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推薦產(chǎn)品 / 產(chǎn)品中心

外延片清洗機(jī)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備設(shè)備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封，具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制，功能強(qiáng)大，操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 m.j4i44.cn 400-8768-096 ；18913575037更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（m.j4i44.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn)，在6＂（150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、Ｎ２保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問(wèn)題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射，實(shí)現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過(guò)進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過(guò)改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。南通華林科納CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)，該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有：①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用，產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo)：最大晶...

雙腔甩干機(jī)

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 06 - 22

雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái)，可同Run 50~100片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過(guò)20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì)，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過(guò)濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開(kāi)關(guān)90°C OFF 70°C ON)l Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂(lè)故障碼功能: 門(mén)鎖警告，氣體不足，傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l 控制器操作介面: 5.7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...

枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07

枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE南通華林科納半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng)：?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對(duì)應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…（例）1%DHF的情況 20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個(gè)客戶可以定制）液體濺射（塵埃強(qiáng)制除去）（推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

自動(dòng)供酸系統(tǒng)（CDS）-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07

自動(dòng)供酸系統(tǒng)（CDS）-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱南通華林科納CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過(guò)濾器：配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過(guò)濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化與親和力。在自動(dòng)模式情形...

單片清洗機(jī)CSE

發(fā)布時(shí)間： 2018 - 01 - 23

單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕去膠金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2"-12"；可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路聲表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先進(jìn)封裝等設(shè) 備名稱CSE-單片清洗機(jī)類型單片式適用領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時(shí)間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短（相較于槽式清洗機(jī)）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://m.j4i44.cn ,400-8768-096，18913575037

氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06

氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過(guò)濾器：配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過(guò)濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化與親和力。在...

產(chǎn)品中心產(chǎn)品中心

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黑硅制絨設(shè)備-CSE

黑硅制絨—華林科納CSEBlack silicon cloth with soft nap長(zhǎng)期以來(lái)，多晶太陽(yáng)電池表面反射率較高的難題一直得不到有效解決，制約了電池效率的進(jìn)一步提升。濕法黑硅技術(shù)成功解決了這一難題，該技術(shù)將來(lái)勢(shì)必成為多晶電池的標(biāo)配技術(shù)。多晶電池效率的提升受制于表面反射率的降低。常規(guī)多晶主要采用酸制絨，形成蠕蟲(chóng)狀的坑洞；而單晶采用堿制絨，形成金字塔結(jié)構(gòu)的絨面。相比單晶電池，常規(guī)多晶電池的表面反射率高3%~5%（絕對(duì)值）。降低表面反射率是提高多晶電池效率的關(guān)鍵。成本方面，單晶硅片受益于金剛線切割工藝的推廣，成本大幅下降；而多晶硅片金剛線線切的推廣受制于電池制絨工藝的匹配，具體講，金剛線線切多晶硅片使用常規(guī)制絨工藝后，反射率更高并有明顯的線痕等外觀缺陷，嚴(yán)重降低電池效率。南通華林科納CSE開(kāi)發(fā)的濕法黑硅制絨技術(shù)完美的解決以上問(wèn)題，既能提升電池效率又能降低電池成本，是多晶電池繼續(xù)進(jìn)步的必由之路。設(shè)備名稱CSE-黑硅制絨設(shè)備用途單晶/多晶太陽(yáng)能電池片的金剛線切割后制絨產(chǎn)能3600-4000PCS/H；年產(chǎn)能120MW正常運(yùn)作時(shí)間23h/d裝片量200pcs碎片率轉(zhuǎn)換效率金剛線切割多晶硅片較傳統(tǒng)酸制絨砂漿切割多晶硅片提升效率0.2%以上反射率16%~18%轉(zhuǎn)化效率可以達(dá)到18.9-19.2%外觀檢查金剛線切割多晶黑硅絨面均勻，晶界模糊，無(wú)色差；安裝調(diào)試時(shí)間技術(shù)硅片類型多晶片效率提升范圍 %功率提升范圍 W濕法砂漿0.3-0.44-6濕法金剛線0.4-0.54-6干法砂漿0.5-0.65-7干法金剛線0.5-0.75-7 更多黑硅制絨清洗相關(guān)設(shè)備，可以關(guān)注網(wǎng)址：http://m.j4i44.cn，熱線：400-8768-096，18913575037

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太陽(yáng)能單晶制絨清洗機(jī)設(shè)備-CSE

太陽(yáng)能單晶制絨清洗機(jī)設(shè)備-CSE南通華林科納CSE密切跟蹤太陽(yáng)能光伏行業(yè)發(fā)展，致力于“設(shè)備+工藝”的研發(fā)模式，現(xiàn)生產(chǎn)的單多晶制絨設(shè)備已經(jīng)形成了良好的客戶基礎(chǔ)和市場(chǎng)影響。生產(chǎn)工藝流程為：預(yù)清洗→制絨→擴(kuò)散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結(jié)太陽(yáng)能電池片濕法設(shè)備主要技術(shù)特點(diǎn)：1.獨(dú)特的雙槽制絨工藝槽設(shè)計(jì)；2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運(yùn)營(yíng)成本；3.多通道注入結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制；4.機(jī)械傳動(dòng)特殊設(shè)計(jì)及人性化安全保證；5.適應(yīng)性強(qiáng)的工藝過(guò)程控制。在太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中，制絨是晶硅電池的第一道工藝。華林科納CSE的工程師提到對(duì)于單晶硅來(lái)說(shuō)，制絨的目的就是延長(zhǎng)光在電池表面的傳播路徑，從而提高太陽(yáng)能電池對(duì)光的吸收效率。單晶硅制絨的主要方法是用堿（NaOH、KOH）對(duì)硅片表面進(jìn)行腐蝕。由于硅片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，各向異性的堿液制絨主要是使晶向分布均勻的單晶硅表面形成類似“金字塔”狀的絨面，有效地增強(qiáng)硅片對(duì)入射太陽(yáng)光的吸收，從而提高光生電流密度。對(duì)于既可獲得低的表面反射率，又有利于太陽(yáng)能電池的后續(xù)制作工藝的絨面，應(yīng)該是金字塔大小均勻，單體尺寸在 2～10 μm之間，相鄰金字塔之間沒(méi)有空隙，即覆蓋率達(dá)到100%。理想質(zhì)量絨面的形成，受到了諸多因素的影響，如硅片被腐蝕前的表面狀態(tài)、制絨液的組成、各組分的含量、溫度、反應(yīng)時(shí)間等。而在工業(yè)生產(chǎn)中，對(duì)這一工藝過(guò)程的影響因素更加復(fù)雜，例如加工硅片的數(shù)量、醇類的揮發(fā)、反應(yīng)產(chǎn)物在溶液中的積聚、制絨液中各組分的變化等。為了維持生產(chǎn)良好的可重復(fù)性，并獲得高的生產(chǎn)效率。就要比較透徹地了解金字塔絨面的形成機(jī)理，控制對(duì)制絨過(guò)程中影響較大的因素，在較短的時(shí)間內(nèi)形成質(zhì)量較好的金字塔絨面。單晶制絨的工藝比較復(fù)雜，不同公司有各自獨(dú)特的制絨方法。一般堿制絨有以下幾種方法：Na...

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全自動(dòng)硅料清洗機(jī) ---華林科納CSE

全自動(dòng)硅料清洗機(jī) ---華林科納CSE南通華林科納CSE密切跟蹤太陽(yáng)能光伏行業(yè)發(fā)展，致力于“設(shè)備+工藝”的研發(fā)模式，現(xiàn)生產(chǎn)的單多晶制絨設(shè)備已經(jīng)形成了良好的客戶基礎(chǔ)和市場(chǎng)影響。生產(chǎn)工藝流程為：預(yù)清洗→制絨→擴(kuò)散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結(jié)太陽(yáng)能電池片濕法設(shè)備主要技術(shù)特點(diǎn)：1.獨(dú)特的雙槽制絨工藝槽設(shè)計(jì)；2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運(yùn)營(yíng)成本；3.多通道注入結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制；4.機(jī)械傳動(dòng)特殊設(shè)計(jì)及人性化安全保證；5.適應(yīng)性強(qiáng)的工藝過(guò)程控制。特點(diǎn)：1）主要用于對(duì)硅材料行業(yè)中多晶硅塊進(jìn)行清洗干燥處理。2）工藝流程：根據(jù)客戶需求定制，可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料、噴淋、酸洗、漂洗、下料等工藝；3）控制方式：手動(dòng)或自動(dòng)4）材質(zhì)：根據(jù)客戶及工藝需求選用，可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質(zhì)，保證設(shè)備的耐用性；5）槽體的槽底均為傾斜漏斗式結(jié)構(gòu)，便于清洗和排渣； 6）設(shè)備設(shè)有旋轉(zhuǎn)裝置使工件達(dá)到更好的清洗效果；7）頂部設(shè)有排霧系統(tǒng)結(jié)合酸霧塔進(jìn)行廢霧、廢水處理避免污染環(huán)境；8）PLC控制人機(jī)界面操作顯示能根據(jù)實(shí)際情況更改清洗參數(shù)。更多的太陽(yáng)能光伏清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（m.j4i44.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

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全自動(dòng)硅芯硅棒清洗機(jī)---CSE

全自動(dòng)硅芯硅棒清洗機(jī)---CSE南通華林科納CSE密切跟蹤太陽(yáng)能光伏行業(yè)發(fā)展，致力于“設(shè)備+工藝”的研發(fā)模式，現(xiàn)生產(chǎn)的單多晶制絨設(shè)備已經(jīng)形成了良好的客戶基礎(chǔ)和市場(chǎng)影響。生產(chǎn)工藝流程為：預(yù)清洗→制絨→擴(kuò)散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結(jié)太陽(yáng)能電池片濕法設(shè)備主要技術(shù)特點(diǎn)：1.獨(dú)特的雙槽制絨工藝槽設(shè)計(jì)；2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運(yùn)營(yíng)成本；3.多通道注入結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制；4.機(jī)械傳動(dòng)特殊設(shè)計(jì)及人性化安全保證；5.適應(yīng)性強(qiáng)的工藝過(guò)程控制。產(chǎn)品描述1）主要用于對(duì)硅材料行業(yè)中多晶硅塊進(jìn)行清洗干燥處理。2）工藝流程：根據(jù)客戶需求定制，可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料、噴淋、酸洗、漂洗、下料等工藝；3）控制方式：手動(dòng)或自動(dòng)4）材質(zhì)：根據(jù)客戶及工藝需求選用，可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質(zhì)，保證設(shè)備的耐用性；5）槽體的槽底均為傾斜漏斗式結(jié)構(gòu)，便于清洗和排渣； 6）設(shè)備設(shè)有旋轉(zhuǎn)裝置使工件達(dá)到更好的清洗效果；7）頂部設(shè)有排霧系統(tǒng)結(jié)合酸霧塔進(jìn)行廢霧、廢水處理避免污染環(huán)境；8）PLC控制人機(jī)界面操作顯示能根據(jù)實(shí)際情況更改清洗參數(shù)。更多的太陽(yáng)能光伏清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlcas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

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全自動(dòng)制絨清洗機(jī)-CSE

全自動(dòng)制絨清洗機(jī)設(shè)備--CSE南通華林科納CSE密切跟蹤太陽(yáng)能光伏行業(yè)發(fā)展，致力于“設(shè)備+工藝”的研發(fā)模式，現(xiàn)生產(chǎn)的單多晶制絨設(shè)備已經(jīng)形成了良好的客戶基礎(chǔ)和市場(chǎng)影響。生產(chǎn)工藝流程為：預(yù)清洗→制絨→擴(kuò)散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結(jié)太陽(yáng)能電池片濕法設(shè)備主要技術(shù)特點(diǎn)：1.獨(dú)特的雙槽制絨工藝槽設(shè)計(jì)；2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運(yùn)營(yíng)成本；3.多通道注入結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制；4.機(jī)械傳動(dòng)特殊設(shè)計(jì)及人性化安全保證；5.適應(yīng)性強(qiáng)的工藝過(guò)程控制。產(chǎn)品描述1）主要用于對(duì)硅材料行業(yè)中多晶硅塊進(jìn)行清洗干燥處理。2）工藝流程：根據(jù)客戶需求定制，可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料、噴淋、酸洗、漂洗、下料等工藝；3）控制方式：手動(dòng)或自動(dòng)4）材質(zhì)：根據(jù)客戶及工藝需求選用，可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質(zhì)，保證設(shè)備的耐用性；5）槽體的槽底均為傾斜漏斗式結(jié)構(gòu)，便于清洗和排渣； 6）設(shè)備設(shè)有旋轉(zhuǎn)裝置使工件達(dá)到更好的清洗效果；7）頂部設(shè)有排霧系統(tǒng)結(jié)合酸霧塔進(jìn)行廢霧、廢水處理避免污染環(huán)境；8）PLC控制人機(jī)界面操作顯示能根據(jù)實(shí)際情況更改清洗參數(shù)。更多的太陽(yáng)能單晶多晶硅片制絨腐蝕清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlcas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

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硅片清洗機(jī)--華林科納CSE

硅片濕法清洗技術(shù)與設(shè)備---華林科納CSE硅片制造過(guò)程中，在進(jìn)行下一步工藝前要獲得一個(gè)潔凈的表面，以保證后道工藝能再一個(gè)完全潔凈的表面上進(jìn)行，這就需要對(duì)硅片進(jìn)行清洗。清洗是硅片制造過(guò)程中重復(fù)次數(shù)最多的工藝。目前，在清洗工藝中使用最多的就是濕法清洗技術(shù)，華林科納半導(dǎo)體設(shè)備公司的硅片濕法腐蝕清洗機(jī)在半導(dǎo)體行業(yè)得到了很多客戶的認(rèn)可.1 硅片濕法清洗的種類1.1 刷洗刷洗是去除硅片表面顆粒的一種直接而有效的方法，該清洗技術(shù)一般用在切割或拋光后的硅片清洗上，可高效地清除拋光后產(chǎn)生的大量顆粒。刷洗一般有單面或雙面兩種模式，雙面模式可同時(shí)清洗硅片的兩面。刷洗有時(shí)也與超聲及去離子水或化學(xué)液一起配合使用，以達(dá)到更好的清洗效果和更高的清洗效率。1.2 化學(xué)清洗1.2.1 RCA 清洗20 世紀(jì) 60 年代，由美國(guó)無(wú)線電公司（RCA）研發(fā)了用于硅片清洗的 RCA 清洗技術(shù)，這種技術(shù)成為后來(lái)各種化學(xué)清洗技術(shù)的基礎(chǔ)，現(xiàn)在大多數(shù)工廠所使用的清洗技術(shù)都是基于最初的 RCA 清洗法。RCA 清洗是按照一定的順序依次浸入兩種標(biāo)準(zhǔn)清洗液(SC-1 和 SC-2)中來(lái)完成，這兩種清洗液的使用溫度一般在 80 ℃以內(nèi)，有時(shí)也需要將溶液冷卻到室溫以下。1.2.2 改進(jìn)的 RCA 清洗RCA 清洗一般都需要在高溫下進(jìn)行，并且化學(xué)液的濃度很高，這樣就造成大量消耗化學(xué)液和去離子水的問(wèn)題。目前，很少有人還按照最初的 RCA化學(xué)液配比進(jìn)行濕法清洗。在 RCA 清洗的基礎(chǔ)上，采用稀釋化學(xué)法，將SC-1、SC-2 稀釋到 100 倍以上，也可以達(dá)到甚至超過(guò)最初的 RCA 清洗效果。改進(jìn)的 RCA 清洗方法最大的好處是減少了化學(xué)液的消耗，可使化學(xué)液的消耗量減少 85﹪以上。另外，附加兆聲或超聲能量后，可大大降低溶液的使用溫度和反應(yīng)時(shí)間，提高溶液的使用壽命，大幅度降低了生產(chǎn)成本，同時(shí)，低濃度化學(xué)液對(duì)人體健康和安全方面...

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太陽(yáng)能硅片制絨腐蝕清洗機(jī)-CSE

太陽(yáng)能硅片制絨腐蝕清洗機(jī)-CSE在光伏發(fā)電領(lǐng)域，由于多晶硅電池片成本較低，其市場(chǎng) 占有率已躍居首位，但相對(duì)于單晶硅電池片而言仍存在著反射率較高、電池效率不足的缺陷。為縮小多晶硅太陽(yáng)能電池片與單晶硅太陽(yáng)能電池片之間的差距，采用織構(gòu)化多晶硅表面的方法提高多晶硅片吸光能力是一條行之有效的途徑。目前，多晶硅表面織構(gòu)化的方法主要有機(jī)械刻槽、激光刻槽、反應(yīng)離子體蝕刻、酸腐蝕制絨等，其中各向同性酸腐制絨技術(shù)的工藝簡(jiǎn)單，可以較容易地整合到多晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工序中，同時(shí)成本最低，因而在大規(guī) 模的工業(yè)生產(chǎn)中得到了廣泛的應(yīng)用。更多的太陽(yáng)能硅片制絨腐蝕清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（m.j4i44.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

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