于公司戰(zhàn)略目標，有目的的開放企業(yè)創(chuàng)新需求，并鼓勵社會與高校院所釋放人才與技術(shù)，形成聚合效應(yīng)，從而大幅提升新興科技的市場化進程?！伴_放創(chuàng)新在中國便是我們熟知的大中小企業(yè)融通或產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新。融通也好、協(xié)同也好，都必須要從戰(zhàn)略層面推進”，王磊如此說道。與前幾年盛行的草根創(chuàng)業(yè)不同，企業(yè)開放創(chuàng)新首先要從戰(zhàn)略層面認識創(chuàng)新的作用，像飛利浦將創(chuàng)新本部放到上海，強生將商業(yè)模式創(chuàng)新本部放到新加坡，都是自上而下推動創(chuàng)新。而在中國，要實現(xiàn)自上而下的創(chuàng)新，各個地方政府的牽...

發(fā)布時間: 2018 - 09 - 13

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格芯退戰(zhàn)7nm，我們的路在何方？

格芯的無奈之舉近期，全球第二大晶圓廠格芯（Globa Foundries）宣布無限期擱置7nm FinFET項目，表示不愿陪你們繼續(xù)玩了。前沿制程的爭奪歷來備受各方關(guān)注。今年5月，臺積電率先實現(xiàn)7nm量產(chǎn)，搶下首發(fā)；三星則緊隨其后，進入量產(chǎn)倒計時；Intel則還在埋頭硬啃10nm。在格芯罷兵7nm之前，聯(lián)電也直言放手12nm及以下制程。事實上，晶圓巨頭接連退出實屬無奈，主要是研發(fā)高階制程太耗錢了。2016年，為了研發(fā)10nm/7nm制程，臺積電投入了22億美元巨資。據(jù)悉，目前，臺積電7nm制程的良率超過76%，后續(xù)良率拉抬仍需持續(xù)投入。在IC Insights公布的歷年“十億美元俱樂部”榜單中，臺積電多年穩(wěn)居前三，而格芯已跌落五名開外。目前，也只有俱樂部前三甲有資本硬拼7nm，其他廠商更多是有心無力。▼2007-2017年全球半導(dǎo)體資本支出“十億美元俱樂部”資料來源：IC Insight在半導(dǎo)體的世界里，只有搶到最先進的制程技術(shù)，才可能得到僅有的巨頭大單，收回前期投入。目前，臺積電基本包攬了蘋果、高通（驍龍855）、博通、AMD、比特大陸和海思等設(shè)計巨頭的7nm大單。其中，AMD是格芯的最大客戶。三星得到了高通（驍龍845）和ARM等的訂單。根據(jù)調(diào)研機構(gòu)International Business Strategies公布的數(shù)據(jù)顯示，2018年，7nm代工的市場規(guī)模將達到49.8億...

發(fā)布時間: 2018 - 09 - 13

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半導(dǎo)體加速物聯(lián)網(wǎng)落地，英特爾加速零售變革

萬物互聯(lián)蘊含數(shù)萬億美元經(jīng)濟價值，全社會積極擁抱，無論是谷歌和阿里巴巴等互聯(lián)網(wǎng)巨頭，亦是IBM和微軟等老牌科技企業(yè)，還有高通、英偉達和英特爾等半導(dǎo)體廠商，都早已瞄準這一新風(fēng)口。各廠商不斷強調(diào)物聯(lián)網(wǎng)戰(zhàn)略，谷歌以物聯(lián)網(wǎng)操作系統(tǒng)Android Things 為核心，讓開發(fā)者大規(guī)模構(gòu)建和維護物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，并推出Edge TPU芯片，將谷歌強大的AI能力擴展到各種智能設(shè)備上，讓本地就具有AI處理能力，這是谷歌搶攻物聯(lián)網(wǎng)市場核心手段。半導(dǎo)體廠商則變革物聯(lián)網(wǎng)，適用各種智能設(shè)備的芯片以及人工智能、深度學(xué)習(xí)能力助推物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用落地，例如基于深度學(xué)習(xí)視覺處理后的攝像頭，實現(xiàn)了快速、精準識別，提升應(yīng)用價值，做到“看得懂”世界，讓筆者感嘆高科技引領(lǐng)的時代到來，萬物透過互聯(lián)，賦予萬物感知、認知，我們處在了萬物互聯(lián)的好時代。半導(dǎo)體廠商最大受益者今年，物聯(lián)網(wǎng)得到了快速發(fā)展，從智能安防到智慧城市，從智能汽車到無人駕駛，從新零售到智慧零售等，萬物互聯(lián)帶給各行業(yè)變革，由于應(yīng)用不斷擴大，物聯(lián)網(wǎng)也將迎來更大規(guī)模部署，而半導(dǎo)體廠商最先受益這一波紅利，來自Gartner分析數(shù)據(jù)顯示，物聯(lián)網(wǎng)的半導(dǎo)體市場將高達340億美元。物聯(lián)網(wǎng)市場的增長，對半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生了重大的影響。英偉達因受益于AI芯片受市場追捧，高通對此也做出預(yù)測，物聯(lián)網(wǎng)芯片對年度能為能帶來10億美元營收，這是繼智能手機后，物聯(lián)網(wǎng)芯片將會成為高通第二大市場。英特爾在今年早些時...

發(fā)布時間: 2018 - 09 - 12

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從三星到 Rokid 的造芯大計，半導(dǎo)體“老兵”周軍眼中的 AI 芯片

在這一波中國半導(dǎo)體“淘金熱”下，有著自己節(jié)奏的杭州，并不像其他爭奪“芯片之城”桂冠的都市那樣地張揚外顯，但在人工智能芯片上，今年杭州有人工智能公司 Rokid 交出首款自研的語音芯片 KAMINO18，更有礦機芯片巨頭嘉南耘智首款 7 納米芯片問世，杭州這個婀娜多姿的城市，正以獨特的步調(diào)，走出屬于自己的“芯”姿態(tài)。杭州，是個距離“芯片”產(chǎn)業(yè)不近不遠的城市，她不像鄰近的上海發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是歷史悠遠，也不若這兩年大出風(fēng)頭的武漢、合肥，已然成了捉對廝殺的存儲器大城，更不似南京是左擁臺積電、右抱紫光集團，爭奪“芯片之都”的企圖心已是霸氣外露。細數(shù)杭州的芯片企業(yè)，有 IDM（ItegratedDesign Manufacrture) 廠士蘭微電子、模擬芯片設(shè)計公司矽力杰，以及日前才被阿里巴巴收購的嵌入式 CPU IP 供應(yīng)商中天微。此外，杭州企業(yè)在安防產(chǎn)業(yè)也以極為亮眼的表現(xiàn)，而其中，海康威視、大華技術(shù)也開始投入自有芯片設(shè)計。這一年來，在杭州更有幾家新創(chuàng)型企業(yè)，打造的“中國芯”吸引不少目光焦點，杭州的人工智能裝置企業(yè) Rokid 今年初宣布延攬前三星半導(dǎo)體研究所所長周軍加入團隊，正是一例?！鴪D片來源：麻省理工科技評論三星在中國有三個半導(dǎo)體研究中心，分別位于杭州、西安和蘇州，位于杭州的半導(dǎo)體研究所全盛時期，人數(shù)高達 300 多人，規(guī)模遠勝最早期的蘇州，三星第一款的 65 納米晶片也是在中國做的。...

發(fā)布時間: 2018 - 09 - 12

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華為微軟或?qū)⒑献?？未來國?nèi)半導(dǎo)體將有大發(fā)展。

提到手機首先我們所需要注意的當(dāng)然就是這款手機的一個處理器，那么近兩年來，手機處理器在目前的國外市場還是做得非常不錯的，但是反觀國內(nèi)市場就沒有那么的理想了，那么我們也需要在這方面做出更多的一些努力，在目前國內(nèi)做這方面比較不錯的，就只可能是華為了。因為他們算得上是目前國內(nèi)唯一一個能夠擁有，自研芯片的一家手機廠商，并且在這方面也是做得非常的不錯，華為在國內(nèi)發(fā)展了這么多年，能夠取得這么一個成績也是理所當(dāng)然的事情。在華為還沒有做出這一步的改變之前，大部分的芯片都是被美國所壟斷的，目前全球有60%以上的芯片。都是國外市場所占據(jù)的，而中國則成為了一個在這方面的消費大國，因為我們在這方面做的不是非常的好，所以，很多時候就只能采用國外一些非常先進的芯片，向手機上所使用的高通驍龍，和聯(lián)發(fā)科，以及電腦上所使用的英特爾這些都是來自于國外的。想要進一步的打破來自國外的壟斷還是非常困難的，但是近兩年來，我們也在這方面做出了許多的嘗試，所以說還是取得了一定的進展，就比如說華為將率先發(fā)布全球首款的七納米制成的芯片麒麟980。但是提到華為的這款芯片，許多人第一時間肯定都會想到華為的芯片不是一項只在自己家的手機上所使用嗎？這兩年來就不是這樣的人，為了打破國外對于國內(nèi)芯片的一個壟斷，所以華為很有可能也回家，他自家的芯片對其他的，一些需要使用到這款芯片的一些設(shè)備進行支持。雖然說他們研究這方面，相對于國外來說，時間還是不是...

發(fā)布時間: 2018 - 09 - 11

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第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽東部賽區(qū)決賽圓滿舉行

9月6日-7日，第七屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽國際第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽東部賽區(qū)(以下簡稱“大賽”)決賽暨頒獎典禮在張家港沙洲湖舉行。這是本屆國際第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽的首場地區(qū)決賽，共計6個項目在決賽中獲獎，并成功晉級全球總決賽。中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽是目前國內(nèi)規(guī)格最高的全國性雙創(chuàng)比賽，作為大賽的六大專業(yè)賽事之一，國際第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽力求通過賽事挖掘項目亮點、優(yōu)勢、需求，并給予創(chuàng)業(yè)項目多方位的幫助和支持，幫助企業(yè)成長。本次大賽分為企業(yè)組與團隊組，東部賽區(qū)共計吸引140多個項目報名，并展開激烈角逐。大賽經(jīng)過報名、選拔賽、初賽、復(fù)賽等環(huán)節(jié)，歷經(jīng)近兩個月的角逐，20個優(yōu)質(zhì)項目從百余個參賽企業(yè)中脫穎而出進入決賽，項目涵蓋半導(dǎo)體照明、智能配電、5G通訊、新能源汽車等多行業(yè)。路演現(xiàn)場可謂百家爭鳴、各展風(fēng)采，這其中有的項目聚焦高密度Wi-Fi技術(shù)創(chuàng)新，解決終端密集場景的Wi-Fi上網(wǎng)問題，有的項目主要開發(fā)應(yīng)用于近眼顯示設(shè)備(如軍用頭盔顯示器、軍用紅外夜視儀、軍用紅外槍瞄，AR/VR眼鏡等)的高亮度低功耗硅基OLED微顯示器，從而實現(xiàn)打破國外技術(shù)封鎖壁壘，實現(xiàn)自主創(chuàng)新，有的項目則在現(xiàn)場展示了其自主研發(fā)的中心頻率高達5.2GHz的FBAR濾波器，商業(yè)價值前景十分可觀。本次大賽采用“10+5”模式進行，即參賽選手依次進行10分鐘項目路演，由產(chǎn)業(yè)專家和投資人組成的評委團對選手的技術(shù)和產(chǎn)品、商業(yè)模式及實施方案、行業(yè)及市場、...

發(fā)布時間: 2018 - 09 - 11

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“未來科學(xué)大獎”迎首位臺灣得主：做半導(dǎo)體“雖萬千人吾往矣”

9月8日，2018年“未來科學(xué)大獎”揭曉。李家洋、袁隆平、張啟發(fā)三人因水稻新品種方面的貢獻摘得“生命科學(xué)家”；馬大為、馮小明、周其林三人因新催化劑和新反應(yīng)方面的創(chuàng)造性貢獻摘得“物質(zhì)科學(xué)獎”；臺積電傳奇林本堅因持續(xù)擴展納米級集成電路制造摘得“數(shù)學(xué)與計算機科學(xué)獎”。每項獎的獎金總額為100萬美元?！孜慌_灣得主這個由民間科學(xué)公益組織未來論壇發(fā)起、12位知名企業(yè)家和投資者捐贈的中國民間科學(xué)大獎已走到第三屆。它的宗旨是獎勵在大中華地區(qū)做出具有國際影響力的原創(chuàng)科研工作的科學(xué)家。美國Scripps 研究所化學(xué)系教授余金權(quán)表示，人才儲備是中國的一個優(yōu)勢，現(xiàn)在也有很多鼓勵外國優(yōu)秀人才來華的措施。未來科學(xué)大獎本質(zhì)上是為了獎勵科學(xué)，“不管你是哪里人，只要是在中國作出了科學(xué)貢獻，都有機會拿這個獎?！北緦梦磥砜茖W(xué)大獎出現(xiàn)了首位來自中國臺灣的獲獎?wù)?。在現(xiàn)場電話連線時，曾為臺積電研發(fā)副總裁的林本堅說道：“我本來以為，大陸比較不知道這件事，現(xiàn)在我知道，大陸也很清楚我在半導(dǎo)體、電子上做的一點小小的貢獻。”其實，林本堅所做的確實是“小小的貢獻”：他開拓了浸潤式微影系統(tǒng)方法，持續(xù)擴展納米級集成電路制造，將摩爾定律延伸多代。所謂摩爾定律，由英特爾的創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出。其內(nèi)容為：當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的元器件數(shù)目，約每隔18-24個月便會增加一倍。從笨重的大型電腦到掌上輕巧的智能手機，摩爾定律的魔...

發(fā)布時間: 2018 - 09 - 10

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崛起！臺媒：大陸半導(dǎo)體發(fā)展迅猛正迎第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移

參考消息網(wǎng)9月10日報道臺媒稱，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盡管在尖端制程技術(shù)還與發(fā)達國家有一段差距，但近幾年來的快速發(fā)展仍有目共睹。據(jù)恒大研究院最新發(fā)表的研究報告指出，大陸集成電路的產(chǎn)銷金額年增率近25%，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的趨勢正在向大陸靠攏。據(jù)臺灣《旺報》9月7日報道，恒大研究院指出，就現(xiàn)階段的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展來看，2017年全球半導(dǎo)體市場銷售額達4122億美元，年增21.6%，其中集成電路年增率高達83.25%，幾乎等同領(lǐng)跑整個半導(dǎo)體業(yè)。第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)邁向高端化報道稱，從產(chǎn)業(yè)鏈觀察，上游設(shè)備材料消耗以韓國（年增31.71%）居首，其次是則臺灣地區(qū)的21.9%，大陸則排第三。但在供應(yīng)商方面，前10名廠商被美國、日本、韓國、臺灣地區(qū)壟斷，合計市場占有率達90%，無一是大陸廠商。不過，大陸的半導(dǎo)體業(yè)在上述統(tǒng)計數(shù)字中雖然暫居劣勢，但這個態(tài)勢在未來或?qū)⒏淖?。報告指出，從歷史進程看，全球范圍完成兩次明顯的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移：第一次為19世紀70年代從美國轉(zhuǎn)向日本，第二次則從80年代轉(zhuǎn)向韓國與臺灣地區(qū)，而目前，這個產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移正逐漸轉(zhuǎn)向大陸。報道稱，恒大研究院經(jīng)濟學(xué)家連一席指出，大陸的集成電路發(fā)展在近年的趨勢相當(dāng)迅猛，第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移正趨向大陸。據(jù)資料統(tǒng)計，2017年大陸集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達5411.3億人民幣，年增24.81%。產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)更從“大封測─中制造─小設(shè)計”向“大設(shè)計─中封測─中...

發(fā)布時間: 2018 - 09 - 10

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半導(dǎo)體謹防資源錯配

集成電路產(chǎn)業(yè)大多環(huán)節(jié)需要十年以上的積累方顯成效，涌入的資金并不能在短期內(nèi)全面提升行業(yè)的技術(shù)、產(chǎn)業(yè)競爭力，相反，越來越多的企業(yè)開始感受到資本“過熱”帶來的煎熬。在“風(fēng)口”上站了接近三年之后，中國集成電路產(chǎn)業(yè)依然受資本熱捧。并且，中興事件之后，越來越多的地方政府、社會資本介入集成電路產(chǎn)業(yè)。2018年兩會之后，國內(nèi)提出發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的主要城市已經(jīng)達到30個，其中多地政府成立了集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金，預(yù)計募集基金規(guī)模已經(jīng)超過3000億元。但是，集成電路產(chǎn)業(yè)大多環(huán)節(jié)需要十年以上的積累方顯成效，涌入的資金并不能在短期內(nèi)全面提升行業(yè)的技術(shù)、產(chǎn)業(yè)競爭力，相反，越來越多的企業(yè)開始感受到資本“過熱”帶來的煎熬?！昂芏嘈鹿境闪?、有積累的公司也要擴張，高價挖人隨處可見?！痹诮照匍_的2018集微半導(dǎo)體峰會上，多家集成電路企業(yè)人士告訴21世紀經(jīng)濟報道記者，“突然之間就感受到了人才成本的快速上漲，尤其是關(guān)鍵人才，都在搶。大陸半導(dǎo)體的人才成本已經(jīng)超過了臺灣地區(qū)，而上海半導(dǎo)體人才的薪水已經(jīng)快逼近硅谷?！遍L期的落后使得中國集成電路一直維持著相對分散的格局，產(chǎn)業(yè)集中度遠遠落后于美國、中國臺灣地區(qū)。引導(dǎo)人才、資本、技術(shù)、市場份額向優(yōu)勢企業(yè)集中是國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必經(jīng)之路，但現(xiàn)在，陸續(xù)涌入但相對分散的資本已經(jīng)漸漸偏離了主航道?！耙缓宥稀钡馁Y源錯配根據(jù)中國半導(dǎo)體協(xié)會數(shù)據(jù)，2017年，中國前十大集成電路設(shè)計公司總收入...

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